表6—9—49显像管的检验 管种 参数 标准 黑白 彩色 GB/T3212—82 GB/T5998—94 直观检验 GB5960—86中3.3 含气系数 2.15 2.1 阴极发射电流 2.6 2.5 截止电压2.9 2.8 截止电压比2.9 2.8 面板和屏面缺陷 GB/T5998—94中2.10 2.10 光栅中心位移 2.19 2.15 光栅倾斜 2.16 失会聚 2.22...
监测到的偏置电流信息可以用于控制栅极电压以补偿例如温度等环境条件的变化。在正确偏置下,此监测引脚的电压为 3.9V。使用增强型晶体管的工艺意味着只需要正电源电压,从而使 MMIC 非常便于系统集成。 仔细的电磁仿真对确保各个模块良好的射频性能是非常重要的。采用了逐步添加的方法,每次将电路的一部分加入到 EM 仿真中,而其余部分仍使用工艺设计套件(PDK)中的模型进行仿真。...
此外,该研究还提出一种采用了可变电容的功率管栅极电压控制技术,实现了在更宽电源电压范围下,控制栅极峰值电压使其保持在最佳安全电压范围,而无需采用特殊厚栅氧工艺的功率管,实现更高的效率并降低成本。 测试结果表明,该隔离电源芯片实现46.5%的峰值转换效率和最大1.25瓦的输出功率,最终封装尺寸仅有5毫米×5毫米,在目前所报道的无磁芯隔离电源芯片中效率和功率密度均为最高。 ...
(2)动态测试:主要测试 SiC 器件在开通关断过程中的性能。通常我们希望的功率半导体器件的开关速度尽可能得高、开关过程段、损耗小。但是在实际应用中,影响开关特性的参数有很多,如续流二极管的反向恢复参数,栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容、栅极电荷的存在,所以针对于此类参数的测试,变得尤为重要。开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性。直接影响变换器的性能。...
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