ICP设备(刻蚀机)共享应用
| 仪器名称： | ICP设备(刻蚀机) |
| 仪器编号： | 02001849 |
| 产地： | 英国 |
| 生产厂家： | STS SURFACE TECN. |
| 型号： | MESC Multiplex |
| 出厂日期： | 200001 |
| 购置日期： | 200203 |
| 所属单位： | 集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺 |
| 放置地点： | 微电子所新所一层工艺平台 |
| 固定电话： | |
| 固定手机： | |
| 固定email： | |
| 联系人： | 王喆垚（010-62772748,13552821122,z.wang@tsinghua.edu.cn） 窦维治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn） |
| 分类标签： | 微纳加工 深硅刻蚀 集成电路 |
| 技术指标： | 硅深槽刻蚀，刻蚀速率3um/min |
| 知名用户： | 清华大学、北京大学、中科院微电子所 |
| 技术团队： | 教授1人、副教授1人、工程师2人 |
| 功能特色： | 本设备可进行硅片深刻蚀，加工尺寸为4英寸及以下硅片。Si刻蚀速率为3um/min，光刻胶硅刻蚀选择比为1：20,均匀性小于5%。 |
样品要求：
单片式；硅片尺寸：4英寸及以下
预约说明：
实验室的设备采用网上预约的方式、以先约先用为基本原则
取消预约需提前2个小时通过网上取消预约
| 项目名称 | 计价单位 | 费用类别 | 价格 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 深硅刻蚀 | 元/片 | 测试费 | 800.0 | 刻蚀深度≤30μm，800元/片，＞30μm的部分，加收150元/10μm |
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