金属迁移试验
本专题涉及金属迁移试验的标准有11条。
国际标准分类中，金属迁移试验涉及到半导体分立器件、电信设备用部件和附件、与食品接触的物品与材料、电学、磁学、电和磁的测量。
在中国标准分类中，金属迁移试验涉及到半导体集成电路、电缆及其附件、标志、包装、运输、贮存、食品卫生、基础标准与通用方法、基础标准与通用方法、微电路综合。
行业标准-商品检验，关于金属迁移试验的标准
- SN/T 3389-2012 食品接触材料 金属基聚合物涂层 总迁移试验条件和方法选择指南
英国标准学会，关于金属迁移试验的标准
- BS EN 62417-2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
- BS DD CEN/TS 14235-2003 与食品接触的材料和物品.金属基上的聚合物涂层.总迁移的条件和试验方法的选择指南
- DD CEN/TS 14235-2002 与食品接触的材料和物品.金属基上的聚合物涂层.总迁移的条件和试验方法的选择指南
欧洲电工标准化委员会，关于金属迁移试验的标准
- EN 62153-4-7-2006 金属通信电缆.试验方法.第4-7部分:电磁兼容性(EMC).测量迁移阻抗和屏蔽或耦合衰减的试验方法.管中管法 IEC 62153-4-7:2006
国际电工委员会，关于金属迁移试验的标准
- IEC 62153-4-7:2006 金属通信电缆试验方法.第4-7部分:电磁兼容性(EMC).测量迁移阻抗和屏蔽或耦合衰减的试验方法.管中管法
德国标准化学会，关于金属迁移试验的标准
- DIN CEN/TS 14235-2003 接触食品的材料和制品.金属基片的聚合涂层.全迁移条件和试验方法的选择指南; 德文版本 CEN/TS 14235:2002
美国材料与试验协会，关于金属迁移试验的标准
- ASTM F1259M-96(2003) 检测由电迁移造成的喷镀金属开路或阻力增加失效率用的平板、直线试验结构设计的标准指南(米制单位)
- ASTM F1260M-96(2003) 集成电路金属喷镀总量和电迁移中值失效时间的评定标准试验方法(米制单位)
- ASTM F1259M-96 检测由电迁移造成的喷镀金属开路或阻力增加失效率用的平板、直线试验结构设计的标准指南(米制单位)
- ASTM F1260M-96 集成电路金属喷镀总量和电迁移中值失效时间的评定标准试验方法(米制单位)
