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LPE可以进行掺杂,形成n-和p-型层,设备为通用外延生长设备,生长温度为300 oC-900 oC,生长速率为0.2um-2um/min,厚度0.5um-100um,外延层的外貌决定于结晶条件,并直接获得具有绒面结构表面外延层。 4) 涂敷光刻胶 光刻制造过程中,往往需采用20-30道光刻工序,现在技术主要采有紫外线(包括远紫外线)为光源的光刻技术。...
VOCs质量占比大于等于10%的含VOCs产品,其使用过程应采用密闭方式进行,将产生的废气排放至废气收集处理系统,无法密闭的,应采用局部气体收集措施,废气应排至VOCs废气收集处理系统。 (5)对于设备与管线组件VOCs泄漏控制,要特别注意,密封点数量超过2000个(含)的企业,应开展泄漏检测与修复(LDAR)工作。...
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