ZH
EN
JP
ES
RU
DE2전극계 전위 및 3전극계 전위
모두 43항목의 2전극계 전위 및 3전극계 전위와 관련된 표준이 있다.
국제 분류에서 2전극계 전위 및 3전극계 전위와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 금속 재료 테스트, 계측 및 측정 합성, 반도체 개별 장치, 전자기 호환성(EMC), 유체 동력 시스템, 전자관, 플라스틱, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 주파수 제어 및 선택을 위한 압전 및 유전체 장치, 전등 및 관련 기기, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품.
工业和信息化部, 2전극계 전위 및 3전극계 전위
- XB/T 702-2022 금속수소-니켈전지 음극용 희토류 수소저장합금 분말의 전기화학적 특성을 시험하기 위한 3전극계 시험방법
RU-GOST R, 2전극계 전위 및 3전극계 전위
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 2전극계 전위 및 3전극계 전위
Association Francaise de Normalisation, 2전극계 전위 및 3전극계 전위
- NF C85-211:1982 전자 부품의 품질 평가를 위한 조정 시스템 빈 세부 사양 산업용 가열용 트랜지스터
- NF EN 60444-3:2001 영위상 기술을 사용하여 pi 회로의 압전 석영 결정 매개변수 측정 3부: 최대 200MHz의 주파수에서 수정 수정 공진기 극 매개변수를 측정하는 기본 방법
American Society for Testing and Materials (ASTM), 2전극계 전위 및 3전극계 전위
Defense Logistics Agency, 2전극계 전위 및 3전극계 전위
- DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 순방향 3상태 출력, 16비트 버스 트랜시버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 칩
- DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 트랜시버, 고속 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버퍼 및 라인 드라이버, 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-94587 REV B-1999 3상태 출력, TTL 호환 입력 및 직렬 릴레이, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 16비트 순방향 버퍼/라인 드라이버
- DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 실리콘 모놀리식, 포지티브 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로 장착
- DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 실리콘 모놀리식, 순방향 3상태 출력, TTL 호환 입력 10비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로 장착
- DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 순방향 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버스 트랜시버, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 트랜시버 및 레지스터, 개선된 양극 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 실리콘 모놀리식, 포지티브 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로 장착
- DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 반전된 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로가 장착된 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 반전된 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로가 장착된 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 투명 D형 래치, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 투명 D형 래치, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 역삼상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 래치 트랜시버, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 이중 활성화 및 3상태 출력을 갖춘 8비트 래치형 트랜시버, 향상된 양극 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 역삼상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 트랜시버 및 래치, 향상된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-96698-1996 방사선 경화 양극 상보성 금속 산화물 반도체, 18비트 3상태 출력 트랜시버 및 레지스터 스캔 시스템 장치, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-98542 REV A-2003 초소형 회로, 디지털 유형, 수정된 양극 CMOS, 등가 22Ω 시리즈 출력 저항기 및 3상태 출력을 갖춘 3.3V 16비트 에지 트리거 D형 플립플롭, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 9비트 버스 인터페이스 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버스 인터페이스 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 실리콘 모놀리식, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 8비트 버스 트랜시버용 스캔 테스트 설정
- DLA SMD-5962-97638 REV C-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 버스 홀드 기능이 있는 3.3V 16비트 투명 D-래치, 22Ω 등가 직렬 출력 저항기, 3상태 출력 및 TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 D형 에지 트리거 쌍안정 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
- DLA SMD-5962-97638 REV B-2003 초소형 회로, 디지털 유형, 수정된 양극 CMOS, 버스 홀드 기능 및 3상태 출력을 갖춘 3.3V 16비트 투명 D-래치, 동급 22Ω 시리즈 출력 저항기 및 TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-94586 REV A-2007 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버스 트랜시버 및 레지스터 스캔 테스트 설정, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 칩
- DLA SMD-5962-94601 REV B-1996 3상태 출력, TTL 호환 입력 18비트 버스 트랜시버 및 레지스터 스캔 테스트 설정, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
British Standards Institution (BSI), 2전극계 전위 및 3전극계 전위
- BS EN 60444-3:1993 수정 소자의 매개변수 결정 3부: 병렬 커패시턴스 C0 보상에 연결된 π 네트워크 위상 기술을 사용하여 200MHz 미만의 수정 소자의 양극 매개변수를 측정하는 기본 방법
International Electrotechnical Commission (IEC), 2전극계 전위 및 3전극계 전위
- IECQ OD 3802-2015 IEC 전자 부품 품질 평가 시스템(IECQ 시스템) 발광 다이오드(LED) 조명과 관련된 부품 제품에 대한 IECQ LED 부품 제품 적합성 인증서를 원하는 제조업체를 위한 품질 시스템 요구 사항입니다.
- IECQ OD 3801-2015 IEC 전자부품 품질평가시스템(IECQ System) 발광다이오드(LED) 조명 관련 부품제품에 대한 IECQ LED 부품제품 적합인증서 발급절차
German Institute for Standardization, 2전극계 전위 및 3전극계 전위
- DIN EN 61076-4-107:2002 전자 장비에 사용하기 위한 커넥터 부품 4-107: 품질이 승인된 인쇄 회로 기판 커넥터 2.0mm 기본 그리드가 있는 차폐형 2섹션 커넥터에 대한 세부 사양, 납땜 및 압착된 커넥터가 있는 고정 섹션, 접근할 수 없는 절연 변위 및 압착이 있는 탈착식 섹션 터미널