国家标准《半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管》 由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口,TC78SC1(全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会)执行 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 主要起草单位:石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、哈尔滨工业大学、捷捷半导体有限公司。 ...
晶圆制造及封装:晶圆制造、SiP 封装、硅晶圆及IC封装载板、印制电路板、封装基板和设备及组装和测试等、封装设计、测试、设备与应用制造与封测、EDA、MCU、印制电路板、封装基板半导体材料与设备等。集成电路制造技术:晶圆制造/代工、模拟集成电路、数/模混合集成电路;相关微处理器、存储器、FPGA、分立器件、光电器件、功率器件、传感器件等技术器件;集成电路终端产品。...
控制功率和数据信号通过隔离栅时,会产生电磁干扰(EMI)。这些辐射发射(RE)会对其他电子系统和网络的性能产生负面影响。对于带隔离的电路设计,一个重要的步骤是跨隔离栅传输功率,并缓解产生的RE。虽然传统方法可能行之有效,但它们往往需要权衡取舍。其中可能包括使用分立式电路和变压器来传输功率。这种方法笨重耗时,会占用宝贵的PCB空间,无一不会增加成本。...
晶体管 RDS(ON) -漏极到源极的导通电阻 由于晶体管对电路设计来说是标准的控制器件,不需要电阻或消耗能量的器件来提供控制信号,因此晶体管被认为是没有能量损失的过流探测方法。晶体管数据表给出了漏极到源极的导通电阻(RDS(ON)),功率MOSFET的典型电阻一般在毫欧范围内。这个电阻由几部分组成,首先是连到半导体裸晶的引线(图6),这部分电阻影响了很多沟道特性。...
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