EN
RU
ES
受体 四型
本专题涉及受体 四型的标准有228条。
国际标准分类中，受体 四型涉及到航空航天用流体系统和零部件、农业和林业、阀门、流体动力系统、半导体分立器件、特殊工作条件下用电气设备、集成电路、微电子学、空气质量、综合业务数字网(ISDN)、服务、航空航天制造用材料、航空航天用电气设备和系统、电信设备用部件和附件、光纤通信。
在中国标准分类中，受体 四型涉及到基础标准与通用方法、动物检疫、兽医与疫病防治、液压与气动装置、乳与乳制品、饲养动物、刀具、阀门、半导体分立器件综合、防爆电器、半导体集成电路、计算机应用、半导体三极管、供应与使用关系、通信线路设备、航空与航天用金属铸锻材料、带绝缘层电线、压缩机、风机、电子元件综合、波导同轴元件及附件、微电路综合、光通信设备、电缆及其附件。
行业标准-农业，关于受体 四型的标准
- 空气和废气监测分析方法 7.4.2-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第四章 源与受体样品的分析方法 二 源与受体样品的分析技术
- 300药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 四、β受体拮抗药 阿替洛尔
- 301药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 四、β受体拮抗药 美托洛尔
- 303药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 四、β受体拮抗药 卡维地洛
- 1130药典 化学药和生物制品卷-2010 第十四章 抗过敏药 二、白三烯受体拮抗药 扎鲁司特*
- 空气和废气监测分析方法 7.4.1-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第四章 源与受体样品的分析方法 一 滤膜的称量
- 1129药典 化学药和生物制品卷-2010 第十四章 抗过敏药 二、白三烯受体拮抗药 孟鲁司特钠*
- 307药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 四、β受体拮抗药 盐酸拉贝洛尔
- 305药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 四、β受体拮抗药 盐酸阿罗洛尔
- 299药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 四、β受体拮抗药 盐酸普萘洛尔
- 302药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 四、β受体拮抗药 盐酸艾司洛尔
- 空气和废气监测分析方法 7.1.1-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第一章 化学质量平衡（CMB）受体模型基本理论 一 CMB受体模型原理
- 304药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 四、β受体拮抗药 富马酸比索洛尔
- 306药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 四、β受体拮抗药 马来酸噻吗洛尔
- 空气和废气监测分析方法 7.5.4-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第五章 颗粒物成分谱的建立 四 源和受体成分谱数据评估
- 空气和废气监测分析方法 7.3.4-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第三章 环境受体样品采集 四 采样时间 采样周期以及采样要求
- 310药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 五、α受体拮抗药 妥拉唑林
- NY/T 1670-2008 猪雌激素受体和卵泡刺激素β亚基单倍体型检测技术规程
- 309药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 五、α受体拮抗药 盐酸酚苄明
- 311药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 五、α受体拮抗药 盐酸哌唑嗪
- 312药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 五、α受体拮抗药 盐酸特拉唑嗪
- 314药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 五、α受体拮抗药 盐酸乌拉地尔
- 313药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 五、α受体拮抗药 甲磺酸多沙唑嗪
- 308药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 五、α受体拮抗药 甲磺酸酚妥拉明
- 280药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 二、血管紧张素Ⅱ受体拮抗药 缬沙坦
- 279药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 二、血管紧张素Ⅱ受体拮抗药 氯沙坦钾
- 281药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 二、血管紧张素Ⅱ受体拮抗药 厄贝沙坦
- 282药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 二、血管紧张素Ⅱ受体拮抗药 替米沙坦
- 285药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 二、血管紧张素Ⅱ受体拮抗药 依普沙坦
- 空气和废气监测分析方法 7.3.3-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第三章 环境受体样品采集 三 滤膜选择
- 284药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 二、血管紧张素Ⅱ受体拮抗药 奥美沙坦酯
- 283药典 化学药和生物制品卷-2010 第四章 心血管系统用药 第三节 抗高血压药 二、血管紧张素Ⅱ受体拮抗药 坎地沙坦酯
- 空气和废气监测分析方法 7.3.1-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第三章 环境受体样品采集 一 点位布设原则
- 空气和废气监测分析方法 7.3.2-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第三章 环境受体样品采集 二 采样仪器选择
- 空气和废气监测分析方法 7.1.2-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第一章 化学质量平衡（CMB）受体模型基本理论 二 二重源解析技术基本原理
- 空气和废气监测分析方法 7.3.5-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第三章 环境受体样品采集 五 样品保存和运输
- 空气和废气监测分析方法 7.5.2-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第五章 颗粒物成分谱的建立 二 受体成分谱的建立
- 空气和废气监测分析方法 7.2.4-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第二章 大气颗粒物排放源样品采集 四 源样品处理方法
- 空气和废气监测分析方法 7.5.3-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第五章 颗粒物成分谱的建立 三 源和受体化学组成范围
