飞行时间二次离子质谱共享
| 仪器名称： | 飞行时间二次离子质谱 |
| 仪器编号： | 13027664 |
| 产地： | 德国 |
| 生产厂家： | ION-TOF GmbH |
| 型号： | TOF.SIMS 5 |
| 出厂日期： | 2012.5 |
| 购置日期： | 201312 |
| 所属单位： | 化学系>分析中心>北京电子能谱中心 |
| 放置地点： | 理科楼D-104 |
| 固定电话： | |
| 固定手机： | |
| 固定email： | |
| 联系人： | 郭冲（010-62783586,18210032027,guochong1992@163.com） 李芹（010-62783586,18813199160,liqincup@mail.tsinghua.edu.cn） 李展平（010-62783586,13718178346,zhanpingli@mail.tsinghua.edu.cn） |
| 分类标签： | SIMS 二次离子质谱 TOF-SIMS 飞行时间二次离子质谱 质谱 |
| 技术指标： | 1 分析器：反射式 质量分辨率：M/△M ＞1100028SiH+ ＞16000 (＞200amu) 质量范围: ＞12000amu 2 LMIG：Bi源 最大能量：30keV 最大电流：30nA 最小束斑直径：＜100nm(Atomic), ＜80nm(Cluster) 3 GCIB (Ar团簇离子枪) 能量范围：2.5～20keV Cluster 大小：约2500（m=100000amu） 4 O2+离子枪 (仅作溅射) 离子能量范围：0.2～2keV 5 Cs+离子枪(和O2+离子枪共享一个离子光学系统) 离子能量范围：0.2～2keV 6 带电中和低能电子枪 能量：1-20eV可调 7 样品台：5维加热/冷却 控温范围及精度：-150℃～600℃；±1℃ 8 EDR技术：动态范围增2个量级 9 本底真空：＜5×10-10mba |
| 知名用户： | 半导体所 北京大学 北京邮电大学 北京有色金属研究总院 清华大学材料学院 核工业西南物理研究院 清华大学化学系 清华大学机械系 矿业大学 上海空间推进研究所 圣戈班研发（上海）有限公司 首都师范大学 有色院 中国科学院半导体研究所照明研发中心 中国科学院大学 中科院宁波材料所 |
| 技术团队： | 仪器运行和管理人李展平高级工程师2005年被人才引进到清华大学分析中心，在国内外多年从事表面分析特别是TOF-SIMS的分析研究工作。 |
| 功能特色： | 基本功能： 可用以表面下范围在2nm以内的最表层分析，能检测出包括氢(H)在内的所有元素及其同位素，对所有元素具有极高的检测灵敏度(ppm～ppb,因元素而异)，可检测痕量杂质，及微量掺杂对材料和器件性能的影响；能测定从表面到深至数十μm的微量元素及化合物浓度布；能观测各种元素及化合物的1D、2D、3D分布，具有很高的空间分辨率(＜100nm)；能分析绝缘材料；能鉴定有机化合物分子，对有机材料结构分析有独特的能力，适于分析大分子、超高分子量有机化合物，并能测定分子量；能取得单分子层表面结构信息。 应用领域： 适用于有机、无机、生物、医学、电子、地质/考古、环境等各种领域的各种固体材料的分析。在有机纳米材料和器件、有机/高分子材料微量添加剂、微电子材料、催化剂、摩擦化学、新药创制、环境微颗粒微量成分、生物细胞分析等的研究开发中，它已成为必不可少的工具。 |
| 项目名称 | 计价单位 | 费用类别 | 价格 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| TOF-SIMS测试分析费 | 元/小时 | 测试费 | 1500.0 | |
| 表面分析 | 元/小时 | 测试费 | 600.0 |
