GOST 26239.7-1984
半导体硅.氧、碳、氮测定法

Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination



GOST 26239.7-1984相似标准


推荐

直拉单晶(Nitrogen-doped CZ Silicon, NCZ-Si)中的低温远红外测量

直拉晶体中掺可用来调控原生沉淀和空洞型缺陷,从而提高晶体的质量,已经在产业界广泛应用,除了间隙、代位、III-V族元素检测以外,的测量也是材料界的一个热点课题。众所周知,直拉单晶中含有较高浓度(浓度范围1017-1018cm-3)的间隙(Oi),当掺入直拉硅单晶中时,除了以-对(N-N)形式存在以外,还会和作用形成复合体(N-O complexes)。...

中国工程院院士、半导体材料专家梁骏吾逝世

梁骏吾是我国从事材料研究的元老级专家,在20世纪60年代解决了高纯区熔的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低、可控量的优质区熔单晶。80年代首创了掺中子嬗变硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性的问题。...

红外光谱法在含量测定上的应用

摘要: 单晶材料可以用于制造太阳能电池、半导体器件等,由于其应用领域的特殊性要求其纯度达到99.9999% 甚至更高。在单晶生产过程中由原料及方法等因素难以避免的引入了等杂质,直接影响了单晶的性能。因而需对单晶材料中的含量进行控制。...

德国元素 | 新能源汽车行业车用半导体的测定

这里使用了来自德国元素Elementar的inductar CS cube 红外硫仪以及inductar ONH cube 氢分析仪对于碳化硅样品中的含量进行测量。...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号