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4.2.1、第 3 代半导体集成电路技术 在微波单片集成电路技术中 , 以氮化镓 (GaN) 为代表的第 3 代半导体技术 , 因其宽禁带特性 , 具有高功率密度、高功率附加效率、高增益、大带宽和小尺寸 , 及较高的可靠性和工作温度 , 已用于相控阵雷达 , 将会对天线阵列中的射频前端产生革命性的影响 ....
电源：220VAC ，50Hz 环境温度限制：-10～40℃ 通讯接口：1路RS232；1路RS485/RS232 数字接口：4路继电器输出，2路二进制输入 模拟接口：5路4～20mA输出，2路4～20mA输入 仪表特点 Ø 可靠性高 采用寿命达10年的脉冲氙灯作光源，采用固化光谱仪，无运动部件，可靠性高。 ...
HUD设备为设计更复杂的系统提供了新的基础，这些系统以半导体材料平台上的无源和有源器件为特色，为提高数据速率和数据存储提供了新的机会。...
太赫兹技术主要包括太赫兹波源、太赫兹传输和太赫兹检测等，其关键部件可以分为无源元件和有源器件. 无源元件包括太赫兹传输线、滤波器、耦合器、天线等, 而有源器件包括太赫兹混频器、倍频器、检波器、放大器、振荡器等。1、太赫兹源伴随着太赫兹波生成技术的发展, 太赫兹源的研究已有很多有价值的新进展. 研发低成本、高功率、室温稳定的太赫兹源是发展太赫兹技术的基础....
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