碳化硅外延层及其厚度测定的重要性 SiC功率器件往往需要通过在SiC 衬底上生成所需的薄膜材料形成外延片，从而更易于获得完美可控的晶体结构，更利于材料的应用开发。随着外延生长技术的进步，SiC外延层厚度也从几µm发展到上百μm，也从同质外延发展为异质等多种晶体。 对外延片品质影响最大的是外延层的厚度以及电阻率的均匀性,因此在实际生产中对延片的厚度进行测量是很重要的一环。 ...
碳化硅(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进，这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实，晶圆衬底的表面处理时间越长，则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化硅(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高载流子饱和速率等特性，在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。...
2017年，陈小龙带领团队在松山湖材料实验室开展碳化硅同质外延技术的研究，为碳化硅器件的制备提供外延片。他们发展了特色的外延技术，解决了外延片生长厚度和载流子均匀性的问题，并开始推动高质量外延片的产业化。 近年来，陈小龙再次“归零”，他带领团队致力于先进功能材料设计和新物性与新现象的探索。这又是一项“从0到1”、从无到有的工作。 ...
今年5月，天岳先进、天科合达签约英飞凌，供货碳化硅6英寸衬底、合作制备8英寸衬底，6月三安光电与意法半导体结盟升级，斥资32亿美元共建8英寸碳化硅外延、芯片合资代工厂，并计划通过三安光电全资子公司，投入70亿元建设年产48万片/年的8英寸碳化硅衬底。近日中电化合物也宣布与韩国Power Master签订了长期供应8英寸在内的碳化硅材料的协议，公司预计未来3年碳化硅产能将达到8万片。...
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