2、 气相外延炉气相外延炉主要是为硅的气相外延生长提供特定的工艺环境,实现在单晶上生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体。外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层,犹如原来的晶体向外延伸了一段,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻,又要求材料能耐高压和大电流,因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。...
此时,用外延生长法外延一层杂质浓度低(约10 15 cm-3)的供形成的单晶层、衬底则为高浓度的基片,以降低电阻,达到基极电位稳定的目的。LPE可以在平面或非平面衬底生长、能获得十分完善的结构。...
二、适用行业:广泛用于:生产企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻、电阻率和电导率数据.三、功能介绍:液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。...
四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量装置,可以测量硅、锗单晶电阻率和硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻,主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能。广泛用于半导体厂家、太阳能行业,还能满足科研单位的精密研究。 ...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号