阳极电位 阴极电位
本专题涉及阳极电位 阴极电位的标准有242条。
国际标准分类中，阳极电位 阴极电位涉及到电子管、有色金属产品、有色金属、分析化学、电子显示器件、半导体分立器件、钢铁产品、表面处理和镀涂、水力工程、造船和海上构筑物综合、电学、磁学、电和磁的测量、能源和热传导工程综合、印制电路和印制电路板、化工产品、集成电路、微电子学、石油和天然气工业设备、水质、流体存储装置、绝缘流体、金属的腐蚀、医疗设备、地质学、气象学、水文学、冶金设备、电磁兼容性(EMC)、电工器件、电站综合、电气工程综合、核能工程、电池和蓄电池。
在中国标准分类中，阳极电位 阴极电位涉及到材料防护、物理化学特性标准物质、金属理化性能试验方法综合、钢丝、钢丝绳、电碳制品、技术管理、、冶炼设备、炭素材料、半导体集成电路、金属理化性能试验方法、石油钻采设备与仪器、轻金属及其合金、氧化物、单质、水环境有毒害物质分析方法、电化学、热化学、光学式分析仪器、金属化学性能试验方法、重金属及其合金分析方法、表面活性剂基础标准与通用方法、电磁兼容、连接器、微电路综合、水处理剂基础标准与通用方法、卫生、安全、劳动保护、电力试验技术、电子测量与仪器综合、其他特种合金、轻金属及其合金分析方法。
RU-GOST R，关于阳极电位 阴极电位的标准
- GOST 19438.12-1975 小功率电子管.相对于阴极有正电位的阳极电流和栅极电流的测量方法
- GOST 21803.3-1976 真空指示计.对阴极具有正电位的栅极电流测量方法
- GOST 21106.6-1977 阳极耗散功率超过25W的发射调制与控制管.相对于阳极有正电位的阳极和栅极的电流及阳极和栅极的零电流的测量方法
- GOST 21059.6-1979 黑白电视和彩色电视显象管.灯丝电流、阳极电流和阴极电流测量方法
- GOST 21106.7-1977 阳极耗散功率超过25W的发射调制与控制管.阴极电流的测量方法
- GOST R ISO 11713-2014 铝生产用碳质材料. 阴极块和焙制阳极. 环境温度下电阻率的测定
- GOST 21106.12-1977 阳极耗散功率超过25W的发射调制与控制管.电极间及阴极和预热器间的漏电流的测量方法
- GOST 16286-1984 电位器式传感器SSI.工业辅助电极.规范
- GOST 25995-1983 生物电位测量电极.一般技术条件和试验方法
- GOST 21106.8-1977 阳极耗散功率超过25W的发射调制与控制管.阴发射电流的测量方法
日本工业标准调查会，关于阳极电位 阴极电位的标准
- JIS H 6125:1995 阴极保护用镁电镀阳极
韩国科技标准局，关于阳极电位 阴极电位的标准
- KS D 7031-2012(2022) 阴极保护用镁电镀阳极
- KS D 7031-2012(2017) 用于阴极保护的镁电阳极
- KS D ISO 2376-2013 铝及其合金阳极氧化电击穿电位的测定
- KS D ISO 2376:2012 铝和铝合金的阳极氧化.电击穿电位的测定
- KS D ISO 2376:2013 铝和铝合金的阳极氧化 电击穿电位的测定
- KS M ISO 11713:2004 铝生产用碳质材料.阴极块和阳极块.室温下电阻的测定
- KS M ISO 11713:2013 铝生产用碳质材料 阴极块和阳极块 室温下电阻的测定
- KS M ISO 11713-2004(2009) 铝生产用碳质材料阴极块和焙烧阳极室温电阻率的测定
- KS M ISO 11713-2013 铝生产用碳质材料 阴极块和烘烤阳极 环境温度电阻率的测定
- KS D ISO 17475-2017(2022) 金属和合金的腐蚀电化学试验方法恒电位和动电位极化测量指南
- KS C IEC 61000-3-2:2010 电磁兼容性(EMC).第3-2部分:极限值.谐波电流辐射的极限值(设备输入电流为16A/相位)
- KS D 0269-2020 测定临界点蚀温度为不锈钢的电位极化测试方法
- KS D 0269-2009 恒电位极化测试不锈钢的临界点蚀温度的测定方法
美国材料与试验协会，关于阳极电位 阴极电位的标准
- ASTM G5-94 恒电位和动电位阳极极化测量的标准参考试验方法
- ASTM G5-94(1999) 恒电位和动电位阳极极化测量的标准参考试验方法
- ASTM G5-94(1999)e1 作静电位标记和动电位阳极极化测量的基准测试方法
- ASTM G5-94(2004) 作静电位标记和动电位阳极极化测量的基准测试方法
- ASTM G5-94(2011)e1 制定恒电位和动电位阳极极化测量值的标准参考试验方法
- ASTM G5-14(2021) 动电位阳极极化测量的标准参考试验方法
- ASTM G5-14e1 进行动电位阳极极化测量的标准参考试验方法
- ASTM G5-14 进行动电位阳极极化测量的标准参考试验方法
- ASTM G5-13e2 制定动电位阳极极化测量值的标准参考试验方法
- ASTM G5-13 制定动电位阳极极化测量值的标准参考试验方法
- ASTM G5-13e1 进行动电位阳极极化测量用试验方法的标准实施规程
- ASTM D6120-97 室温下阳极和阴极碳材料电阻的标准试验方法
- ASTM D6120-97(2007) 室温下阳极和阴极碳材料电阻的标准试验方法
- ASTM D6120-97(2012) 室温下阳极和阴极碳材料电阻的标准试验方法
- ASTM G215-17 电极电位测量标准指南
- ASTM G215-16 电极电位测量的标准指南
- ASTM D6120-97(2002) 阳极和阴极碳材料在室温下的电阻率的标准测试方法
- ASTM D6120-97(2017)e1 阳极和阴极碳材料在室温下的电阻率的标准测试方法
- ASTM G220-20 测量电极电位用饱和甘汞参比电极（SCE）的替代标准实施规程
- ASTM G59-97(2003) 用于进行电位极化电阻测量的标准测试方法
- ASTM G59-97(2020) 用于进行电位极化电阻测量的标准测试方法
- ASTM G59-23 进行电位动态极化电阻测量的标准试验方法
- ASTM C1165-22 在铂工作电极上用受控电位库仑法测定H
2 SO
HU-MSZT，关于阳极电位 阴极电位的标准
- MNOSZ 10172-1952 布置电极电位
- MSZ 10906/3.lap-1963 电极管电力标志测量模式．阳极电流，阴极电流，你理带来的测量电流的电网
- MSZ 10906/10.lap-1964 电动管电力标志测量模式．阴极到阳极电流提到测量的时间
美国国防后勤局，关于阳极电位 阴极电位的标准
- DLA DSCC-DWG-05017 REV B-2012 电容器，固定电解（非固体电解质），钽阳极和阴极
- DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 硅单片双极高性能10位缓冲双极数字微电路
- DLA MIL-PRF-19500/656 A-2008 半导体器件、二极管、硅、肖特基二极管、电源整流器、共阴极或共阳极中心抽头，类型 1N6785 和 1N6785R，JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA SMD-5962-95583 REV B-2008 微电路，数字，双极，TTL，并联负载 8 位移位寄存器，单片硅
