俄歇电子能谱深度剖析

本专题涉及俄歇电子能谱深度剖析的标准有4条。

国际标准分类中，俄歇电子能谱深度剖析涉及到分析化学、电子元器件综合。

在中国标准分类中，俄歇电子能谱深度剖析涉及到基础标准与通用方法、化学助剂基础标准与通用方法、标准化、质量管理。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于俄歇电子能谱深度剖析的标准

• GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法

英国标准学会，关于俄歇电子能谱深度剖析的标准

• BS ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法

国际标准化组织，关于俄歇电子能谱深度剖析的标准

• ISO 17109:2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法

行业标准-电子，关于俄歇电子能谱深度剖析的标准

• SJ/T 10457-1993 俄歇电子能谱术深度剖析标准导则

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