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硅片 吸收峰

本专题涉及硅片 吸收峰的标准有396条。

国际标准分类中，硅片 吸收峰涉及到绝缘流体、半导体材料、分析化学、铁合金、光学设备、集成电路、微电子学、医疗设备、金属材料试验、无线通信、耐火材料、有色金属、化工产品、建筑材料、黑色金属、半导体分立器件、水质、橡胶和塑料用原料、核能工程、粉末冶金、音频、视频和视听工程、移动业务、金属矿、电学、磁学、电和磁的测量、辐射测量、非金属矿、无机化学、陶瓷、纸和纸板、燃料、微生物学。

在中国标准分类中，硅片 吸收峰涉及到金属无损检验方法、、半金属与半导体材料综合、钢铁与铁合金分析方法、轻金属及其合金分析方法、半金属及半导体材料分析方法、微电路综合、半导体集成电路、电工用钢、广播、电视发送与接收设备、金属物理性能试验方法、硅质耐火材料、炭黑、医疗设备通用要求、一般有机化工原料、元素半导体材料、冶金辅助原料矿、砌体结构工程、轻金属及其合金、重金属及其合金、半导体分立器件综合、重金属及其合金分析方法、水环境有毒害物质分析方法、核材料、核燃料综合、基础标准和通用方法、活塞式内燃机与其它动力设备综合、电子技术专用材料、粉末冶金分析方法、数字显示仪表、铬矿、半金属、墙体材料、商业、贸易、合同、核反应堆与核电厂核岛设备、建材原料矿、电磁兼容、计算机应用、无机盐、石油产品综合、混合集成电路、石墨材料、金属理化性能试验方法综合、造纸综合、耐火材料综合、航空与航天用金属铸锻材料、日用玻璃、陶瓷、搪瓷、塑料制品综合、燃料油、实验室用玻璃、陶瓷、塑料器皿、陶瓷、玻璃综合。

国家质检总局，关于硅片 吸收峰的标准

• GB/T 14143-1993 300-900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
• GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
• GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
• GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法
• GB/T 16555.1-1996 碳化硅耐火材料化学分析方法 吸收重量法测定碳化硅量
• GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
• GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
• GB/T 4700.5-1998 硅钙合金化学分析方法 红外线吸收法测定碳量
• GB/T 32573-2016 硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法
• GB/T 24579-2009 酸浸取.原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
• GB/T 4699.4-2008 铬铁和硅铬合金.碳含量的测定.红外线吸收法和重量法
• GB/T 14849.6-2014 工业硅化学分析方法 第6部分:碳含量的测定 红外吸收法
• GB/T 14849.8-2015 工业硅化学分析方法 第8部分:铜含量的测定 原子吸收光谱法
• GB/T 14506.15-1993 硅酸盐岩石化学分析方法 火焰原子吸收分光光度法测定锂量
• GB/T 14506.16-1993 硅酸盐岩石化学分析方法 火焰原子吸收分光光度法测定铷量
• GB/T 14506.17-1993 硅酸盐岩石化学分析方法 火焰原子吸收分光光度法测定锶量
• GB/T 4699.6-2008 铬铁和硅铬合金.硫含量的测定.红外线吸收法和燃烧中和滴定法
• GB/T 19421.11-2003 层状结晶二硅酸钠试验方法 原子吸收分光光度法测定氧化钙含量
• GB/T 19421.12-2003 层状结晶二硅酸钠试验方法 原子吸收分光光度法测定氧化镁含量
• GB/T 4700.7-1998 硅钙合金化学分析方法 红外线吸收法和燃烧碘酸钾滴定法测定硫量
• GB/T 6901.10-2004 硅质耐火材料化学分析方法 第10部分;火焰原子吸收光谱法测定氧化锰量
• GB/T 4333.4-2007 硅铁 铝含量的测定 铬天青S分光光度法 EDTA滴定法和火焰原子吸收光谱法
• GB/T 5686.7-2008 锰铁、锰硅合金、氮化锰铁和金属锰.硫含量的测定.红外线吸收法和燃烧中和滴定法
• GB/T 6901.8-2004 硅质耐火材料化学分析方法 第8部分;火焰原子吸收光谱法测定氧化钙、氧化镁量
• GB/T 6901.9-2004 硅质耐火材料化学分析方法 第9部分;火焰原子吸收光谱法测定氧化钾、氧化钠量
• GB/T 5686.7-2022 锰铁、锰硅合金、氮化锰铁和金属锰 硫含量的测定红外线吸收法和燃烧中和滴定法

中国团体标准，关于硅片 吸收峰的标准

• T/CNIA 0174-2022 硅片切割废料回收硅
• T/CSTM 00061-2018 镍合金 硅含量的测定 火焰原子吸收光谱法
• T/CSTM 00254-2020 聚碳硅烷裂解产物氧含量的测定 脉冲加热惰气熔融-红外线吸收法

行业标准-有色金属，关于硅片 吸收峰的标准

• YS/T 985-2014 硅抛光回收片

英国标准学会，关于硅片 吸收峰的标准

• 13/30276628 DC BS EN 62704-3 确定峰值空间平均比吸收率
• 13/30276624 DC BS EN 62704-1 确定峰值空间平均比吸收率的推荐做法
• 18/30347288 DC BS EN IEC/IEEE 62704-4 确定峰值空间平均比吸收率的推荐做法
• 20/30377825 DC BS ISO 23364 光学和光子学 体吸收滤光片
• BS EN 772-21:2011 砌块的试验方法.粘土和硅酸钙圬工单位吸水性(冷水吸收)测定
• BS ISO 17352:2008 硬金属.使用石墨炉原子吸收法测定钴金属粉末中的硅
• BS IEC/IEEE 62704-4:2020 从30MHz到6GHz的无线通信设备确定人体内的峰值空间平均比吸收率（SAR） SAR计算中使用有限元方法的一般要求

