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二次离子质谱仪制样

本专题涉及二次离子质谱仪制样的标准有110条。

国际标准分类中,二次离子质谱仪制样涉及到分析化学、金属材料试验、半导体材料、电学、磁学、电和磁的测量、半导体分立器件、食品试验和分析的一般方法。

在中国标准分类中,二次离子质谱仪制样涉及到基础标准与通用方法、半金属及半导体材料分析方法、元素半导体材料、物质成份分析仪器与环境监测仪器综合、光学计量仪器、表面活性剂、半金属与半导体材料综合、化学、电子光学与其他物理光学仪器、、食品卫生。


国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于二次离子质谱仪制样的标准

  • GB/T 40129-2021 表面化学分析 二次离子质谱 飞行时间二次离子质谱仪质量标校准
  • GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法
  • GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
  • GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法

国际标准化组织,关于二次离子质谱仪制样的标准

  • ISO 13084:2018 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 用于飞行时间二次离子质谱仪的质谱的校准
  • ISO 13084:2011 表面化学分析.二次离子质谱分析法.飞行时间二次离子质谱仪用质量标度的校准
  • ISO 20411:2018 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数动态二次离子光谱法中饱和强度的校正方法
  • ISO/TS 22933:2022 表面化学分析.二次离子质谱法.模拟离子质谱中质量分辨率的测量方法
  • ISO 178:1975 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
  • ISO 17862:2022 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
  • ISO 17862:2013 表面化学分析——二次离子质谱法——单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
  • ISO 178:2019 表面化学分析.二次离子质谱法.单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
  • ISO 22048:2004 表面化学分析——静态二次离子质谱信息格式
  • ISO 18114:2003 表面化学分析.次级离子质谱法.测定离子注入标样中的相对灵敏度系数
  • ISO 18114:2021 表面化学分析. 次级离子质谱法. 测定离子注入标样中的相对灵敏度系数
  • ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
  • ISO 14237:2000 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
  • ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
  • ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法
  • ISO 17109:2022 表面化学分析.深度剖面.用单层和多层薄膜在X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中测定溅射速率的方法

GSO,关于二次离子质谱仪制样的标准

  • OS GSO ISO 13084:2013 表面化学分析 二次离子质谱 飞行时间二次离子质谱仪的质量标度校准
  • GSO ISO 13084:2013 表面化学分析 二次离子质谱 飞行时间二次离子质谱仪的质量标度校准
  • BH GSO ISO 13084:2016 表面化学分析 二次离子质谱 飞行时间二次离子质谱仪的质量标度校准
  • GSO ISO 23830:2013 表面化学分析 二次离子质谱 固定二次离子质谱中相对密度标度的重复性和稳定性
  • OS GSO ISO 23830:2013 表面化学分析 二次离子质谱 静态二次离子质谱中相对强度标度的重复性和稳定性
  • BH GSO ISO 23830:2016 表面化学分析 二次离子质谱 静态二次离子质谱中相对强度标度的重复性和稳定性
  • GSO ISO 18114:2013 表面化学分析 二次离子质谱 离子标准物质相对灵敏度因子的测定
  • GSO ISO 22048:2013 表面化学分析静态二次离子质谱的信息格式
  • OS GSO ISO 22048:2013 表面化学分析静态二次离子质谱的信息格式
  • BH GSO ISO 22048:2016 表面化学分析静态二次离子质谱的信息格式
  • BH GSO ISO 17560:2016 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度分析方法
  • BH GSO ISO 18114:2016 表面化学分析 二次离子质谱 离子注入参比材料相对灵敏度因子的测定
  • OS GSO ISO 12406:2013 表面化学分析二次离子质谱法硅中砷的深度分析方法
  • GSO ISO 17560:2013 表面化学分析二次离子质谱测定硅中硼深度数据的方法
  • GSO ISO 12406:2013 表面化学分析 二次离子质谱 测定硅中砷深度数据的方法
  • OS GSO ISO 23812:2013 表面化学分析 二次离子质谱 多δ层参比材料的硅深度校准方法
  • BH GSO ISO 23812:2016 表面化学分析 二次离子质谱 多δ层参比材料的硅深度校准方法
  • GSO ISO 14237:2013 表面化学分析 二次离子质谱 使用标准化掺杂材料测定硅中硼的原子浓度
  • GSO ISO 20341:2014 表面化学分析 二次离子质谱 用多层参考材料估计深度分辨率因子的方法 δ
  • GSO ISO 23812:2013 表面化学分析 二次离子质谱 使用多层 Delta 参考材料的硅深度校准方法
  • OS GSO ISO 20341:2014 表面化学分析二次离子质谱用多δ层参考材料估计深度分辨率参数的方法
  • BH GSO ISO 20341:2016 表面化学分析二次离子质谱用多δ层参考材料估计深度分辨率参数的方法

