将文献中EgGaInP =1.91eV[2]以及表1中的带隙值到公式(2)可得到黄色和红色LED的x值分别为0.30和0.10。表1. 四种LED的发射波长,带隙以及组成结论FS5光谱仪通过耦合电致发光附件成功测试了4种III-V LEDs的发光性能。FS5软件可根据电致发光光谱中的发射峰位置以及半高宽计算LED的色度坐标。此外,通过发射波长也可计算得到半导体带隙以及组成。...
激发光谱(PLE)和发射光谱(PL)。激发光谱:固定发射光的波长,改变激发光的波长,记录荧光强度随激发波长的变化。发射光谱:固定激发光的波长,记录不同发射波长处荧光强度随发射波长的变化。无论是激发还是发射荧光光谱图,其都是记录发射荧光强度随波长的变化。如果荧光光谱中纵坐标为强度,横坐标为波长。那么就能获取峰位和半峰宽。峰位的直观体现是荧光的颜色;半峰宽则表示荧光的纯度。...
然而,发射波长峰值在短波红外波段、辐射强度具备实用价值的高亮度有机发光器件仍然是一个多年来从未突破过的技术难题。其根本原因在于,伴随着半导体带隙的降低,有机半导体中电子-声子耦合增强,表现为激发态-基态之间的振动弛豫加速,无辐射跃迁速率指数增加,导致短波红外发射极其微弱。...
GaN LED芯片的发光原理及结构示意图2014年10月7日,赤崎勇、天野浩和中村修二(名字从左到右分别对应)因发明“高效蓝色发光二极管”而获得2014年诺贝尔物理学奖。第三代半导体的光致发光光谱测量光致发光光谱定义为当一束光子能量足够高(大于半导体材料的禁带宽度Eg)的激光入射到半导体材料上,会将价带的电子激发到导带,从而在该材料中产生大量的电子空穴对,形成非平衡载流子。...
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