异质双极晶体管(HBT)是无需负电源的砷化镓组件,其功率密度(power density)、电流推动能力(current drive capability)与线性度(linearity)均超过 FET,适合设计高功率、高效率、高线性度的微波放器,HBT 为最佳组件的选择。...
并且通过拟合在VG和VDS分别固定于-5V和20V时的光电响应曲线,上升时间和下降时间可计算得分别为100ms和30ms。高响应速度或许是由于同质β-Ga2O3薄膜的高晶体质量和通过SiO2钝化对表面缺陷态的抑制。一些品质因数被用来评估探测器的性能,例如响应度(R)、探测率(D*)、外量子效率(EQE)、线性动态范围(LDR)等等。...
从2018年到2050年,世界能源的消耗预计将增长近50%。随着我们的大部分能量转换为电力,从智能手机、电动汽车到工业机器人等一切设备都需要更高效率、更致密的功率半导体器件如二极管、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金氧半场效晶体管(MOSFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)等。今天的半导体行业正在基于晶圆发展开发下一代功率器件。...
没有这些资源,设计人员就需要浪费时间来评估元器件在其应用中的性能。 基于 GaAs 的 LNA 的一个代表是 HMC519LC4TR。这是一种来自 Analog Devices 的 18 到 31 GHz pHEMT(假晶高电子迁移率晶体管)器件(图 2)。...
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