硅 基 技术

本专题涉及硅 基 技术的标准有12条。

国际标准分类中，硅 基 技术涉及到集成电路、微电子学、半导体分立器件、电子电信设备用机电元件、橡胶和塑料制品。

在中国标准分类中，硅 基 技术涉及到微电路综合、半导体分立器件综合。

国家质检总局，关于硅 基 技术的标准

• GB/T 32815-2016 硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范
• GB/T 32816-2016 硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范
• GB/T 32814-2016 硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范
• GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术.氢氧化钾腐蚀工艺规范
• GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术.微键合区剪切和拉压强度检测方法
• GB/T 28276-2012 硅基MEMS制造技术.体硅溶片工艺规范
• GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技术.版图设计基本规则

德国标准化学会，关于硅 基 技术的标准

• DIN EN 62047-25-2017 半导体器件. 微型机电装置. 第25部分: 硅基MEMS制造技术. 微键合区拉压和剪切强度的测量方法(IEC 62047-25-2016); 德文版本EN 62047-25-2016

，关于硅 基 技术的标准

• GOST R 57399-2017 硅基橡胶垫圈和附件. 技术要求

英国标准学会，关于硅 基 技术的标准

• BS EN 62047-25-2016 半导体器件. 微型机电装置. 硅基MEMS制造技术. 微键合区拉压和剪切强度的测量方法

国际电工委员会，关于硅 基 技术的标准

• IEC 62047-25:2016 半导体器件 - 微机电器件 - 第25部分:硅基存储器制造技术 - 微接合区域的拉压和剪切强度测量方法
• IEC 62047-25-2016 半导体器件 - 微机电器件 - 第25部分:硅基存储器制造技术 - 微接合区域的拉压和剪切强度测量方法

本站其他标准专题： 硅 基 技术，硅 基，技术 基础 技术，基础 技术，硅胶 技术，基因 技术，技术 基因，硅藻土 技术，基因组 技术，基础 技术 部，基因 技术 金，技术 基本原理，技术 靶 基因，斑 技术，盐 技术，砖 技术，技术 奖，家 技术，酶 技术，技术 光。

 

可能用到的仪器设备