EN 62374-1-2010
半导体器件.第1部分:金属层间时间相关的介质击穿(TDDB)试验[代替:CENELEC EN 62374]

Semiconductor devices - Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers (Incorporating Corrigendum April 2011)

 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 EN 62374-1-2010 前三页，或者稍后再访问。

如果您需要购买此标准的全文，请联系： 。

点击下载后，生成下载文件时间比较长，请耐心等待......

 

标准号
EN 62374-1-2010
发布日期
2010年
实施日期
废止日期
无
发布单位
欧洲电工标准化委员会

EN 62374-1-2010相似标准

IEC 62374-1:2010 半导体器件 - 第1部分:金属间时间相关介质击穿（Tddb）测试 IEC 62374-1-2010 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验 NF C96-017-1-2011 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验. BS EN 62374-1-2010 半导体装置.依赖时间的金属层间的介质击穿(TDDB)试验 DIN EN 62374-1-2011 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验(IEC 62374-1-2010).德文版本EN 62374-1-2010 + AC-2011

推荐

半导体元器件失效分析

分类(来源：2007年版的《军用电子元器件合格产品目录》)电阻最可靠的元件之一失效模式：开路、机械损伤、接点损坏、短路、绝缘击穿、焊接点老化造成的电阻值漂移量超过容差电位器失效模式：接触不良、滑动噪声大、开路等二极管集成电路失效模式：漏电或短路，击穿特性劣变，正向压降劣变，开路可高阻失效机理：电迁移，热载流子效应，与时间相关的介质击穿(TDDB)，表面氧化层缺陷，绝缘层缺陷，外延层缺陷声表面波器件MEMS...

关注 | 国标委公布首批中英互认标准清单

Test methods玻璃容器 抗热震性和热震耐久性试验方法ISO 7459:200413GB/T4937.1-2006半导体器件机械和气候试验方法第1部分：总则Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 1:GeneralBS EN 60749-1:2003Semiconductor devices....

EN 62374-1-2010系列标准

EN 62374-2007 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号