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level analysis in graphene powder using Raman spectroscopy纳米制造-关键控制特性-第6-14部分:石墨烯-石墨烯粉体材料缺陷水平测试深圳华烯新材料有限公司深圳粤网节能技术服务有限公司国家纳米科学中心深圳市标准技术研究院张麟德38115IEC TR 63179-1:2020 Ed 1.0Guideline for planning of HVDC...
文献链接:High-Responsivity, High-Detectivity, Ultrafast Topological Insulator Bi2Se3/Silicon Heterostructure Broadband Photodetectors8、ACS Nano: 可控制畴壁运动的调制磁性纳米线:向三维磁记忆迈进在理论上,圆柱形磁性纳米线可以实现高畴壁运动速度以及在高度密集的阵列上进行高效率的制造...
c.多晶石墨烯薄膜的结构表征。d-f.不同晶畴尺寸拼成的石墨烯薄膜的力学、热学、电学性能。4.2 大单晶石墨烯的制备石墨烯中的晶畴与晶界分布是影响其性质的关键因素之一。因此,扩大晶畴的尺寸和控制晶畴的晶向一致并实现无缝拼接是增加单晶面积,减少晶界的关键要素。因此,在生长过程中控制石墨烯晶界的形成是极其重要的问题。...
已经成功地将石墨烯晶畴转移到微管上(图4)。当被转移到微管的表面时,石墨烯贴合目标表面以实现共形转移。这些石墨烯涂层微管在制造光学传感器方面很有前景。以同样的方式,本课题组已经成功地将石墨烯转移到其他材料上,如银纳米粒子阵列、金纳米粒子阵列、和TEM铜网。图4. 石墨烯在二氧化硅表面和金微管上的转移近年来,在高分子材料EVA的辅助下,出现了一种清洁、快速的干法转移策略。...
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