- 空气和废气监测分析方法 7.6.3-2003 第七篇 化学质量平衡（CMB）受体模型及其在环境空气颗粒物源解析中的应用 第六章 NKCMB软件使用方法 三 模型新增功能-穷举法
行业标准-商品检验，关于受体 四型的标准
- SN/T 2664-2010 蜂王浆中四环素类抗生素残留量测定方法 放射受体分析法
- SN/T 2309-2009 进出口乳及乳制品中四环素类药物残留检测方法 放射受体分析法
美国机动车工程师协会，关于受体 四型的标准
- SAE AS4136B-2013 非扩口简化型体,标准和减径管四通
- SAE AS22759/91A-2006 电线，聚四氟乙烯/聚酰亚胺绝缘，轻型，镀银，铜导体，200°C，600 伏
- SAE AS22759/18-2001 600 V和150℃镀锡铜导体轻型挤压式四氟乙烯含氟聚合物绝缘电线
- SAE AS22759/15-2001 600 V 镀银高强度铜合金导体轻型四氟乙烯-聚氟乙烯2含氟聚合物绝缘电线
- SAE AS22759/19-2001 600 V和150℃镀银高强度铜合金导体轻型挤压式四氟乙烯含氟聚合物绝缘电线
国家质量监督检验检疫总局，关于受体 四型的标准
- SN/T 4924-2017 进出口食用动物中四环素类药物残留量的测定 放射受体分析法
(美国)海军，关于受体 四型的标准
- NAVY MIL-DTL-24231/5 E-2013 连接器，单根电缆，类型 III，三、四或五导体
日本工业标准调查会，关于受体 四型的标准
- JIS B 8355:1997 液压流体动力.装配型四通电磁操纵阀
- JIS C 60079-2:2008 爆炸性气体环境用电气设备.第2部分: "p"型受压外壳
行业标准-航空，关于受体 四型的标准
- HB 7140-1995 整体硬质合金四齿直柄微型立铣刀 d=2～3mm
- HB 7141-1995 整体硬质合金四齿端刃过中心 直柄微型立铣刀 d=2～3mm
(美国)福特汽车标准，关于受体 四型的标准
- FORD ESB-M4G267-A3-1990 可焊受热膨胀型（中等膨胀）弹性体带状压敏密封剂
- FORD WSS-M4D683-A2-1995 硬度为40 D的受热稳定的乙醚弹性体（TEEE）热塑性聚酯成型料
- FORD ESA-M4D142-A2-2005 浸渍或喷涂式水基聚氨酯胶粘剂型聚四氟乙烯（PTFE）弹性体润滑油
- FORD ESB-M4G267-A-2003 不可焊受热膨胀型（中等膨胀）弹性体带状密封剂***与标准FORD WSS-M99P1111-A一起使用***
- FORD ESB-M4G267-A2-1987 可焊受热膨胀型（中等膨胀）弹性体带状压敏密封剂***与标准FORD WSS-M99P1111-A一起使用***
- FORD WSS-M4D947-B1-2007 汽车内部用25%玻璃纤维增强的冲击改性内部润滑（聚四氟乙烯（PTFE））的受热稳定、着色模塑聚酰胺66成型料***与标准FORD WSS-M99P1111-A一起使用***
- FORD ESA-M4D142-A2-2009 浸渍或喷涂式水基聚氨酯胶粘剂型聚四氟乙烯（PTFE）弹性体润滑剂***与标准FORD WSS-M99P1111-A一起使用***
美国国防后勤局，关于受体 四型的标准
- DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 硅单片四重虚拟开关,氧化物半导体微型电路
- DLA SMD-5962-89775-1991 硅单片,四重PNP晶体管阵列,高速线性微型电路
- DLA SMD-5962-89776 REV B-2007 硅单片,四重NPN晶体管阵列,高速线性微型电路
- DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 硅单块 操作增强器,四列微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
- DLA SMD-5962-97588 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,四路2输入正或门,单块硅
- DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 硅单片,四重双极结型场效应晶体管,运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 硅单片四重D锁存器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89669 REV A-2001 硅单片,四重单刀单掷结型场效应晶体管模拟开关,线性微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/599 D VALID NOTICE 1-2008 半导体器件，四通道，场效应晶体管，P 沟道，硅型 2N7335 JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
- DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 硅单片四重2输入及栅,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 双极晶体管四倍2输入阳性硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 硅单片,结型场效应晶体管四重高速准确运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-89552 REV A-1997 硅单片四方D型触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 微电路.单片硅晶体管-晶体管逻辑(TTL)兼容数字双极型四总线缓冲门
- DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 硅单片,四重双向转换开关,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91627 REV A-2004 硅单块 四列二输入是非驱动器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-90731 REV E-2004 硅单块 单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体四列,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-93253 REV C-2002 硅单片,装有三态输出的四重缓冲器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/559 J-2007 JAN,JANTX,JANTXV和JANS 2N6989,2N6989U和2N6990型四个晶体管阵列转换式硅NPN单元化的半导体装置
- DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 硅单片四重三态R/S锁存器氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89652-1990 硅单片,四冲双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/739-2006 场效应抗辐射半导体装置(总剂量和单粒子效应),N型通道和P型通道硅四晶体管,类型2N7518和2N7518U,JANTXVR,F和JANSR,F
- DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 硅单片,四重2输入与非门,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 硅单片,四重单刀双投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93182 REV D-2004 硅单片,轨到轨四重运算扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-93255 REV A-2002 硅单片,四重单刀单投模拟开关,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-90687 REV C-2004 硅单片,TTL可兼容输入,四重2输入异或门,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/168 K-2011 半导体器件、晶闸管（受控整流器）、硅、类型 2N1771A、2N1772A、2N1774A、2N1776A、2N1777A、2N1778A 和 2N2619A、JAN、JANTX 和 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/558 J-2013 半导体器件，一体化，PNP，硅，开关，四晶体管阵列，类型 2N6987、2N6987U 和 2N6988，JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANSM、JANSD、JANSP、JANSL、JANSR、JANSF、JANSG 和 JANSH
- DLA SMD-5962-88758-1991 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 硅单片,双重四重电流反馈扬声器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-86716 REV D-2003 硅单块 高速四角形单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体直线型微型电路
- DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 硅单块 单一或双或四列操作增强器,结型场效应晶体管低功率,直线式微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/739 A-2013 半导体器件，场效应抗辐射四晶体管，N 沟道和 P 沟道，硅，类型 2N7518 和 2N7518U，JANTXVR，F 和 JANSR，F
- DLA SMD-5962-91716-1994 硅单块 带匹配横向传播延误的四倍D型缓冲器,钟驱动器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-89693 REV B-1999 硅单片,TTL可兼容输入,四重D型双稳态多谐振荡器触发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86825 REV B-2003 硅单块 带三态输出的四方D型止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92093 REV C-2005 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,四列直线式微型电路
- DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重互补金属氧化物半导体线路激励器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-91661-1993 硅单块 四倍三向总线接收器,小功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87614 REV G-2007 硅单块 四列二输入或门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87615 REV E-2007 硅单块 四列二输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86702 REV A-2002 硅单块四绕组自记器,电晶体逻辑线路肖脱基低功率数字微型电路
- DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008 型号为2N7334,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC,JANKCA2N7334以及JANHCA2N7334的硅晶体场效应半导体设备,带N个通道具四个三极管
- DLA SMD-5962-87549 REV F-2007 硅单块 四列二输入是非门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87612 REV E-2007 硅单块 四列二输入非与门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91639 REV C-2005 硅单块 互补金属氧化物半导体四列差异总线驱动器,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-91640 REV C-2005 硅单块 互补金属氧化物半导体四列差异总线驱动器,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89483 REV D-1996 硅单片四方通用滤波器数据块互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-77047 REV G-2005 硅单片二进制-四分之一译码器/信号分离器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77048 REV F-2005 硅单片二进制-四分之一译码器/信号分离器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 硅单片,四重串联接口8位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90969 REV B-2007 硅单块 第功率电压比较器,四列互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95781 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2门自动记录器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-77046 REV F-2005 硅单片装有施米特触发器与非门四重2输入氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95537 REV A-2001 双极的先进晶体管,四倍的D类双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95654 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入排外的硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89550 REV E-2003 硅单片四方2输入独占或通道互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-94750-1995 互补金属氧化物半导体串联存取受控网络,和并串联转换器晶体管兼容输出硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重4输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入排外晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88759 REV A-2001 硅单片TTL兼容输入四方D型触发器与三态输出高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 数字反射高速互补金属氧化物半导体,四重2输入与非晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-86871 REV D-2006 