CZ-CSN，关于硅片 吸收峰的标准

• CSN 72 7021-1971 测定吸收硅藻土产品
• CSN ISO 5997:1993 铬矿石及其精砂．硅含量测定．分子吸收分光光度法及重量分析法

未注明发布机构，关于硅片 吸收峰的标准

• ASTM RR-D11-1109 2012 D6854-硅油吸收值（OAN）的测试方法
• DIN ISO 23364 E:2022-05 光学和光子学 体吸收滤光片
• IEEE Std 1528-2020 IEEE 推荐的从无线通信设备中确定人体头部空间平均比吸收率（SAR）峰值的做法：测量技术
• DIN 51083-8:1997 陶瓷材料的试验 铝硅酸盐的化学分析 第8部分：用原子吸收光谱法测定氧化镁
• DIN ISO 10478 E:2015-05 石油产品 中间燃份油中的铝和硅的测定 感应耦合等离子发射和原子吸收光谱法

美国材料与试验协会，关于硅片 吸收峰的标准

• ASTM D6854-15 硅石油吸收值的标准试验方法
• ASTM D6854-15a 二氧化硅的标准试验方法. 油吸收值 (OAN)
• ASTM D6854-03 硅石的标准试验方法.正邻苯二甲酸二吸收值
• ASTM D6854-03(2008) 硅石的标准试验方法-n-邻苯二甲酸二吸收值
• ASTM D3733-93(1998) 通过原子吸收法测定有机硅聚合物和有机硅改性醇酸树脂中硅含量的标准测试方法
• ASTM D6854-12 硅石->n-二丁基邻苯二甲酸盐吸收数的标准试验方法
• ASTM UOP787-78 通过原子吸收分光光度法测定石油馏出物中的有机硅
• ASTM F1619-95(2000) 以布鲁斯特角入射的p偏振辐射通过红外吸收光谱法测量硅片间隙氧含量的标准试验方法
• ASTM F1188-00 红外线吸收法测定硅中填隙原子氧含量的标准试验方法
• ASTM D1993-03(2013)e1 采用多点BET氮吸收法测定析出的硅表面面积的标准试验方法
• ASTM D6129-97(2021) 原子吸收光谱法测定发动机冷却剂浓缩物中硅的标准试验方法
• ASTM D6129-97(2015) 原子吸收光谱法测定发动机冷却剂浓缩物中硅的标准试验方法
• ASTM D6129-97 通过原子吸收光谱术对发动机冷却剂浓缩物中硅的标准试验方法
• ASTM D6129-97(2002) 通过原子吸收光谱术对发动机冷却剂浓缩物中硅的标准试验方法
• ASTM D6129-97(2007) 通过原子吸收光谱术对发动机冷却剂浓缩物中硅的标准试验方法
• ASTM D4517-04 用无焰原子吸收光谱法测量高纯度水中低量硅总量的标准试验方法
• ASTM F1724-96 用酸性萃取原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属杂质的标准试验方法
• ASTM D4517-85(1999) 使用无火焰原子吸收光谱法测定高纯度水中的低量硅总量的标准试验方法
• ASTM D4517-15(2023) 用无火焰原子吸收光谱法测定高纯水中低水平总二氧化硅的标准试验方法
• ASTM D4517-15 使用无火焰原子吸收光谱法对高纯水进行低水平全硅测定的标准试验方法
• ASTM D4198-82(2003) 细菌分析和生长用的和膜过滤器一起使用的吸收性垫片的评价方法
• ASTM D4517-04(2009) 通过无焰原子吸收光谱法测定高纯度水中低水平总二氧化硅的标准测试方法

SCC，关于硅片 吸收峰的标准

• SPC GB/T 4333.10-2019 硅铁 碳含量的测定 红外吸收法
• 10/30215389 DC BS EN 772-21 砌体试验方法 第21部分：通过冷水吸收法测定粘土和硅酸钙砌体的吸水率
• ANS 8.5-1986 硼硅酸盐玻璃拉西环作为裂变材料溶液中的中子吸收剂的用途
• ANS 8.5-1996(R2022) 硼硅酸盐玻璃拉西环作为裂变材料溶液中的中子吸收剂的用途
• 06/30144299 DC ISO 17352 硬质合金 用石墨炉原子吸收法测定钴金属粉末中的硅含量
• BS IEC /IEEE 62704-4:2020 确定无线通信设备在人体中的峰值空间平均比吸收率 (SAR) 30 MHz 至 6 GHz 使用有限元法进行 SAR 计算的一般要求

