共找到 928 条与 微电路综合 相关的标准,共 62 页
Test method for 4Mb/s digital time-division command/response multiplex transmission data bus
General testing method for quartz flexible accelerometer servo circuits used in aerospace
Technical requirements for the quality of integrated circuit metal packaging casings
Three-dimensional Integrated Circuits Part 1: Terms and Definitions
Guide to Reliability Test Methods for Integrated Circuit TSV Three-Dimensional Packages
Semiconductor integrated circuit PWM controller testing method
Microwave circuit detector test method
High voltage power converter module testing method
Semiconductor integrated circuit AC/DC converter testing method
Mechanical Standardization of Semiconductor Devices Part 6-4: General Rules for Drawing Outline Drawings of Surface Mount Semiconductor Device Packages Dimensional Measurement Methods for Ball Array (BGA) Packages
Electronic components—Long-term storage of electronic semiconductor devices—Part 1:General
本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅-硅共熔键合、硅-玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。 本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
本文件规定了利用柱状试样测量微尺寸单元与衬底间黏结强度的试验方法。 本文件适用于对衬底上宽度和厚度分别介于1μm~1 mm 的微结构进行黏结强度测试。MEMS器件的微尺寸单元是由通过淀积、电镀、涂胶、光刻等工艺在衬底上制作出的层叠精细薄膜图形组成的。MEMS器件包含大量不同材料间的界面,在制造或使用过程中这些界面偶尔会发生分层。连接界面处的材料结合性决定了黏结强度,此外,界面附近的缺陷和残余应力会随工艺条件的变化而变化,极大地影响黏结强度。 本文件规定了微尺寸单元的黏结强度试验方法,以便于优选MEMS器件的材料和工艺条件。由于组成MEMS器件的材料和尺寸范围非常广泛,用于测量微尺寸单元的仪器也未被全面推广,本文件没有对试样的材料、尺寸和性能做出特别限制。
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Bend-and shear-type test methods of measuring adhesive strength for MEMS structures
本标准规定了半导体集成电路的封装形式及外形尺寸。本标准适用于半导体集成电路的封装设计和成品尺寸检验。本标准不适用于混合集成电路。
Outline dimensions of semiconductor integrated circuits
GB/T38762 的本部分建立了线性尺寸的缺省规范操作集(见GB/T24637.2),并规定了面向“圆柱
Geometrical product specifications (GPS)—Dimensional tolerancing—Part 1: Linear sizes
GB/T38762 的本部分说明了应用尺寸规范控制线性、角度尺寸之外的尺寸时所引起的不确定度,以及用几何规范控制上述尺寸的益处。尺寸公差可以用±公差或几何规范来标注。除线性尺寸外的尺寸使用±公差产生的不确定性(例如,GB/T1804 和GB/T6414 中所提及的独立公差和一般公差),在附录A中给出解释。 注1:本部分中的图例是简化的,仅是对文本的内容的解释,并不反映实际使用情况。 因此,图例仅为相关准则的简化标注。 注2:关于尺寸公差的标注,见以下内容:。 ———GB/T38762.1 线性尺寸; ———GB/T38762.3 角度尺寸; ———ISO2538 1和ISO2538 2 楔形;
Geometrical product specifications (GPS)—Dimensional tolerancing—Part 2: Dimensions other than linear or angular sizes
GB/T38762 的本部分建立了角度尺寸的缺省规范操作集,并为下列角度尺寸要素定义了一系列特定规范操作集:圆锥(截断如圆台或未截断)、楔形(截断或未截断)、两条相对直线(由垂直于楔形/截断楔形两平面相交直线的平面与楔形/截断楔形相交得到,由包含圆锥/圆台轴线的平面与圆锥/圆台相交得到),见图1 和图2。本部分还规定了上述角度尺寸的规范修饰符和图样标注。本部分包含了下列角度尺寸: ———局部角度尺寸: a)两线之间的角度尺寸; b)部分角度尺寸。 ———全局角度尺寸: a)直接全局角度尺寸;1)最小二乘角度尺寸;2)最小区域角度尺寸。
Geometrical product specifications (GPS)—Dimensional tolerancing—Part 3: Angular sizes
本标准规定了带状薄膜抗拉性能的试验方法及数据处理。本标准适用于厚度在50nm 到数微米之间且长度和厚度的比值大于300 的样品,也可用于MEMS产品带状薄膜结构的质量监控。
Micro-electromechanical system technology—Test methods for tensile property measurement of strip thin films
本标准规定了MEMS结构共振疲劳试验的试验方法,包括设备、试验环境、样品要求、试验条件和试验步骤。本标准适用于MEMS结构的共振疲劳试验。
Micro-electromechanical system technology—Fatigue testing method of MEMS structure using resonant vibration
Micro-electromechanical system technology—The reliability test methods of MEMS in integrated environments
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