共找到 413 条与 电力半导体器件、部件 相关的标准,共 28 页
国际电工委员会电子器件质量评定体系遵循国际电工委员会的章程,在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序,即一个成员国按照符合适用范围要求所放行的电子器件在其他成员国内无需再试验同样为合格。 本空白详细规范是半导体器件-系列空白详细规范的一个,应该和国际电工委员会的如下规范一起使用。 IEC747-10/QC700000(1991)半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范 IEC747-11/QC750100(1985)半导体器件第11部分:分立器件分规范。要求的资料
Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100A
本标准适用于阀器件堆、装置及由工厂组装的整体变流设备的主电路的端子标记、端子标记是针对由半导体阀器件构成的堆、装置及设备的。 注:本标准未考虑辅助电路包括门极端子、非整体装配的变流设备,其部件分开制造,且它们间的连接仅在现场安 装时进行的情况。 对此类设备采用各单独部件的相关标准。 本标准目的在于为在堆、阀器件装置或整体装配的确良变流设备中的主电路外接端子的标记规定一个合平逻辑的字母数字标志系统。该标志系统适用于电路图、产品目录、说明书及交换和存档的资料。 采用的标记方法以IEC145为依据。 对于堆和装置的情况,字母数字标志系统用来标记IEC971中所考虑的那些变流联结,并且是最重要、最常用的那些联结,对第5条例子中给出的标志行也是根所上同的出版物中的标志符作出的。 本标准未包括用图形符号和颜色来识别的端子标志系统。 注:辅助电路的端子的标志应能清楚识别。
Terminal marking for valve device stacks and assemblies and for power convertor equipment
本标准规定了P门及可关断晶闸管的断额定值和行性的测试方法、可关断晶闸管的一般电热特性和额定值的测试方法及要求符合有关标准的规定。 本标准适用于可关断晶的闸管的测试。
Measuring methods for thyristor. Gate turn-off thyristor
本标准规定了逆导三极晶闸管的换向电压临界上升率和关断时间的测试方法。逆导三极晶闸管一般电热特性和额定值的测试方法及要标准的规定。 本标准适用于逆导三极晶闸管的测试。
Measuring methods for thyristor. Reverse conducting triode thyristor
本标准规定了晶闸管的术语、文字符号、额定值、特性、测试方法、接收和可靠性。 本标准适用于反向阻断三极晶闸管、双向三极晶闸管、环境额定双向二极晶闸管和反向导通三极晶闸管。
Semiconductor devices. Part 6: Thyristors
本标准规定了高铝质耐火泥浆的分类、技术要求、试验方法及检验规则。 本标准适用于砌筑高铝质耐火砖和刚玉砖用的高铝质耐火泥浆。
High alumina refractory mortars
本标准规定了高压直流输电的术语和文字符号。 本标准适用于高压直流(HVDC)系统,特别适用于以电子换流器把交流电能转换为直流电能,或把直流电能转换为交流电能的高压直流换流站。这种换流站的电网换相换流器采用三相桥式双拍换流联结(图2),并以单向电子阀,如汞弧阀、半导体阀、或二者的组合件作为换流元件。
Terminology for high-voltage direct current transmission
Blank detail specification for gate turn-off thyristors, ambient or case-rated, 5A and above
Blank detail specification for reverse conducting triode thyristors, ambient or case-rated, 5A/5A and above
Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient or case-rated, above 100 A
Blank detail specification for bidirectional triode thyristors, ambient or case-rated, above 100A
本空白详细规范规定了制订100A以上、环境或管壳额定的双向三极晶闸管详细规范的基本要求,制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
Blank detail specification for bidirectional triode thyristors,ambient or case-rated,above 100A
本空白详细规范规定了制订5A以上(含5A)、环境或管壳额定的可关断晶闸管详细规范的基本要求,制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
Blank detail specification for gate turn-off thyristors, ambient or case-rated,5A and above
本空白详细规范规定了制订5A/5A以上(含5A/5A)环境或管壳额定的逆导三极晶闸管详细规范的基本要求,制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
Blank detail specification for reverse conducting triode thyristors,ambient or case-rated,5a/5a and above
本空白详细规范规定了制订100A以上、环境或管壳额定的反向阻断三极晶闸管(包括快速型)详细规范的基本要求,制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient or case-rated,above 100A
本标准适用于电力半导体器件用散热器的绝缘件和紧固件.
Insulators and fasteners for heat sink for power semiconductor device
本导则规定了半导体电力变流器与电网兼容问题的处理原则和方法。 本导则适用于电网换相半导体变流器,其他类型的半导体变流器亦应参照使用。 本导则不涉及音频和射频干扰问题。
Guide for evaluation of interference effects and compatibility technology between semiconductor convertors and power supply systen
电力半导体器件用散热器 热阻和流阻测试方法
Measuring method of thermal resistance and input fluid-output fluid pressure difference of heat sink for power semiconductor device
本标准适用于电力半导体器件,热阻在16℃/W至0.013℃/W的铸造或冷挤工艺的散热器。
Heat sink for power semiconductor device
本标准适用于各种电力晶闸管和电力晶体管构成的自换相变流器和至少包含一个自换相变流装置的变流器,如间接交流变流器和间接直流变流器。 本标准可以理解为GB3859《半导体电力变流器》的延伸,其内容主要是针对自换相变流器(逆变器)的,与一般半导体电力变流器相同的共性问题应符合GB3859的有关规定。 本标准不适用于特殊用途(例如机车用)的自换相变流器。一般情况下,这类产品应另订标准或针对其特殊性附加专门的技术要求。
Semiconductor self-commutated convertors
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