硅单块 四倍2输入正面非与缓冲器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重四步二元计数器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入多路器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87753-1988 硅单片双抛四刀类比多工器/解多工器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-95724 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95783 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95814 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重 2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92236 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95650 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95651 REV C-2000 数字反射先进互补金属氧化物半导体,四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96538 REV C-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体四重2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95690 REV F-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体四重低噪音运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88703 REV B-2000 硅单片四方2输入多工器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 硅单片TTL兼容输入四方2输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 硅单片TTL兼容输入四方双输入与通道互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-96580 REV B-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重S-R闭锁装置,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95805 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,四重2输入夺路传输硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-19500/241 L-2008 半导体器件，二极管，硅，低泄漏，受控正向电压，类型 1N3595-1、1N3595US、1N3595UR-1、1N3595A-1、1N3595AUS 和 1N3595AUR-1，JAN，JANTX，JANTXV，JANS， JANHC 和 JANKC
- DLA SMD-5962-89701 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有复位键的四重D型双稳态多谐振荡器触发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-87647 REV B-2006 硅单块 四列2输入是非门,开路漏极输出,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95603 REV C-2003 互补金属氧化物半导体,精密双重或四重微功率运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90651 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的四重缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88556 REV A-2005 硅单片双杆四号定位类比多工器/解多工器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,四重2输入与非施密特触发器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92206-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,8输入多路复用器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92212 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,双重双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92229 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的九位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92230 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的八位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91604 REV A-2006 硅单块 带三态输出的四列2输入多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89678 REV A-2001 硅单片,装有记忆装置的四重8位多路复用数字模拟转变器,氧化物半导体线性微型电路
- DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,非同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95726 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非施密特触发器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95782 REV E-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入双稳态多谐振荡器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95803 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相四重三状态输入缓冲器硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-19500/740 (1)-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）四晶体管，N 沟道和 P 沟道，硅类型 2N7521U、2N7522U、2N7525 和 2N7526，JANTXVR 和 F 以及 JANSR 和 F
印度尼西亚标准，关于受体 四型的标准
- SNI IEC 60079-2:2009 爆炸性气体环境. 第2部分:“p”型受压外壳的设备防护
德国标准化学会，关于受体 四型的标准
- DIN EN 60079-2:2008 爆炸性气体环境.第2部分:"p"型受压外壳的设备防护
- PAS 1058-2005 人员和工作介绍企业的质量管理体系要求. 四阶段模型Q-PAV
