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典型半导体材料特性参数对比最为典型的三族氮化物目前主要用于发光，通过改变材料的组分，其发射波长可以覆盖从紫外到红外。三族氮化物中的翘楚——氮化镓，带隙3.4eV，在高功率、高速的光电元件中已有应用，目前商用蓝光GaN芯片已经做到非常成熟，能够做到80%以上的效率。以及紫光（405nm）激光大量应用。...
》等51项电子行业标准计划项目的意见 根据工业和信息化部标准化工作的总体安排，现将申请立项的《半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温》等51项电子行业标准计划项目予以公示(见附件1)，截止日期为3月5日。...
根据发射光谱可以计算得到LED的色度坐标和显色指数，以及半导体的带隙等基本性质。时间分辨的电致发光光谱可用于探究器件对短电压脉冲的电发光响应，以研究器件中的载流子动力学，如有机半导体（OLED）中的三重态形成。大多数典型的LED由III-V族化合物半导体构成。III-V半导体是指包含元素周期表中第III族(B, Al, Ga, In)和第V族 (N, P, As, Sb)元素的合金材料。...
发光二极管的核心部分是P型半导体和N型半导体组成的晶片，电子从N区扩散到P区，空穴从P区扩散到N区，随着这一扩散的进行，在P-N结处形成了一个高度eΔV的势垒，阻止电子和空穴进一步扩散，达到平衡状态。当对半导体材料施加一定的电压V，且P型材料接正极，N型材料接负极时，电子和空穴将克服在P-N结处的势垒，分别流向P区和N区。...
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