ASTM F1096-87
ASTM F1096-87
- 标准号
- ASTM F1096-87
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F1096-87
- 引用标准
- ASTM F617
- 适用范围
- 1.1 该测试方法涵盖通过两种选项之一测量 MOSFET（注 1）饱和阈值电压：一种选项允许在非常低的扫描速率或直流条件下进行测量，另一种选项允许在脉冲条件下进行测量。无论哪种情况，都要求 MOSFET 特性不会发生因温度引起的显着变化。它是一种适用于 MOSFET 工作饱和区的电导方法。在扭结区域进行的测量将产生无效值。对于线性阈值电压的测量，请参见方法 F617。注1-MOS 是金属氧化物半导体的缩写；FET 是场效应晶体管的缩写。
1.2 本测试方法适用于增强型和耗尽型 MOSFET，也适用于蓝宝石硅 (SOS) 和体硅 MOSFET。
1.3 本标准可能涉及危险材料、操作和设备。本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。