GB/T 29055-2012由国家质检总局 CN-GB 发布于 2012-12-31,并于 2013-10-01 实施,于 2020-05-01 废止。
GB/T 29055-2012 在中国标准分类中归属于: F12 太阳能,H82 元素半导体材料,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 29055-2012 太阳电池用多晶硅片的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 29055-2019 。
* 在 GB/T 29055-2012 发布之后有更新,请注意新发布标准的变化。
本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。
目前,工业化生产用等离子干法腐蚀,在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅用途,去除含有扩散层的周边。扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。6、沉积减反射层:沉积减反射层的目的在于减少表面反射,新增折射率。广泛使用pECVD淀积SiN,由于pECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重用途,可用于大批量生产。...
“现在,我们做出了柔性单晶硅太阳电池,整个大硅片无论如何弯曲都能恢复如初,它没有晶界、没有摩擦,哪怕折叠1000次,功率也没有丝毫衰减,使用寿命会很长。而这些都是多晶电池很难实现的。”刘文柱说。面向客户端的产品 受访者供图柔性单晶硅太阳电池组件成功应用于临近空间飞行器、光伏建筑一体化、车载光伏等领域。 ...
用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右) ,产品耐高温和辐射,但生产成本高,产量受限,目前主要作空间电源用。以硅片作衬底, MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓,多晶砷化镓,镓铝砷--砷化镓异质结,金属-半导体砷化镓,金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。...
用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右) ,产品耐高温和辐射,但生产成本高,产量受限,目前主要作空间电源用。以硅片作衬底, MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓,多晶砷化镓,镓铝砷--砷化镓异质结,金属-半导体砷化镓,金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。...
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