美国国防后勤局，关于硅片 吸收峰的标准

• DLA DSCC-DWG-V62/13608-2013 微电路、线性、单通道高速、低侧栅极驱动器（带 4-A 峰值拉电流和 8-A 峰值灌电流），单片硅
• DLA SMD-5962-87522 REV C-2011 微电路，线性，双线接收器，单片硅
• DLA SMD-5962-87522 REV D-2011 微电路，线性，双线接收器，单片硅
• DLA SMD-5962-88511 REV B-2005 硅单片差分线收发器线性微电路
• DLA SMD-5962-88644 REV E-2003 硅单片驱动器接收器数字微电路
• DLA SMD-5962-87502 REV G-2013 微电路，数字，ECL，三线接收器，单片硅
• DLA SMD-5962-88644 REV F-2008 微电路、数字、驱动器-接收器、单片硅
• DLA SMD-5962-89787 REV A-2002 硅单片,双线路接收器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-89830 REV D-2007 硅单片,资料收集系统,线性微型电路
• DLA SMD-5962-88512 REV A-2005 硅单片总线收发器四倍线性微电路
• DLA SMD-5962-87707 REV C-2011 微电路，数字，四路总线收发器，单片硅
• DLA SMD-5962-88511 REV C-2011 微电路、线性、差分线路收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/12613-2012 微电路，线性，差分线路接收器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/12613 REV A-2012 微电路，线性，差分线路接收器，单片硅
• DLA SMD-5962-78009 REV D-2004 硅单片三重线接收器ECL线性微型电路
• DLA SMD-5962-88604 REV B-2007 硅单片双向收发器双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88745 REV B-2004 硅单片双差分线路接收器线性微电路
• DLA SMD-5962-87524 REV C-2011 微电路，线性，线路接收器，双差分，单片硅
• DLA SMD-5962-06202 REV B-2008 微电路，线性，双驱动器和接收器，单片硅
• DLA SMD-5962-96729 REV B-2011 微电路，线性，9 通道差分收发器，单片硅
• DLA SMD-5962-96903 REV C-2011 微电路，线性，双线接收器，TTL 兼容，单片硅
• DLA SMD-5962-80041 REV E-2005 硅单片线驱动器及接收器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-78020 REV U-2007 硅单片四重差速线接收器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-87772-1988 硅单片加法器收发器两极化数字微电路
• DLA DSCC-VID-V62/08614-2008 单片硅9通道差动收发器CMOS数字微电路
• DLA SMD-5962-93194 REV B-2008 单片硅四线差分线路接收器线性微电路
• DLA MIL-M-38510/104 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、线性、线路驱动器和接收器、单片硅
• DLA SMD-5962-05221 REV D-2012 微电路，数字，1.6 至 2.5 GBPS 双向收发器，单片硅
• DLA SMD-5962-86714 REV C-2009 微电路，数字，双极，四路总线收发器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/05604 REV C-2010 微电路，数字线性，3.3 V RS-485 收发器，单片硅
• DLA SMD-5962-87534 REV D-2011 微电路，数字，双极，四路总线收发器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/05614 REV B-2013 微电路、数字线性、高速差分接收器、单片硅
• DLA SMD-5962-89615 REV F-2011 微电路，线性，RS-485 差分总线收发器，单片硅
• DLA SMD-5962-97543 REV C-2003 硅单片互补金属氧化物半导体,八角母线三状态接收器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95541-1995 公断无线电收发机硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 硅单片双极十六进制NTDS接收器线性微电路
• DLA SMD-5962-90528 REV C-2006 硅单片,透明异步接收器接口,数字微型电路
• DLA SMD-5962-88751 REV C-2007 硅单片三倍RS-232驱动器/接收器线性微电路
• DLA SMD-5962-96729 REV A-2000 微分无线电收发器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96893 REV B-2003 9通道差动接收器硅单片电路记忆微电路
• DLA SMD-5962-92317 REV F-2009 微电路、数字、CMOS、八进制 PI 总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-92317 REV G-2010 微电路、数字、Bi-CMOS、八进制 PI-Bus 收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-92343 REV C-2010 微电路、数字、ECL、五重差分线路接收器、单片硅
• DLA SMD-5962-89532 REV D-2012 微电路、数字、CMOS、双异步接收器/发射器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/12607 REV A-2012 微电路，数字，9 通道 RS-422/RS-485 收发器，单片硅
• DLA SMD-5962-86868 REV C-2011 微电路、数字、双极、八进制总线收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/104 C VALID NOTICE 1-2008 单硅片线性微电路,带线路驱动器及接收器
• DLA SMD-5962-78023 REV R-2001 硅单片四重高速差速线接收器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-89615 REV E-2001 硅单片,RS-485型差动总线收发器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-94565 REV B-2005 硅单片,RS-232双重驱动器/接收器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-89680 REV C-2005 硅单片,总线收发器八位总接口,线性微型电路
• DLA SMD-5962-89681 REV D-2006 硅单片,总线收发器八位总接口,线性微型电路
• DLA SMD-5962-95631 REV F-2007 反射差量线路接收器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95540-1995 数字的无线电收发机硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90513-1990 硅单片,奇偶位总线收发器,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-93226 REV H-2006 硅单片,双信道总线收发器,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-88654 REV A-2008 微电路、数字、快速 CMOS、八进制、双向收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-07248-2008 微电路、数字线性、四路、差分线路接收器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/09611-2009 微电路、数字、控制器区域网络（CAN）收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/09646-2010 微电路，线性，故障安全，RS-485/RS-422 收发器，单片硅
• DLA SMD-5962-95689 REV J-2012 微电路，线性，抗辐射，线路接收器，四差分单片硅
• DLA SMD-5962-95689 REV K-2013 微电路，线性，抗辐射，线路接收器，四差分单片硅
• DLA SMD-5962-94773-1995 9-BIT晶体管数据收发器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90545-1992 硅单片,六位转移器/接收器/驱动器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-96723 REV C-2003 抗辐射三重线路接收机硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96903 REV B-2004 双行接收器晶体管兼容硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-90766 REV E-2013 微型电路，线性，RS-485，四路差分线路接收器，单片硅
• DLA SMD-5962-95518 REV C-2010 微电路，数字，CMOS，ARINC 429 多通道接收器/发射器，单片硅
• DLA SMD-5962-84161 REV B-2009 微电路，数字，低功耗肖特基 TTL，总线收发器，单片硅
