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现象:桥连区的泄漏电流增加,甚至短路迁移离子:Ag,Pb,Sn,Au,Cu预防银迁移的方法:使用银合金;在布线布局设计时,避免细间距相邻导体间的电流电位差过高;设置表面保护层;清洗助焊剂残留物• 腐蚀出现条件:封装内存在潮气和离子沾污物本质:电化学反应混合集成电路的电化学腐蚀• 金属间化合物• 优点:提高结合力 • 缺点:过量的金属间化合物会使局部脆化北京软件产品质量检测检验中心(简称:北软检测)...
复杂的集成工艺挑战包括:上、下两层器件之间的隔离,需要很大高宽比的图形化技术;高难度的垂直工艺控制,如源漏和接触孔的形成、不同金属功函数的金属栅分区域形成方法。(2)顺序集成CFET的挑战主要在于两个器件层的键合、对准偏差、上下层栅极互连、热预算控制、两层间距、成本等。...
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