ASTM F1727-02
ASTM F1727-02
- 标准号
- ASTM F1727-02
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F1727-02
- 引用标准
- ASTM C28 ASTM D5127 ASTM F1241 ASTM F1725 ASTM F1726 ASTM F1809 ASTM F1810
- 适用范围
- 1.1 本实践涵盖硅片表面区域晶体缺陷的检测。这些缺陷是由正常器件加工中遇到的氧化循环引起或增强的。包括代表双极、金属氧化物硅 (MOS) 和 CMOS 技术的大气压氧化循环。这种做法需要揭示因沉淀物、氧化引起的堆垛层错和浅蚀刻坑的存在而产生的应变场。还揭示了当内部应力或边缘应力施加到晶片上时会出现滑移。
1.2 本实践的应用仅限于经过化学或化学/机械抛光以去除样本至少一侧表面损伤的样本。这种做法也可以应用于检测外延层中的缺陷。
1.3 与待测表面相对的样品表面可能会被故意损坏或以其他方式进行除杂处理或化学蚀刻以去除损坏。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。