• DLA MIL-M-38510/441A VALID NOTICE 2-2001 微电路，数字，低功耗肖特基 TTL，总线收发器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04737 REV A-2011 微电路、数字、八路总线收发器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04738 REV A-2011 微电路、数字、八路总线收发器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-95631 REV G-2013 微电路、线性、抗辐射、四路差分线路接收器、单片硅
• DLA SMD-5962-95631 REV H-2013 微电路、线性、抗辐射、四路差分线路接收器、单片硅
• DLA SMD-5962-06207 REV A-2006 硅单片3伏特RS-232型光收发器线性数字微型电路
• DLA SMD-5962-90628 REV B-2005 硅单片,梯形波形接口的总线收发器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-90629 REV B-2005 硅单片,梯形波形接口的总线收发器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-96772 REV B-2003 1394-1995底板接收器或判优器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96772 REV C-2013 微型电路，线性，5 V，1394-1995 背板收发器/仲裁器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04612 REV A-2010 微电路，数字，IEEE 1394b 三端口电缆收发器/仲裁器，单片硅
• DLA SMD-5962-87595 REV C-2009 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，总线收发器，单片硅
• DLA SMD-5962-88707 REV D-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、PI-BUS 收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-90545 REV A-2009 微电路，线性，十六进制转换器/接收器/驱动器，单片硅
• DLA SMD-5962-89558 REV A-2005 硅单片肖特基TTL促进接收器/调节器双极数字微电路
• DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 硅单片,RS232型双重收发器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-88707 REV C-1992 硅单片PI总线收发器肖特基TTL促进双极数字微电路
• DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 硅单片,差动总线收发器,氧化物半导体线性微型电路
• DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96508-1995 低功率调频信息收集器系统硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96741 REV A-2005 单相频道驱动接收器数字的硅单片电路混合微电路
• DLA SMD-5962-95689 REV H-2007 抗辐射四重微分线路接收器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95689 REV G-2007 抗辐射四重微分线路接收器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-98652 REV F-2010 微电路，线性，线路接收器，差分，四通道，LVDS，低电压，单片硅
• DLA SMD-5962-89558 REV B-2012 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、收发器/寄存器、单片硅
• DLA SMD-5962-79017-1979 硅单片通用异步接收器/发送器,氧化物半导体微型电路
• DLA SMD-5962-84013 REV F-2005 硅单片收发器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-84161 REV A-2003 硅单片总线收发器,TTL肖脱基高级小功率数字微型电路
• DLA SMD-5962-93125 REV C-2005 硅单片,1394-1995三重电缆收发器/辨别器,线性数字微型电路
• DLA SMD-5962-89447 REV F-2007 硅单片15伏驱动器-通常偏高接收器双渠道混合微电路
• DLA SMD-5962-89553 REV B-2012 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、八路总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-89754 REV B-2004 硅单片,收发器/寄存器,改进型肖特基TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-94710-1994 整体不同步接收器或传播器(夸脱)硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-95542-1995 9-BIT闭塞装置数据无线电收发机硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 硅单片双极四方十六进制NTDS快速/重新接收器线性微电路
• DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 硅单片,通用异步接收发送器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89553 REV A-2005 硅单片八进制总线收发器肖特基TTL促进双极数字微电路
• DLA SMD-5962-89555 REV B-1992 硅单片八进制调节收发器肖特基TTL促进双极数字微电路
• DLA SMD-5962-97516 REV B-2006 三重3输入阳性与门收集器输出硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-89555 REV C-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基、TTL、八进制寄存收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/06623-2006 数字线性微电路3V到5V多通道RS-232线驱动器/接收器单片硅
• DLA SMD-5962-84030 REV E-2005 硅单片总线接收器,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-02507 REV A-2003 单片硅数字微电路低压CMOS16位收发器与总线控制和三态输出
• DLA SMD-5962-96771 REV A-2004 1394-1995三重电缆接收器或判优器硅单片电路数字线型微电路
• DLA SMD-5962-96818 REV B-2010 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04760 REV A-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-92177 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 位双向收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/348 C-2004 高级肖特基TTL数字双极微电路,带三态输出总线收发器,单片硅
• DLA SMD-5962-84090 REV D-2005 硅单片双重三态双向收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-80021 REV J-2005 硅单片三态输出的总线收发器,肖脱基小功率TTL数字微型电路
• DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 硅单片,八位并行互连总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88653-1989 硅单片缓冲收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 硅单片总线收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-97543 REV D-2010 微电路、数字、低压 CMOS、具有三态输出的八进制总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-88737 REV C-2008 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基、TTL、八路总线收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 高级双极CMOS电子微电路带三态输出的16比特总线收发器单片硅,
• DLA SMD-5962-06232-2006 硅单片SPACEWIRE空间应用网络结构物理层收发器,耐辐射数字微型电路
• DLA SMD-5962-02508 REV C-2007 单片硅数字微电路低压CMOS16位总线收发器与总线控制和三态输出
• DLA SMD-5962-89630 REV A-2001 硅单片,双重氧化物半导体可兼容差动线路接收器,数字微型电路
• DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 硅单片,8位TTL/BTL寄存的收发器,氧化物半导体数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 硅单片,装有三态正向输出的八位总线收发器,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-88566 REV C-1994 硅单片双异步接收器/发送器沟道金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88727 REV C-2008 单片硅八路总线收发器改进的低功率肖特基TTL双极数字微电路
