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场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应),使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。 ...
砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多,因此采用特殊的工艺,早期为 MESFET 金属半导体场效应晶体管,后演变为 HEMT ( 高速电子迁移率晶体管),pHEMT( 介面应变式高电子迁移电晶体)目前则为 HBT ( 异质接面双载子晶体管)。...
这是对发射机中的大多数元件不可避免要问的一个问题,而且通常问的是无源元件,比如滤波器、耦合器和天线。但随着微波真空管(如行波管(TWT))和核心有源器件(如硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管和氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET))的功率电平的日益增加,当安装在精心设计的放大器电路中时,它们也将受到连接器等元件甚至印刷电路板(PCB)材料的功率处理能力的限制。...
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