GJB 33/7A-2021
半导体分立器件3CK2904、3CK2905、3CK2906 和3CK2907型PNP 硅小功率开关晶体管详细规范

Detailed specifications for semiconductor discrete devices 3CK2904, 3CK2905, 3CK2906 and 3CK2907 type PNP silicon low power switching transistors


标准号
GJB 33/7A-2021
发布
2021年
发布单位
国家军用标准-总装备部
当前最新
GJB 33/7A-2021
 
 

GJB 33/7A-2021相似标准

SJ 50033/2-1994 半导体分立器件.3CK2904、3CK2904A、3CK2905和3CK2905A型PNP硅小功率开关晶体管详细规范 GJB 33/7-1988 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3CK2907型PNP硅小功率开关晶体管详细规范 SJ 20177-1992 半导体分立器3CK3634～3CK3736型PNP硅小功率开关晶体管详细规范 SJ 50033/15-1994 半导体分立器件.3DK306型功率开关晶体管详细规范 SJ 20756-1999 半导体分立器件结构相似性应用指南

推荐

二极管和三极管的命名原则

S－表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A－PNP型高频管、B－PNP型低频管、C－NPN型高频管、D－NPN型低频管、F－P控制极可控硅、G－N控制极可控硅、H－N基极单结晶体管、J－P沟道场效应管、K－N 沟道场效应管、M－双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。...


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号