• DLA SMD-5962-78012 REV E-2009 微电路、数字、TTL、低功耗肖特基、八进制缓冲器、驱动器/接收器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-89682 REV C-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制收发器/寄存器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-87629 REV E-2010 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出的同相八路总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-88753 REV C-2011 微电路、数字、双极、高级肖特基、TTL、八路总线收发器和寄存器、单片硅
• DLA SMD-5962-90506 REV B-2012 具有三态同相输出、单片硅的微电路、数字、双极、八进制总线收发器
• DLA SMD-5962-80020 REV F-2005 硅单片三态输出的总线收发器及栅,肖脱基小功率TTL数字微型电路
• DLA SMD-5962-78012 REV D-2003 硅单片驱动器/接收器的八位缓冲器,肖脱基小功率TTL数字微型电路
• DLA SMD-5962-88649 REV E-2005 硅单片四倍差动线路接收器低功率肖特基促进双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-88753 REV B-2005 硅单片八进制总线收发器和寄存器肖特基TTL促进双极数字微电路
• DLA SMD-5962-93195 REV B-1999 硅单片,装有自动校准的12位信息数据收集系统,线性混合微型电路
• DLA SMD-5962-89532 REV C-2006 硅单片双异步接收器/发送器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-94663 REV K-2013 微电路、数字、CMOS、抗辐射、串行微编码多模式智能终端和收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、TTL 兼容、单片硅
• DLA SMD-5962-95620 REV E-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位收发器
• DLA SMD-5962-96890 REV B-2010 微电路、数字、低压 CMOS、18 位 GTL/LVT 通用总线收发器，具有三态输出、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V 16 位总线收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/12615 REV A-2012 微电路、数字、极端温度单端口 10/100 MB/S 以太网物理层收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 硅单片高性能奇偶总线收发器互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-89533-1989 硅单片10位扬声器收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位寄存总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-89740 REV C-2013 微电路、数字、高速 CMOS、八路总线收发器、三态反相、输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/05602 REV A-2011 具有可调输出电压和三态输出的单片硅微电路、数字、八路总线收发器
• DLA SMD-5962-77057 REV G-2005 硅单片驱动器/接收器的八位缓冲器,肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-04211-2004 硅单片三态输出16比特总线收发器高级氧化物半导体的数字微型电路
• DLA SMD-5962-89466-1991 硅单片八进制总线收发器与三态输出肖特基TTL促进双极化数字微电路
• DLA SMD-5962-95717-1995 数字的互补金属氧化物半导体八角母线接收器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-96896-1997 双互补金属氧化物半导体,光学的铜接收器接口硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-85506 REV E-2009 微电路、数字、高速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA SMD-5962-92023 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
• DLA SMD-5962-86834 REV C-2012 微电路、数字、高级肖特基 TTL、具有三态输出的四路同相总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-89956 REV C-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、八路总线收发器和寄存器、单片硅
• DLA SMD-5962-90750 REV B-2012 微电路、数字、双极 CMOS、八路总线收发器，带反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/09602-2008 带正负 15 kV ESD 保护的单片硅微电路、数字、低压高速四重差分线路接收器
• DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89989-1990 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88661-1989 硅单片9位扬声器总线收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
• DLA SMD-5962-88673 REV D-2006 硅单片八进制总线收发器和寄存器低功率肖特基TTL促进双极数字微电路
• DLA SMD-5962-90514 REV B-2012 微电路、数字、双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制总线收发器
• DLA SMD-5962-90870 REV B-2012 微电路、数字、双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制寄存收发器
• DLA SMD-5962-89731-1989 硅单片,TTL可兼容输入,8位同位锁存收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-89956 REV B-2002 硅单片,八位总线收发器及寄存器,改进型低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 硅单片,装有三态输出的8位双向收发器,改进型氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96818 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,八角母线三状态输出接收器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 36 位总线收发器
• DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
• DLA SMD-5962-96819 REV B-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
• DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位寄存收发器
• DLA DSCC-VID-V62/04680 REV A-2010 微电路、数字、低压 CMOS、3.3V ABT 八进制总线收发器和具有三态输出的寄存器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04729 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 扫描测试设备，带 18 位通用总线收发器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04730 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 扫描测试设备，带 18 位通用总线收发器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04731 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 扫描测试设备，带 18 位收发器和寄存器，单片硅
• DLA SMD-5962-92196 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制收发器/寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-98580 REV G-2008 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-98580 REV H-2009 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-98580 REV J-2010 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/05606 REV B-2011 微电路、数字、8 位通用总线收发器和两个带分离 LVTTL 端口、反馈路径和三态输出的 1 位总线收发器，单片硅

