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当固体样品被几keV能量的一次离子溅射时,从靶发射出来的一部分颗粒被电离。二次离子质谱法是使用质谱仪分析这些二次离子。离子轰击下固体表面的二次离子发射提供了有关其最上面的原子层的元素、同位素和分子组成的信息。根据化学环境和溅射条件(离子、能量、角度),二次离子产生率会有很大的变化。这会增加该技术的量化方面的复杂性。无论如何,SIMS被公认为最灵敏的元素和同位素表面分析技术。...
通常只有2-3个原子层中的原子可以逃逸出来,因此二次离子的发射深度在1nm左右。可见,来自发射区的发射粒子无疑代表着固体近表面区的信息,这正是SISM能进行表面分析的基础。一次离子照射到固体表面引起溅射的产物种类很多,其中二次离子只占总溅射产物的很小一部分(约占0.01-1%)。...
2 结果与讨论 SIMS深度剖析给出的原始测试结果数据是监测元素二次离子强度对溅射时间的曲线,反映元素浓度的相对变化趋势,对深度和浓度定标后,可以得到元素浓度对深度的分布图。 ...
(2) 飞行时间二次离子质谱法(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry, TOF-SIMS) 是通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。 ...
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