- DIN EN 60079-2:2015 爆炸性气体环境.第2部分:"p"型受压外壳的设备防护(IEC 60079-2-2014);德文版本EN 60079-2-2014
SAE - SAE International，关于受体 四型的标准
- SAE AMS-P-25732A-2003 包装 预成型 石油液压流体耐受性 275°F（135°C）有限服务
- SAE AS1722A-2003 HOSE 聚四氟乙烯（TFE）轻型耐高温高压（3000 PSIG）具有整体防火功能
- SAE AMS-P-83461/1B-2011 填料 预成型 石油液压流体耐受性能改进在 275°F（135°C）尺寸和公差
法国标准化协会，关于受体 四型的标准
- NF E48-402*NF ISO 7789:2017 液压流体动力 二通、三通和四通螺纹插装阀 型腔
行业标准-电子，关于受体 四型的标准
- SJ 50597/63-2006 半导体集成电路 JF124、JF124A 型四运算放大器详细规范
- SJ 50597/19-1994 半导体集成电路.JT54LS136型LS-TTL四异或门(OC)详细规范
- SJ 50597/26-1994 半导体集成电路.JF14573型CMOS四程控运算放大器详细规范
- SJ 20283-1993 半导体集成电路JT54LS130和JT54LS126型LS-TTL四缓冲器（3S）详细规范
- SJ 50597.1-1994 半导体集成电路JT54LS85型LS-TTL四位数值比较器详细规范
- SJ 50597/18-1994 半导体集成电路.JT54LS33型LS-TTL四2输入或非门(OC)详细规范
- SJ/T 10821-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CH2007型HTL四反相器
- SJ/T 10074-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CJ 75188型四线驱动器
- SJ/T 10042-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路.CT54LS00/CT74LS00型四2输入与非门
- SJ/T 10824-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CH2010型HTL四2输入与非门
- SJ 20162-1992 半导体集成电路JT54LS283型LS-TTL四位二进制超前进位全加器详细规范
- SJ/T 10040-1991 电子元器件详细规范.半导体集成电路CC4019型CMOS四2选1数据选择器
- SJ/T 10251-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CB1495型四象限模拟乘法器详细规范
- SJ/T 10842-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CE10104型ECL四2输入与门（可供认证用）
- SJ/T 10808-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1000型TTL四2输入与非门（可供认证用）
- SJ/T 10809-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1002型TTL四2输入与非门（可供认证用）
- SJ/T 10811-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT1008型TTL四2输入与非门（可供认证用）
- SJ/T 10841-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CE10102型ECL四2输入或非门（可供认证用）
- SJ/T 10840-1996 电子元器件详细规范 半导体集成电路CE10101型ECL四2输入或/或非门（可供认证用）
英国标准学会，关于受体 四型的标准
- BS PD CEN/TS 17458:2020 环境空气 颗粒物受体导向源分配模型应用性能评估方法
ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc.，关于受体 四型的标准
- ASHRAE 3739-1994 通过使用具有受控皮肤表面温度的热人体模型评估热环境
国家质检总局，关于受体 四型的标准
- GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
美国通用公司（全球），关于受体 四型的标准
- GMW 14294-2012 弹性体型材对过渡涂层（保护蜡）去除剂的耐受性的测定第 2 期
CZ-CSN，关于受体 四型的标准
- CSN 13 7411 Zb-1990 捷克国家标准13 7411小型气体管道，带螺纹连接和四角钥匙
- CSN 13 7410 Zb-1990 捷克国家标准13 7410小型气体管道零件．煤气开关带四角钥匙
工业和信息化部，关于受体 四型的标准
- YD/T 2966-2015 通信电缆 聚四氟乙烯绝缘射频同轴电缆 皱纹铜管外导体型
- YD/T 2967-2015 通信电缆 聚四氟乙烯绝缘射频同轴电缆 微孔绝缘双层外导体型
- YD/T 3716-2020 通信电缆 聚四氟乙烯绝缘射频同轴电缆 藕芯绝缘编织浸锡外导体型
- YD/T 3392-2018 通信电缆 聚四氟乙烯绝缘射频同轴电缆实心绝缘镀银铜带绕包编织外导体型
AR-IRAM，关于受体 四型的标准
- IRAM 10 506-1961 过筛后IRAM4．8mm(四号)型土壤样本的湿度，吸水性及具体种类的测定方式
(美国)空军，关于受体 四型的标准
- AIR FORCE QPL-25732-18 (3)-2006 包装,预成型的,耐腐蚀的石油压缩液体,275华氏温度(135摄氏度)下受限维修
- AIR FORCE QPL-25732-18-2003 包装,预成型的,耐腐蚀的石油压缩液体,275华氏温度(135摄氏度)下受限维修
JP-JEITA，关于受体 四型的标准
- JEITA ET7501-105-2006 表面安装装置用地面类型设计指南(四个方向带有J字头的晶片载体)
美国阀门及配件工业制造商标准化协会，关于受体 四型的标准
- MSS SP-149-2015 用于自来水厂阀门的预成型弹性体和聚四氟乙烯（PTFE）V 形环填料套件
MSS - Manufacturers Standardization Society of the Valve and Fittings Industry.，关于受体 四型的标准
- SP-149-2018 用于自来水厂阀门的预成型弹性体和聚四氟乙烯（PTFE）V 形环填料套件
- SP-149-2015 用于自来水厂阀门的预成型弹性体和聚四氟乙烯（PTFE）V 形环填料套件
国际电工委员会，关于受体 四型的标准
- IEC 61196-8-2:2012 同轴通信电缆.第8-2部分:带固体聚四氟乙烯(PTFE)绝缘层的50-047型半柔性电缆用详细规格
- IEC 61196-8-5:2012 同轴通信电缆.第8-5部分:带固体聚四氟乙烯(PTFE)绝缘层的50-250型半柔性电缆用详细规格
- IEC 61196-8-3:2012 同轴通信电缆.第8-3部分:带固体聚四氟乙烯(PTFE)绝缘层的50-086型半柔性电缆用详细规格
- IEC 61196-8-9:2012 同轴通信电缆.第8-9部分:带固体聚四氟乙烯(PTFE)绝缘层的75-250型半柔性电缆用详细规格
- IEC 61196-8-6:2012 同轴通信电缆.第8-6部分:带固体聚四氟乙烯(PTFE)绝缘层的75-047型半柔性电缆用详细规格
- IEC 61196-8-4:2012 同轴通信电缆.第8-4部分:带固体聚四氟乙烯(PTFE)绝缘层的50-141型半柔性电缆用详细规格
- IEC 61196-8-7:2012 同轴通信电缆.第8-7部分:带固体聚四氟乙烯(PTFE)绝缘层的75-086型半柔性电缆用详细规格
- IEC 61196-8-8:2012 同轴通信电缆.第8-8部分:带固体聚四氟乙烯(PTFE)绝缘层的75-141型半柔性电缆用详细规格