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于硅片 吸收峰的标准

• GB/T 4333.10-2019 硅铁 碳含量的测定 红外线吸收法
• GB/T 4333.8-2022 硅铁 钙含量的测定 火焰原子吸收光谱法
• GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
• GB/T 4333.7-2019 硅铁 硫含量的测定 红外线吸收法和色层分离硫酸钡重量法
• GB/T 40561-2021 光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
• GB/T 40566-2021 流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法

国际标准化组织，关于硅片 吸收峰的标准

• ISO 23364:2021 光学和光子学.体吸收滤光片
• ISO 4139:1979 硅铁合金 铝含量的测定 火焰原子吸收光谱法
• ISO 7530-8:1992 镍合金 火焰原子吸收光谱法 第8部分:硅含量测定
• ISO 17352:2008 硬金属.使用石墨炉原子吸收法测定钴金属粉末中的硅
• ISO 5997:1984 铬矿石和铬精矿 硅含量的测定 分子吸收光谱法和重量法
• ISO 10136-1:1993 玻璃和玻璃器皿 萃取溶液的分析 第1部分:用分子吸收光谱法测定二氧化硅
• ISO 10478:1994 石油产品 中间燃份油中的铝和硅的测定 感应耦合等离子发射和原子吸收光谱法

德国标准化学会，关于硅片 吸收峰的标准

• DIN ISO 23364:2022-11 光学和光子学 体吸收滤光片
• DIN 25421:1997 裂变物质溶液硼硅玻璃拉希格圈中子吸收剂的使用
• DIN 50438-1:1995 半导体工艺材料检验.用红外吸收法测量硅的杂质含量.第1部分:氧
• DIN EN 772-21:2011 砌块产品的试验方法.第21部分粘土和硅酸钙砌块吸水性(冷水吸收)的测定;德文版本EN 772-21-2011
• DIN ISO 10478:2016-07 石油产品 燃料油中铝和硅的测定 电感耦合等离子体发射和原子吸收光谱法
• DIN 51083-8:2003 陶瓷材料的试验.铝硅酸盐的化学分析.第8部分:用原子吸收光谱法测定氧化镁

行业标准-黑色冶金，关于硅片 吸收峰的标准

• YB/T 178.6-2008 硅铝合金、硅钡铝合金碳含量的测定 红外线吸收法
• YB/T 178.7-2008 硅铝合金、硅钡铝合金硫含量的测定 红外线吸收法
• YB/T 109.7-2012 硅钡合金 硫含量的测定 红外线吸收法
• YB/T 109.6-2012 硅钡合金 碳含量的测定 红外线吸收法
• YB/T 178.6-2000 硅铝合金、硅钡铝合金化学分析方法.红外线吸收法测定碳含量
• YB/T 109.6-1997 硅钡合金化学分析方法.红外线吸收法测定碳量
• YB/T 109.7-1997 硅钡合金化学分析方法.红外线吸收法测定硫量
• YB/T 5316-2006 硅钙合金化学分析方法 红外线吸收法测定碳量
• YB/T 109.6-2023 硅钡合金分析方法 第6部分：碳含量的测定 红外线吸收法
• YB/T 5317-2016 硅钙合金 硫含量的测定 高频燃烧红外线吸收法和燃烧碘酸钾滴定法
• YB/T 5317-2006 硅钙合金化学分析方法 红外线吸收法和燃烧碘酸钾滴定法测定硫量

行业标准-机械，关于硅片 吸收峰的标准

• JB/Z 169-1981 电工用热轧硅钢片验收技术条件

行业标准-医药，关于硅片 吸收峰的标准

• YY/T 1814-2022 外科植入物 合成不可吸收补片 疝修补补片
• YY/T 1816-2022 外科植入物 合成不可吸收补片 硬脑（脊）膜补片

工业和信息化部，关于硅片 吸收峰的标准

• YB/T 4582.4-2017 氮化硅铁 硫含量的测定 红外线吸收法
• YB/T 4582.10-2017 氮化硅铁 碳含量的测定 红外线吸收法
• YB/T 5316-2016 硅钙合金 碳含量的测定 高频燃烧红外线吸收法
• YB/T 4738-2019 硅钙合金 氧含量的测定 惰性气体熔融红外吸收法
• YB/T 6028-2022 锰铁、锰硅合金、金属锰 镁含量的测定 火焰原子吸收光谱法
• YB/T 6027-2022 锰铁、锰硅合金、金属锰 钙含量的测定 火焰原子吸收光谱法
• YD/T 3552-2019 确定人体内空间平均峰值比吸收率(SAR) 无线通信设备（30MHz～6GHz） 时域有限差分(FDTD)法计算SAR的特殊要求
• YD/T 3553-2019 确定人体内空间平均峰值比吸收率(SAR) 无线通信设备（30MHz～6GHz） 时域有限差分(FDTD)法计算SAR的通用要求
• YS/T 1509.2-2021 硅碳复合负极材料化学分析方法 第2部分：碳含量的测定 高频加热红外吸收法

AENOR，关于硅片 吸收峰的标准

• UNE 35056-1:1983 硅铁 铝含量的测定 火焰原子吸收光谱法

韩国科技标准局，关于硅片 吸收峰的标准

• KS D ISO 4139-2002(2017) 硅铁 - 铝含量的测定 - 火焰原子吸收光谱法
• KS D ISO 15349-1-2005(2015) 非合金钢低碳含量的测定第1部分:电阻炉燃烧后红外吸收法（分峰法）
• KS D ISO 4139:2002 硅铁合金.铝含量的测定.火焰原子吸收光谱测定法
• KS D ISO 7530-8:2012 镍合金.火焰原子吸收光谱分析.第8部分:硅含量测定
• KS D ISO 7530-8-2012(2017) 镍合金火焰原子吸收光谱分析第8部分:硅量的测定
• KS D ISO 7530-8-2012(2022) 镍合金火焰原子吸收光谱分析第8部分:硅含量的测定
• KS E ISO 5997-2001(2016) 铬矿石和精矿 - 硅含量的测定 - 分子吸收光谱法和重量法
• KS D ISO 7530-8-2022 镍合金 火焰原子吸收光谱分析 第8部分：硅含量的测定
• KS E ISO 5997:2001 铬矿石和铬精矿.硅含量的测定.分子吸收光谱法和重量法
• KS E ISO 5997-2001(2021) 铬矿石和铬精矿硅含量的测定分子吸收光谱法和重量法
• KS E ISO 5997-2021 铬矿石及其精矿 ―硅含量的测定 ― 分子吸收光谱法和重量法
• KS L ISO 21587-3-2022 硅铝酸盐耐火制品化学分析第3部分：电感耦合等离子体和原子吸收光谱法
• KS L ISO 21587-3-2012(2017) 硅酸铝耐火制品化学分析方法第3部分:电感耦合等离子体和原子吸收光谱法
• KS L ISO 21587-3-2012(2022) 铝硅酸盐耐火制品的化学分析第3部分:电感耦合等离子体和原子吸收光谱法
• KS M ISO 10478-2003(2018) 在燃料的铝和硅的石油产品的测定油 - 电感耦合等离子体发射和原子吸收光谱法

