NF EN 62374-1:2011
半导体器件 - 第 1 部分：金属间化合物层的瞬态介电击穿 (TDDB) 测试

Semiconductor devices - Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for intermetallic layers

半导体器件 - 第 1 部分：金属间化合物层的瞬态介电击穿 (TDDB) 测试, 您可以免费下载预览页

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试：免费下载 NF EN 62374-1:2011 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

标准号: NF EN 62374-1:2011
发布: 2011年
发布单位: 法国标准化协会
当前最新: NF EN 62374-1:2011

NF EN 62374-1:2011相似标准

GSO IEC 62374-1:2013 半导体仪器第 (1) 部分：金属夹层的瞬态介电击穿 (TDDB) 测试 GJB 33B-2021 半导体分立器件通用规范 GB/T 2900.32-1994 电工术语电力半导体器件 DIN EN 62374-1:2011-06 半导体器件第1部分：金属间层随时间介电击穿(TDDB)测试 UNE-EN 62374-1:2010 半导体器件第1部分：金属间层随时间介电击穿(TDDB)测试

推荐

这些国家标准已正式实施，涉及新能源、半导体、医疗器械

42975-2023半导体集成电路驱动器测试方法2024/1/151GB/T 42989-2023人工影响天气术语2024/1/152GB/T 43023-2023射频声表面波（SAW）器件和体声波（BAW）器件的非线性测量指南2024/1/153GB/T 43024.2-2023压电、介电和静电振荡器的测量技术第2部分:相位抖动测量方法2024/1/154GB/T 43027-2023高压电源变换器模块测试方法...

纳米发电机新时代的变革？

北京纳米能源与纳米系统研究所王中林教授、Jie Wang教授等人介绍了一种新型双模TENG，它可以在单个器件中通过静电感应和介质击穿同时获取机械能。在互补工作机理的基础上，通过一个单一的机制，通过两个张力和，实现了输出性能的极大提高，揭示了介电层厚度对摩擦带电、静电感应和空气击穿的影响。本研究建立了一种优化张力的新方法，并为同时研究摩擦带电、静电感应和介质击穿提供了一种新工具。...

会议现场回顾|第二届“逐梦光电”学术研讨会第二天，精彩纷呈！

除上述大会报告及圆桌论坛以外，会议期间，结合用户各种需求，卓立汉光公司适时展示多种产品系统，部分产品系统提供免费测样，欢迎详询：1 OmniFluo900 系列稳态瞬态荧光光谱仪2 RTS2 多功能激光共聚焦显微拉曼光谱系统3 DSR300微纳器件光谱响应度测试系统4 “谱王”（Omni-Imager）系列高光谱成像仪5 GaiaSky-mini 推扫式机载高光谱成像系统6 “影像谱王...

毫米波与太赫兹技术

1.2 GaN 毫米波芯片GaN 作为第3 代宽禁带化合物半导体, 具有大的禁带宽度、高的电子迁移率和击穿场强等优点,器件功率密度是GaAs 功率密度的5 倍以上, 可显著地提升输出功率, 减小体积和成本....

NF EN 62374-1:2011半导体器件 - 第 1 部分：金属间化合物层的瞬态介电击穿 (TDDB) 测试