ASTM F1262M-95
数字集成电路瞬态辐射破坏阈试验标准指南

Standard Guide for Transient Radiation Upset Threshold of Digital Integrated Circuits

被代替

标准号

ASTM F1262M-95

发布

1995年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F1262M-95(2002)

当前最新

ASTM F1262M-14

 

 

1.1 本指南旨在帮助实验人员测量暴露于大于 103 Gy (Si)/s 的电离辐射脉冲的硅数字集成电路的瞬态辐射翻转阈值。 1.2 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。