两电极体系电位与三电极体系电位
本专题涉及两电极体系电位与三电极体系电位的标准有44条。
国际标准分类中，两电极体系电位与三电极体系电位涉及到金属材料试验、计量学和测量综合、流体动力系统、半导体分立器件、电磁兼容性(EMC)、电子管、塑料、集成电路、微电子学、频率控制和选择用压电器件与介质器件、电灯及有关装置、电子电信设备用机电元件。
在中国标准分类中，两电极体系电位与三电极体系电位涉及到金属物理性能试验方法、液压与气动装置、收、发信管、基础标准和通用方法、半导体集成电路、半导体分立器件综合、石英晶体、压电元件、计算机应用、连接器。
工业和信息化部，关于两电极体系电位与三电极体系电位的标准
- XB/T 702-2022 金属氢化物-镍电池负极用稀土系贮氢合金粉电化学性能的测试 三电极体系测试法
RU-GOST R，关于两电极体系电位与三电极体系电位的标准
- GOST R 8.702-2010 确保测量一致性的国家体系.氧化还原电位(ORP)测定用测量电极.检定规程
- GOST 26169-1984 无线电电子设备的电磁兼容性.大功率高频线性双极型晶体三极管组合成份系数规范
韩国科技标准局，关于两电极体系电位与三电极体系电位的标准
- KS B ISO 4400:2002 流体动力系统和元件.与地面接触的三极电插头.特性和要求
法国标准化协会，关于两电极体系电位与三电极体系电位的标准
- NF C85-211:1982 电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.工业加热用三极管
- NF EN 60444-3:2001 在 pi 电路中通过零相位技术测量压电石英晶体的参数 第3部分：频率高达 200 MHz 时测量石英晶体谐振器两极参数的基本方法
美国材料与试验协会，关于两电极体系电位与三电极体系电位的标准
- ASTM D1531-01 用液体位移法测定介电常数与耗散系数的标准试验方法
- ASTM D1531-01e1 用液体位移法测定介电常数与耗散系数的标准试验方法
- ASTM D1531-95 用液体位移法测定介电常数与耗散系数的标准试验方法
美国国防后勤局，关于两电极体系电位与三电极体系电位的标准
- DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 硅单片,装有正向三态输出,16位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位缓冲器及线路驱动器,氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94587 REV B-1999 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入及串联继电器的16位正向缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的10位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器及寄存器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的八位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位缓冲器/驱动器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位透明D型锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位锁存的收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 硅单片,TTL兼容输入,装有双重使动及三态输出的八位锁存的收发器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 硅单片,装有反向三态输出,TTL可兼容输入的16位收发器及锁存器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-96698-1996 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,18-BIT三状态输出收发机和寄存器扫描系统装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-98542 REV A-2003 微型电路,数字型,改进双极CMOS,同等22欧姆系列输出电阻器和带三态输出的3.3伏16位边沿触发D型触发器,TTL兼容输入,单块硅
- DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的9位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-97638 REV C-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、带总线保持功能的 3.3 伏 16 位透明 D 型锁存器、等效 22 欧姆系列输出电阻器、三态输出和 TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位D型边缘触发双稳态多谐振荡器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位边缘触发的D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位边缘触发D型双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-97638 REV B-2003 微型电路,数字型,改进双极CMOS,带总线保持功能和三态输出的3.3伏16位透明D型锁存器,等同22欧姆系列输出电阻器和TTL兼容输入,单块硅
- DLA SMD-5962-94586 REV A-2007 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-94601 REV B-1996 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的18位总线收发器及寄存器的扫描测试设置,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
SCC，关于两电极体系电位与三电极体系电位的标准
- BS QC 750110:1990 电子元件质量评估协调体系规范 半导体分立器件 空白详细规范 环境和外壳额定电流高达 100 A 的反向阻断三极晶闸管
英国标准学会，关于两电极体系电位与三电极体系电位的标准
- BS EN 60444-3:1993 石英晶体器件参数的测定.第3部分:用与并联电容量C0补偿相连的π网络相位技术测量200 MHz以下的石英器件的两极参数的基本方法
国际电工委员会，关于两电极体系电位与三电极体系电位的标准
- IECQ OD 3802-2015 IEC电子元器件质量评定体系 (IECQ体系). 寻求与发光二极管 (LED) 照明相关的元器件产品的IECQ LED元器件产品合规性证书的制造商的质量体系要求
- IECQ OD 3801-2015 IEC电子元器件质量评定体系 (IECQ体系). 与发光二极管 (LED) 照明相关的元器件产品的IECQ LED元器件产品合规性证书的签发规程
德国标准化学会，关于两电极体系电位与三电极体系电位的标准
- DIN EN 61076-4-107:2002 电子设备用连接器.第4-107部分:经质量评定的印制电路板连接器.带2.0mm基本栅极有屏蔽两段连接器详细规范;固定段带有钎焊和压制连接体;活动段带有不可靠近的绝缘位移和压接终端
可能用到的仪器设备
