直拉晶体硅中掺氮可用来调控原生氧沉淀和空洞型缺陷,从而提高硅晶体的质量,已经在产业界广泛应用,除了间隙氧、代位碳、III-V族元素检测以外,氮的测量也是硅材料界的一个热点课题。众所周知,直拉单晶硅中含有较高浓度(浓度范围1017-1018cm-3)的间隙氧(Oi),当氮掺入直拉硅单晶中时,除了以氮-氮对(N-N)形式存在以外,氮还会和氧作用形成氮氧复合体(N-O complexes)。...
梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家,在20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性的问题。...
摘要: 单晶硅材料可以用于制造太阳能电池、半导体器件等,由于其应用领域的特殊性要求其纯度达到99.9999% 甚至更高。在单晶硅生产过程中由原料及方法等因素难以避免的引入了碳、氧等杂质,直接影响了单晶硅的性能。因而需对单晶硅材料中的氧碳含量进行控制。...
这里使用了来自德国元素Elementar的inductar CS cube 红外碳硫仪以及inductar ONH cube 氧氮氢分析仪对于碳化硅样品中碳硫氧氮的含量进行测量。...
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