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记忆储存

本专题涉及记忆储存的标准有51条。

国际标准分类中，记忆储存涉及到集成电路、微电子学、数据存储设备、音频、视频和视听工程、航空器和航天器综合。

在中国标准分类中，记忆储存涉及到混合集成电路、微电路综合、数据媒体、视频、脉冲系统设备、计算机应用、计算机外围设备、半导体集成电路、紧固件。

美国国防后勤局，关于记忆储存的标准

• DLA SMD-5962-93091 REV D-2005 512K X 8位电可擦除可编程只读存储器,记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 硅单片64比特双极随机存取存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93154 REV A-2005 128K X 8位电可擦除可程序化只读存储器,记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-93155 REV B-2005 256K X 8位电可擦除可程序化只读存储器,记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-81015 REV C-2006 硅单片16千比特动态随机存取存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-84132 REV C-2005 硅单片16千字节静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-96901 REV D-2004 512K X 16-BIT静态存储器和可擦可编程只读存储器混合记忆微电路
• DLA SMD-5962-94549 REV D-2006 硅单片,256K X 16多口视频随机存取存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89892 REV B-2007 硅单片,装有OE16K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-92344-1993 硅单片,8K X 8可重调静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-92324 REV B-2006 硅单片,8K X 8非易失性静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-82005 REV E-2005 硅单片 65536(8KX8)微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89891 REV B-2007 硅单片,装有OE及双重CE16K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-94585 REV J-2003 128K X 32位电可擦除/可程序化只读存储器,数字记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-94614 REV E-2003 32K X 32位电可擦除/可程序化只读存储器,数字记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-93235 REV A-2005 硅单片,256K X 8位电可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-92172-1993 硅单片,独立I/O分址16K X 4静态随机存取存储器,BICMOS数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-80012 REV H-2005 硅单片8千字节X8微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-78016 REV G-2005 硅单片8千字节X8微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-82009 REV K-2005 硅单片64千比特程序可控只读存储器,双极数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-03202-2003 硅单片1024 X 8比特双极可程序化只读存储器的数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-03203-2003 硅单片1048 X 8比特双极可程序化只读存储器的数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-82025 REV H-2005 硅单片16千 X 8 微伏可消除式可程序化只读存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-84111 REV E-2004 硅单片262,144比特(32K X 8) 微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-94599 REV B-2006 硅单片,在功率损耗上装有自动储存的8K X 8非易失性静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-90594 REV A-1995 硅单片,装有透明写入式及独立I/O分址的16K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-90664-1992 硅单片,装有透明写入式及独立I/O分址的64K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-96902 REV F-2004 静态随机存储器256K X 16-BIT混合记忆微电路
• DLA SMD-5962-96795 REV C-2004 256K X 16静态随机存储寄存器硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-96889 REV A-2006 4M X 1动态随机存取存储器硅单片电路数字记忆微电路
• DLA SMD-5962-01529 REV A-2007 单片硅数字存储器微电路CMOS 16K X 1个静态随机存取记忆体(SRAM)
• DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 512K X 32位静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆混合微型电路
• DLA SMD-5962-89690 REV A-2006 硅单片,2K X 8 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89691 REV A-1990 硅单片,8K X 8 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89692 REV A-2006 硅单片,16K X 4 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89694 REV C-2007 硅单片,16K X 4 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89712 REV B-2007 硅单片,16K X 4BITS静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-89883 REV B-1995 硅单片,8K X 9静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 硅单片,4M X 1动态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 硅单片,4M X 4动态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93225-1994 硅单片,64K X 4静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-02517 REV A-2004 数字记忆CMOS微电路128M X 8 BIT堆栈模具(1GBIT)同步内存(记忆体)模块
• DLA SMD-5962-02518-2003 数字记忆CMOS微电路256M X 8 BIT堆栈模具(2GBIT)同步内存(记忆体)模块
• DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 硅单片,16千比特静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合及单片微型电路
• DLA SMD-5962-38294 REV H-2005 硅单片8千X8比特静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 硅单片,2K X 8双口静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 硅单片,4K X 9双口静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-99541 REV A-2005 微型电路,带记忆力,数字型,辐射加固CMOS,256K X8位静态随机存取存储器,单块硅
• DLA SMD-5962-96840 REV A-2005 4 X 32K X 40静态存储器多片组件硅单片电路数字记忆微电路

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