FD X43-313*FD CEN/TR 17078:2017由法国标准化协会 FR-AFNOR 发布于 2017-07-26,并于 2017-07-26 实施。
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功耗性能比一向是FD-SOI工艺所强调的优势。根据三星提供的数据,相比体硅工艺(28纳米HKMG工艺),28纳米FD-SOI功耗相当于体硅工艺的70%,性能要高出16%。格罗方德将在2017年量产的22FDX(22纳米FD-SOI工艺)支持超低电压运行,只需0.4V电压就能够支持逻辑运算,与28纳米HKMG工艺相比,功耗降低了70%,漏电流只有约1pA/um。...
功耗性能比一向是FD-SOI工艺所强调的优势。根据三星提供的数据,相比体硅工艺(28纳米HKMG工艺),28纳米FD-SOI功耗相当于体硅工艺的70%,性能要高出16%。格罗方德将在2017年量产的22FDX(22纳米FD-SOI工艺)支持超低电压运行,只需0.4V电压就能够支持逻辑运算,与28纳米HKMG工艺相比,功耗降低了70%,漏电流只有约1pA/um。...
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