ASTM F528-99
结型晶体管共射极直流增益测量的标准试验方法

Standard Test Method of Measurement of Common-Emitter D-C Current Gain of Junction Transistors

被代替

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标准号

ASTM F528-99

发布

1999年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F528-99(2005)

当前最新

ASTM F528-99(2005)

 

 

适用范围

1.1 本测试方法涵盖双极晶体管共发射极直流电流增益（正向，hFE，或反向，hFEI）的测量，其中集电极-发射极漏电流 ICEO 小于集电极电流 IC 的 10% ，此时进行测量，且基极电路中的分流漏电流小于所需基极电流的 10%。
1.2 本测试方法适用于在测试晶体管集电极电流的单个给定值或在给定的集电极电流范围内（例如在待测晶体管的范围内）测量共发射极直流电流增益。
1.2.1 三个测试电路的集电极电流标称范围如下：
1.2.1.1 电路 1，小于 100 μA， 1.2.1.2 电路 2，100 μA 以上至 100 mA，以及 1.2.1.3 电路 3，大于 100 mA。
1.3 该测试方法包含一些测试，以确定晶体管中的功耗是否足够低，以致结点温度与环境温度大致相同。
1.4 国际单位制（SI）中规定的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.5 本标准无意解决与其使用相关的安全问题（如果有）。使用本标准的任何人都有责任在使用前咨询和建立适当的安全和健康实践，并确定监管限制的适用性。

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