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极片能谱
本专题涉及极片能谱的标准有25条。
国际标准分类中，极片能谱涉及到分析化学、集成电路、微电子学、环境保护、词汇、金属材料试验。
在中国标准分类中，极片能谱涉及到基础标准与通用方法、半导体集成电路、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、液体介质与植物、动物、人体器官采样方法、电子、电气设备、半金属及半导体材料分析方法。
国家质检总局，关于极片能谱的标准
- GB/T 32264-2015 气相色谱-单四极质谱仪性能测定方法
- GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
- GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
美国国防后勤局，关于极片能谱的标准
- DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 硅单片双极高性能10位缓冲双极数字微电路
- DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 微电路，数字，双极高性能 10 位缓冲器，单片硅
- DLA SMD-5962-89925 REV B-2012 微电路，数字，双极，低功耗肖特基，TTL，六角 D 型触发器，带使能，单片硅
- DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 2N3700UE1,JAN,JANTX,JANJ型能量切换半导体器件的晶体管,塑料,三极管和硅片的标准规格
- DLA SMD-5962-90910 REV B-2012 微电路、数字、双极性、高级肖特基、TTL、八进制边沿触发的 D 型触发器，带时钟使能，单片硅
- DLA SMD-5962-92314 REV D-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有双使能、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制锁存收发器
- DLA SMD-5962-93148 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有时钟使能的八进制边沿触发 D 型触发器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-93148 REV C-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有时钟使能的八进制边沿触发 D 型触发器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96849 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3V 16 位寄存收发器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-95642 REV D-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3 伏八进制总线收发器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96685 REV D-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3V 16 位缓冲器/驱动器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96810 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3 伏 16 位透明 D 型锁存器、三态输出和 TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-95647 REV C-2008 单片硅TTL兼容输入,三相输出,3.3伏16位边沿触发D型触发器带总线保持功能,改进的双极CMOS数字微电路
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于极片能谱的标准
- GB/T 35410-2017 液相色谱-串联四极质谱仪性能的测定方法
- GB/T 34826-2017 四极杆电感耦合等离子体质谱仪性能的测定方法
AT-ON，关于极片能谱的标准
- ONORM EN 28092-2-1992 道路车辆．片式快速插接件．单极连接接头试验和性能要求
RU-GOST R，关于极片能谱的标准
- GOST 33400-2015 环境危害化学品试验. 在水中形成配位化合物能力的测定 (极谱法)
- GOST R 59463-2021 纳米制造 关键控制特性 第 4-6 部分 用于电能存储设备的电极纳米材料 红外光谱法测定碳含量
丹麦标准化协会，关于极片能谱的标准
- DS/EN 28 092-2:1992 道路车辆．片式快速连接插接件．第2部分：单极连接试验和性能要求
行业标准-环保，关于极片能谱的标准
- HJ 1149-2020 环境空气 气溶胶中γ放射性核素的测定 滤膜压片/γ能谱法
法国标准化协会，关于极片能谱的标准
- NF R13-440:1992 道路车辆.扁插片快速连接装置.第2部分:单极连接性能的试验与要求
国际标准化组织，关于极片能谱的标准
- ISO 19668:2017 表面化学分析.X射线光电子能谱学.均匀材料中元素检测极限的估算和报告
可能用到的仪器设备
