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离子注入法通常是将欲掺入半导体中的杂质在离子源中离子化,然后将通过质量分析磁极后选定了离子进行加速,注入基片中。此时,杂质的注入量可通过测量流过基片的电流大小来正确控制。离子由基片的表面到停止,形成了近似的高斯分布。设Rp为投影射程,ΔRp为其的标准偏差,Q为注入量,注入的离子分布C(x) 其中Rp,ΔRp的大小与杂质的种类,加速电压的大小有关以及基片的材料。...
steam 热流pyrogen 热原(质)pyrolytic热解pyrophoric 自燃的Qquad flatpack(QFP) 方型管壳封装quadrupole mass analyzer(QMA) 四极质量分析仪quality measure 质量测量quarz 石英quarz tube 石英管quarz wafer boat 石英舟queue time 排队时间Rradiation damage...
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