日本工业标准调查会,关于二次离子质谱仪制样的标准

  • JIS K 0157:2021 表面化学分析. 二次离子质谱法. 渡越时间二次离子质谱仪的质量标度的校准
  • JIS K 0158:2021 表面化学分析. 二次离子质谱法. 单离子计数动态二次离子质谱法中饱和强度的校正方法
  • JIS K 0153:2015 表面化学分析. 二次离子质谱法. 静态二次离子质谱法中相对强度范围的重复性和稳定性
  • JIS K 0155:2018 表面化学分析 二次离子质谱法 单离子计数时间飞行质量分析仪中强度刻度的线性度
  • JIS K 0168:2011 表面化学分析.静态二次离子质谱法用信息格式
  • JIS K 0164:2023 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度分析方法
  • JIS K 0163:2010 表面化学分析.次级离子质谱法.离子注入标样中相对灵敏度系数的测定
  • JIS K 0143:2023 表面化学分析-二次离子质谱-使用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
  • JIS K 0156:2018 表面化学分析-二次离子质谱法-使用多δ层参考材料的硅深度校准方法

英国标准学会,关于二次离子质谱仪制样的标准

  • BS ISO 13084:2018 表面化学分析 二次离子质谱分析 飞行时间二次离子质谱仪的质量标度校准
  • BS ISO 13084:2011 表面化学分析.二次离子质谱.飞行时间二次离子质谱用质量标度的校准
  • BS ISO 20411:2018 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数动态二次离子质谱饱和强度校正方法
  • BS ISO 17862:2022 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
  • BS ISO 22048:2004 表面化学分析 静态二次离子质谱的信息格式
  • BS ISO 22048:2004(2005) 表面化学分析静态二次离子质谱的信息格式
  • 20/30409963 DC BS ISO 17862 表面化学分析 二次离子质谱分析 单离子计数飞行时间质量分析仪中强度标度的线性
  • BS ISO 18114:2003 表面化学分析.次级离子质谱法.测定离子注入标样的相对灵敏系数
  • BS ISO 18114:2021 表面化学分析 二次离子质谱 离子注入参考材料的相对灵敏度因子的测定
  • BS ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
  • 20/30409889 DC BS ISO 18114 表面化学分析 二次离子质谱 离子注入参考材料的相对灵敏度因子的测定
  • BS ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
  • BS ISO 20341:2003(2010) 表面化学分析 二次离子质谱 多δ层参考材料估计深度分辨率参数的方法

SCC,关于二次离子质谱仪制样的标准

  • 10/30199193 DC BS ISO 13084 表面化学分析 二次离子质谱法 飞行时间二次离子质谱仪质量标度的校准
  • 07/30138812 DC BS ISO 23830 表面化学分析 二次离子质谱法 静态二次离子质谱法中相对强度标度的重复性和恒定性
  • BS ISO 14237:2000 表面化学分析 二次离子质谱 使用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
  • 10/30199169 DC BS ISO 12406 表面化学分析 二次离子质谱法 硅中砷的深度剖析方法
  • 09/30153670 DC BS ISO 14237 表面化学分析 二次离子质谱法 用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
  • 08/30138809 DC BS ISO 23812 表面化学分析 二次离子质谱 使用多个δ层参考材料的硅深度校准方法

国家质检总局,关于二次离子质谱仪制样的标准

  • GB/T 43663-2024 表面化学分析 二次离子质谱 静态二次离子质谱相对强度标的重复性和一致性
  • GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法
  • GB/T 25186-2010 表面化学分析.二次离子质谱.由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子
  • GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
  • GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
  • GB/T 20176-2006 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
  • GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
  • GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
  • GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
  • GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
  • GB/T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素(镁、镓)含量及分布的测定 二次离子质谱法
  • GB/T 22572-2008 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法

法国标准化协会,关于二次离子质谱仪制样的标准

  • NF ISO 23830:2009 表面化学分析 二次离子质谱 二次离子静态质谱中相对强度标度的重复性和稳定性
  • NF X21-070*NF ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度.
  • NF ISO 14237:2010 表面化学分析 二次离子质谱分析 使用均匀掺杂材料的硅中硼原子的剂量
  • NF ISO 17560:2006 表面化学分析 二次离子质谱分析 通过厚度分析确定硅中硼的剂量
  • NF ISO 23812:2009 表面化学分析 二次离子质谱 使用多三角层状参比材料的硅深度校准方法

美国材料与试验协会,关于二次离子质谱仪制样的标准

行业标准-电子,关于二次离子质谱仪制样的标准

中国团体标准,关于二次离子质谱仪制样的标准

  • T/SHPTA 035-2023 飞行时间二次离子质谱测试二次电池及其关键材料实验方法
  • T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
  • T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法

韩国科技标准局,关于二次离子质谱仪制样的标准

KR-KS,关于二次离子质谱仪制样的标准

国家质量监督检验检疫总局,关于二次离子质谱仪制样的标准

  • SN/T 4585-2016 出口食品中甲基砷酸、二甲次胂酸残留量的测定 液相色谱-电感耦合等离子体质谱法




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