本次大会发布了这9项标准:《半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《半导体发光二极管测试方法》、《氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《半导体发光二极管用荧光粉》、《功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《半导体发光二极管芯片测试方法》、《半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《半导体发光二极管产品系列型谱》以及《LED照明名词术语》等。...
蓝宝石层和氮化镓层之间存在很大的晶格失配和热失配,尽管25 nm厚的氮化铝薄层在一定程度上减轻了失配。在氮化镓外延层的生长过程中,仍会产生界面应力。如图5所示,大的应力出现在蓝宝石与GaN之间的界面处,并一直延伸到样品的表面。随着焦点向样品表面移动,应力逐渐下降,这主要是因为氮化镓样品的外延层较高的晶格质量。...
第三代半导体材料的兴起,则是以氮化镓(GaN)材料p 型掺杂的突破为起点,以高亮度蓝光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的研制成功为标志,包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石等宽禁带材料。几种典型的宽禁带半导体材料第三代半导体有哪些优势?第三代半导体与前两代半导体最大的区别是禁带宽度更宽,可以跨越从0.7-6.2eV,所以我们又称之为宽禁带半导体材料。...
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