ASTM F42-02
ASTM F42-02

标准号

ASTM F42-02

发布

1970年

发布单位

/

当前最新

ASTM F42-02

 

 

引用标准

ASTM D5127 ASTM F43 ASTM F76 ASTM F84

适用范围

1.1 这些测试方法2涵盖非本征半导体导电类型的测定。虽然给出了锗和硅的明确细节，但包含砷化镓和锑化铟等其他外来材料应该是可行的。然而，对于后一种化合物，其适用性尚未通过循环测试得到正式验证。可以对均质散装材料进行最可靠的测定，但这些测试方法也可用于绘制不均质样本表面上不同导电类型的区域。这些测试方法尚未在层状结构（例如外延层）上进行测试。对这些结构的测量可能会给出错误的导电类型指示。
1.2 描述了四种测试方法：
1.2.1 测试方法 A——热探针热 EMF 传导型测试。
1.2.2 测试方法 B——冷探针热 EMF 传导型测试。
1.2.3 试验方法C——点接触整流电导率型试验。
1.2.4 测试方法 D——Type-All3 系统以两种模式运行：
1.2.4.1 整流电导率型测试。
1.2.4.2 热电动势传导型测试。
1.3 经验表明，测试方法 A（热探针）在室温电阻率高达 1000 V·cm 的 nand p 型硅中给出了可靠的结果。注 1——可以按照测试方法 F 43 测量锗样品的电阻率，可以按照测试方法 F 43 或测试方法 F 84 测量硅片的电阻率。
1.4 测试方法 B（冷探针）给出可靠的结果对于室温电阻率为 20 V·cm 或更小的 nand p 型锗和电阻率高达 1000 V·cm 的 nand p 型硅（注 1）。该技术相对于热探针测试方法的优点在于，可以通过在两个探针之间产生更大的温差来增加信号幅度。
1.5 测试方法C（整流）是一种简单方便的技术，对于室温电阻率在1 到1000 V·cm 之间的nand p 型硅给出了可靠的结果。不建议对锗使用此测试方法（注 1）。
1.6 测试方法D（全型整流模式）适用于室温电阻率在0.1至1000V·cm（含）之间的nand p型硅（注1）。
1.7 测试方法D（全类型热电动势模式）适用于室温电阻率在0.002 至0.1 V·cm（含）之间的nand p 型硅（注1）。
1.8 这些测试方法可能适用于上述限制之外，但它们在这些限制之外的适用性尚未经过实验验证。
1.9 建议如果使用这些测试方法无法获得满意的结果，则应根据测试方法 F 76 中所述的霍尔效应测量来确定电导率类型。注 2 — DIN 50432 涵盖与测试方法 A 和 A 相同的技术C 这些测试方法，但不包括测试方法 B 和 D。
1.10 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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