ASTM F1262M-14
数字集成电路瞬态辐射不稳定阈值测试标准指南
Standard Guide for Transient Radiation Upset Threshold Testing of Digital Integrated Circuits (Metric)
ASTM F1262M-14 发布历史
ASTM F1262M-14由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2014-06-01。
ASTM F1262M-14 数字集成电路瞬态辐射不稳定阈值测试标准指南的最新版本是哪一版？
最新版本是 ASTM F1262M-14 。
ASTM F1262M-14 发布之时，引用了标准
- ASTM E666 计算γ或X射线吸收剂量的标准实施规程
- ASTM E668 用于确定电子设备辐射硬度测试中吸收剂量的热释光剂量法（TLD）系统的标准实践*， 2020-07-01 更新
- ASTM F1893 测量半导体器件电离剂量率熔蚀的指南
* 在 ASTM F1262M-14 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。
ASTM F1262M-14的历代版本如下：
- 2014年 ASTM F1262M-14 数字集成电路瞬态辐射不稳定阈值测试标准指南
- 1995年 ASTM F1262M-95(2008) 数字集成电路瞬态辐射破坏阈试验标准指南(米制单位)
- 1995年 ASTM F1262M-95(2002) 数字集成电路瞬态辐射破坏阈试验标准指南
- 1995年 ASTM F1262M-95 数字集成电路瞬态辐射破坏阈试验标准指南
1.1 本指南旨在帮助实验人员测量暴露于大于 103 Gy (matl.)/s 的电离辐射脉冲的硅数字集成电路的瞬态辐射翻转阈值。
1.1.1“讨论”本文件旨在作为确定扰动阈值的指南，而不是作为独立的文件。
1.2 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。