GSO，关于硅片 吸收峰的标准

• GSO ISO 4139:2013 硅铁 铝含量的测定 火焰原子吸收光谱法
• BH GSO ISO 4139:2016 硅铁 铝含量的测定 火焰原子吸收光谱法
• GSO ISO 17352:2015 固体金属石墨炉原子吸收法测定钴金属粉末中的硅
• BH GSO ISO 17352:2017 硬质合金 石墨炉原子吸收法测定钴金属粉末中的硅
• GSO ISO 7530-8:2016 镍合金火焰原子吸收光谱分析 第8部分：硅含量的测定
• BH GSO ISO 7530-8:2017 镍合金火焰原子吸收光谱分析 第8部分：硅含量的测定
• OS GSO ISO 7530-8:2016 镍合金火焰原子吸收光谱分析 第8部分：硅含量的测定
• GSO ISO 5997:2017 铬矿砂及其精矿硅含量的测定分子吸收光谱法和重量法
• OS GSO ISO 5997:2017 铬矿砂及其精矿硅含量的测定分子吸收光谱法和重量法
• OS GSO ISO 10136-1:2010 玻璃和玻璃器皿 萃取液分析 第1部分：分子吸收光谱法测定二氧化硅
• GSO ISO 10136-1:2010 玻璃和玻璃器皿 萃取溶液的分析 第1部分：分子吸收光谱法测定氧化硅
• BH GSO ISO 10478:2015 石油产品 燃料油中铝和硅的测定 电感耦合等离子体发射和原子吸收光谱法
• OS GSO ISO 10478:2013 石油产品 燃料油中铝和硅的测定 电感耦合等离子体发射和原子吸收光谱法

RO-ASRO，关于硅片 吸收峰的标准

• SR ISO 4139:1995 硅铁．铝含量的测定．火焰的原子吸收光谱法

行业标准-化工，关于硅片 吸收峰的标准

• HG/T 2797.3-1996 硅铝炭黑邻苯二甲酸二丁酯吸收值的测定
• HG/T 2797.3-2007 硅铝炭黑.第3部分:邻苯二甲酸二丁酯吸收值的测定
• HG/T 3072-1999 橡胶配合剂.沉淀水合二氧化硅邻苯二甲酸二丁酯吸收值的测定
• HG/T 3072-2008 橡胶配合剂.沉淀水合二氧化硅邻苯二甲酸二丁酯（DBP）吸收值的测定

河南省标准，关于硅片 吸收峰的标准

• DB41/T 1050-2015 硅铁化学分析方法 红外线吸收法测定硫量

美国国防部标准化文件（含MIL标准），关于硅片 吸收峰的标准

• DOD A-A-51946 A-1987 吸收剂(填密片)薄纱(用以代替.DOD A-A-0051946)

法国标准化协会，关于硅片 吸收峰的标准

• NF T77-152:1987 工业用碱性硅树脂.硅含量的测定(硅含量小于1% (m/m)).原子吸收光谱测定法
• NF A08-341:1987 钢的化学分析.硅含量的测定.火焰原子吸收光谱法
• NF T90-007:2001 水质.可溶性硅酸盐含量的测定.分子吸收分光光谱法
• NF A06-713:2021 铜及其合金化学分析 硅的测定 分子吸收分光光度法
• NF ISO 7530-8:2007 镍合金.火焰原子吸收光谱法分析.第8部分：硅的测定
• NF A10-186:1977 铁合金的化学分析.硅铁合金中铝的测定.原子吸收光谱法
• NF P12-101-21*NF EN 772-21:2011 砌体装置试验方法.第21部分:利用冷水吸收法测定粘土及硅酸钙砌块的吸水性.
• NF A08-908*NF ISO 7530-8:2007 镍合金.火焰原子吸收光谱测定分析法.第8部分:硅含量的测定
• NF T60-155:1984 石油产品.橡胶庥业用石油增塑剂烃类的测定.粘土和硅胶吸收色谱法

行业标准-电子，关于硅片 吸收峰的标准

• SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
• SJ 3199-1989 真空硅铝合金中锌、铅的测定方法.原子吸收分光光度法
• SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
• SJ/T 11856.3-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片

辽宁省标准，关于硅片 吸收峰的标准

• DB21/T 2070-2013 硅酸铝质耐火材料化学分析 原子吸收光谱法

ES-AENOR，关于硅片 吸收峰的标准

• UNE 22-191-1985 装饰板岩．片状和板状．吸收和特定表面重量

VN-TCVN，关于硅片 吸收峰的标准

• TCVN 4156-2009 硅铁合金.铝含量的测定.火焰原子吸收光谱测定法

美国核协会，关于硅片 吸收峰的标准

• ANS 8.5-1996 裂变材料溶液中使用硼硅玻璃拉希环作中子吸收剂
• ANS 8.5-1996(R2002) 硼硅酸盐玻璃拉西环在裂变材料溶液中用作中子吸收剂的用途

RU-GOST R，关于硅片 吸收峰的标准

• GOST R ISO 7530-8-2017 镍合金 火焰原子吸收光谱法 第8部分 硅含量的测定
• GOST 17038.2-1979 电离射线闪烁探测器.根据完全吸收峰或康普顿分布极限对探测器光效率的测量方法

