光谱应用在激发光能量不是非常大的情况下,PL测试是一种无损的测试方法,可以快速、便捷地表征半导体材料的缺陷、杂质以及材料的发光性能。1、组分测定;对三元系或四元系合金,如InxGa1-xN等,通过PL峰位确定半导体材料的禁带宽度,进而确定材料组分x。2、杂质识别;通过光谱中的特征谱线位置,可以识别材料中的杂质元素。3、杂质浓度测定。4、变温Pl可以测试材料/器件的发光效率。...
将文献中EgGaInP =1.91eV[2]以及表1中的带隙值到公式(2)可得到黄色和红色LED的x值分别为0.30和0.10。表1. 四种LED的发射波长,带隙以及组成结论FS5光谱仪通过耦合电致发光附件成功测试了4种III-V LEDs的发光性能。FS5软件可根据电致发光光谱中的发射峰位置以及半高宽计算LED的色度坐标。此外,通过发射波长也可计算得到半导体带隙以及组成。...
PL峰值波长图像(图5d)表明,有电极覆盖的发光层与未覆盖的发光层(611 nm)相比,PL发射峰发生红移(620 nm)。峰值波长的变化表明在不同的区域中能级不同。图5 (a) OLED器件电致发光宽场成像;(b)a网格内的高分辨率宽场成像;(c)PL强度成像;(d)相同区域的PL峰值波长成像;(e)EL强度成像;(f)相同区域的EL峰值波长成像。...
对于一个LED器件,发光区材料的禁带宽度值直接决定了器件发光的波长或颜色。温度升高,材料的禁带宽度将减小,导致器件发光波长变长,颜色发生红移。 五、温度对LED正向电压的影响 正向电压是判定LED性能的一个重要参量,其大小取决于半导体材料的特性、芯片尺寸以及器件的成结与电极制作工艺。...
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