美国国家标准学会，关于硅片 吸收峰的标准

• ANSI/IEEE 1528:2003 人脑对无线通信设备的峰值空间-平均绝对吸收率(SAR)测定的推荐规程:测量技术
• ANSI/ASTM D6129:1998 原子吸收光谱法测定发动机冷却剂浓缩物中硅的方法
• ANSI/ANS 8.5-1996 裂变材料溶液中用作中子吸收剂的硼硅玻璃雷氏环的使用
• ANSI/TAPPI T558 om-2010 使用自动接触角试验仪测试片状材料的表面润湿性能和吸收能力

欧洲标准化委员会，关于硅片 吸收峰的标准

• EN 772-21:2011 砌块产品的试验方法.第21部分粘土和硅酸钙砌块吸水性(冷水吸收)的测定;

YU-JUS，关于硅片 吸收峰的标准

• JUS C.A1.424-1980 铁合金的化学分析方法．原子吸收法测定硅铁中的铝量

PL-PKN，关于硅片 吸收峰的标准

• PN Z04018-03-1991 空气纯度保护．游离结晶硅的含量的试验，通过红外吸收光谱测定工作场所可吸入粉尘中的游离结晶硅
• PN Z02010-16-1987 空气环境用的个人呼吸保护装置．试验方法过滤．吸收嵌片抵抗水雾效作用的测定
• PN Z04018-02-1991 空气纯度保护．游离结晶硅的含量的试验，通过红外吸收光谱测定工作场所总粉尘中的游离结晶硅

日本工业标准调查会，关于硅片 吸收峰的标准

• JIS G 1211-4 AMD 1:2013 钢铁.碳含量的测定.第4部分:带预热或峰隔离的熔炉燃烧后红外吸收法(修改件1)
• JIS G 1211-4 AMD 2:2017 钢铁.碳含量的测定.第4部分:带预热或峰隔离的熔炉燃烧后红外吸收法(修改件2)
• JIS G 1211-4:2011 钢铁.碳含量的测定.第4部分:带有预热或者峰值隔离的熔炉内燃烧后的红外吸收法

美国电气电子工程师学会，关于硅片 吸收峰的标准

• IEEE P1528/D6, March 2013 确定人体头部无线通信设备峰值空间平均比吸收率（SAR）的 IEEE 草案推荐做法：测量技术
• IEEE Std 1528-2003 IEEE 推荐的从无线通信设备中确定人体头部空间平均比吸收率（SAR）峰值的做法：测量技术
• IEEE Std 1528-2013 IEEE 推荐的从无线通信设备确定人体头部空间平均比吸收率（SAR）峰值的做法：测量技术 Redline

行业标准-商品检验，关于硅片 吸收峰的标准

• SN/T 0561-1996 出口天然鳞片石墨中酸溶铁含量.原子吸收测定方法
• SN/T 2413-2010 进出口金属硅中总碳和硫含量测定.高频燃烧红外吸收光谱法
• SN/T 0561-2013 进出口天然鳞片石墨中酸溶铁含量的测定 原子吸收分光光度法

IT-UNI，关于硅片 吸收峰的标准

• UNI 7798-1978 铁合金的化学分析．硅铁中的铝的测定．原子吸收分光光度法

ANS - American Nuclear Society，关于硅片 吸收峰的标准

• 8.5-1986 在裂变材料溶液中使用硼硅酸盐玻璃拉西环作为中子吸收剂
• 8.5-1979 在易裂变材料溶液中使用硼硅酸盐玻璃拉西环作为中子吸收剂
• 8.5-1996 硼硅酸盐玻璃拉西环在裂变材料溶液中用作中子吸收剂的用途

行业标准-邮电通信，关于硅片 吸收峰的标准

• YD/T 4196-2023 确定人体内空间平均峰值比吸收率（SAR） 无线通信设备（30MHz-6GHz） 有限元法（FEM）计算SAR的通用要求

丹麦标准化协会，关于硅片 吸收峰的标准

• DS/EN 772-21:2011 砌体单元的试验方法 第21部分：通过冷水吸收法测定粘土和硅酸钙砌体单元的吸水率

立陶宛标准局，关于硅片 吸收峰的标准

• LST EN 772-21-2011 砌体单元的试验方法 第21部分：通过冷水吸收法测定粘土和硅酸钙砌体单元的吸水率

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于硅片 吸收峰的标准

• IEEE 1528 ERTA-2013 IEEE 推荐实践勘误表，用于确定无线通信设备在人体头部的峰值空间平均比吸收率（SAR）：测量技术

行业标准-航空，关于硅片 吸收峰的标准

• HB 7716.12-2002 钛合金化学成分光谱分析方法.第12部分:火焰原子吸收光谱法.测定硅含量

国际电工委员会，关于硅片 吸收峰的标准

• IEC/IEEE 62704-4-2020 从30 MHz无线通信设备测定人体内的峰值空间平均比吸收率（SAR） 至6ghz 第4部分 SAR计算用有限元法的一般要求
• IEC/IEEE 62704-4:2020 从30 MHz无线通信设备测定人体内的峰值空间平均比吸收率（SAR） 至6ghz 第4部分 SAR计算用有限元法的一般要求

行业标准-石油化工，关于硅片 吸收峰的标准

• SH/T 0706-2001 燃料油中铝和硅含量测定法(电感耦合等离子体发射光谱及原子吸收光谱法)

本站其他标准专题： 硅片 吸收峰，硅片的吸收，硅片表面峰，硅片 峰位，吸收峰 吸收 波长，红外吸收 吸收峰，吸收 光谱 吸收峰，荧光 峰 吸收峰，透射峰 吸收峰，吸附峰 吸收峰，发射峰吸收峰，合峰 吸收峰，吸收峰 透射峰，吸收峰 发射峰，峰 吸收峰 强度，红外峰 吸收峰，吸收峰 荧光峰，吸收峰发射峰，基质 吸收峰，衰减吸收峰。

 

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