- DLA SMD-5962-86023 REV D-2011 微电路、存储器、数字、双极 256 位 RAM、单片硅
- DLA SMD-5962-86051 REV D-2011 微电路、存储器、数字、双极 64 位 RAM、单片硅
- DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极 TTL、移位寄存器、单片硅
- DLA SMD-5962-78015 REV J-2010 微电路，数字，双极，存储器，64 位 RAM，单片硅
- DLA SMD-5962-88677 REV C-2009 微电路，数字，4 位双极微处理器片，单片硅
- DLA MIL-PRF-19500/642 D VALID NOTICE 1-2012 半导体器件、二极管、硅、电源整流器、双路、共阴极或阳极中心抽头、超快、1N6762 型至 1N6765 型和 1N6762R 型至 1N6765R 型 JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA SMD-5962-88541 REV C-2010 微电路、存储器、数字、双极、512 X 4 位 PROM、单片硅
- DLA SMD-5962-87788 REV E-2013 微电路、存储器、数字 256 X 4 位、双极 PROM、单片硅
- DLA SMD-5962-03202 REV A-2008 微电路，存储器，数字，1024 X 8 位双极 PROM，单片硅
- DLA SMD-5962-03203 REV A-2008 微电路，存储器，数字，2048 X 8 位双极 PROM，单片硅
- DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 微电路，数字，双极高性能 10 位缓冲器，单片硅
- DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 微电路，数字，双极性，8 位等于比较器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/210 F-2013 微电路，数字，16,384 位肖特基二极管，双极，可编程只读存储器（PROM），单片硅
- DLA A-A-55141 VALID NOTICE 2-2006 面板安装绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55141 VALID NOTICE 1-2001 面板安装绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55141-1994 面板安装绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55147 VALID NOTICE 2-2006 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55147 VALID NOTICE 1-2001 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55147-1994 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插座两极化壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA MIL-PRF-19500/644 A VALID NOTICE 2-2011 半导体器件、二极管、硅、电源整流器、双路、共阴极或阳极中心抽头、超快、1N6768 型至 1N6771 型和 1N6768R 型至 1N6771R 型 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
- DLA SMD-5962-87510 REV A-1993 硅单块 六位变换电路发射极耦合逻辑数字微型电路
- DLA A-A-55142 VALID NOTICE 2-2006 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插头两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55142 VALID NOTICE 1-2001 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插头两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55142-1993 螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位薄断面插头两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 微电路，数字，32,768 位肖特基二极管，双极性，可编程只读存储器（PROM），单片硅
- DLA SMD-5962-97587 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,具有快速进位的 4 位二进制全加器,单块硅
- DLA SMD-5962-90513-1990 硅单片,奇偶位总线收发器,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-01507 REV A-2008 微电路、数字、双极、高速前瞻进位发生器、单片硅
- DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 极速的硅单片输出箝位电路电流反馈(回授)放大线型微电路
- DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 微电路，数字，双极性，高级肖特基，TTL，8 位双向通用移位寄存器，单片硅
- DLA A-A-55140 VALID NOTICE 2-2006 预装建设螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位屏蔽插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55140 VALID NOTICE 1-2001 预装建设螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位屏蔽插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55140-1993 预装建设螺纹锁紧绝缘位移单位终止电缆24位屏蔽插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA SMD-5962-85527 REV C-2010 微电路、存储器、数字、双极、2K x 8 位、注册 PROM、单片硅
- DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 微电路、数字、双极 256 位随机存取存储器（RAM）单片硅
- DLA SMD-5962-90502-1990 硅单片,8位双向通用移位寄存器,改进型肖脱基TTL,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 硅单片,集电极开路输出,八位总线收发器,低功率改进型肖特基TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 硅单片,装有集电极开路输出八位缓冲器/驱动器,改进型肖脱基TTL双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-86017 REV D-2005 硅单块 4比特双极状态和移位控制,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87511 REV B-2007 硅单块 移位寄存器发射极耦合逻辑数字微型电路
- DLA SMD-5962-86025 REV F-2011 微电路、存储器、数字、双极、16 字、4 位、2 端口、RAM、单片硅
- DLA MIL-M-38510/206 D VALID NOTICE 1-2010 微电路，数字，4096 位肖特基，双极，可编程只读存储器（PROM）
- DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 硅单片,集电极开路输出及八位总线收发器,低功率改进型肖特基TTL双极数字微型电路
- DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有快速进位的 4 位二进制全加器、单片硅
- DLA SMD-5962-89444 REV B-2012 微电路，数字，双极，低功耗肖特基，TTL，带输入锁存器的 8 位移位寄存器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有快速进位的 4 位二进制全加器、单片硅
- DLA SMD-5962-01507-2001 单片硅两极化的数字微电路高速率预测进位发生器
- DLA SMD-5962-88698 REV D-2006 硅单片同步4位向上/向下计数器双极化数字微电路
- DLA MIL-M-38510/202 B VALID NOTICE 3-2010 微电路，数字，1024 位双极可编程只读存储器（P-ROM），单片硅
- DLA SMD-5962-88712 REV A-2010 微电路，数字，双极，高级肖特基，8 位身份比较器，单片硅
- DLA SMD-5962-87544 REV D-2013 微电路，数字，双极同步四位二进制增减计数器，单片硅
- DLA A-A-55142 VALID NOTICE 3-2011 连接器，电气，兼容 IEEE 488，矩形，微型，极化外壳，插头，薄型，24 位，扁平电缆端接，绝缘位移，螺钉锁定
- DLA SMD-5962-88602 REV C-2008 微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，16 位，串行输入，串行输出，移位寄存器，单片硅
- DLA SMD-5962-88607 REV C-2008 微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，16 位，并行输入，串行输出，移位寄存器，单片硅
- DLA SMD-5962-88710-1988 硅单片8位身份比较器肖特基TTL促进双极数字微电路
- DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 1-2009 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，8 位身份比较器，单片硅
- DLA SMD-5962-88710 REV A-2010 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，8 位身份比较器，单片硅
- DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，8 位身份比较器，单片硅
- DLA SMD-5962-88711 REV A-2007 硅单片开放电极输出8位身份比较器肖特基TTL促进数字微电路
- DLA A-A-55138 VALID NOTICE 2-2006 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55138 VALID NOTICE 1-2001 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55138-1993 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55139 VALID NOTICE 2-2006 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55139 VALID NOTICE 1-2001 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA A-A-55139-1993 粗法兰螺丝钉或锁紧钩绝缘位移终止电缆24位插座两极化外壳微型矩形IEEE488兼容电气连接器
- DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 微电路.电片硅数字双极晶体管-晶体管逻辑(TTL)同步4位加/减计数器
- DLA SMD-5962-77056-1977 六位N沟道开路漏极缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89573 REV D-2006 硅单片,8位通用寄存器,改进型肖特基双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 硅单片512 X 4位双极可编程序的只读存储器数字微电路
- DLA MIL-M-38510/204 F-2009 微电路，数字，2048 位，肖特基，双极，可编程只读存储器（PROM），单片硅
- DLA MIL-M-38510/209 E VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、8192 位肖特基、双极、可编程只读存储器（Prom）、单片硅
- DLA MIL-M-38510/210 E VALID NOTICE 1-2011 微电路、数字、16,384 位肖特基、双极、可编程只读存储器（PROM）单片硅
- DLA MIL-M-38510/203 E VALID NOTICE 1-2012 微电路，数字，1024 位肖特基，双极，可编程只读存储器（Prom），单片硅
- DLA MIL-M-38510/209 G-2013 微电路，数字，8192 位，肖特基，双极，可编程只读存储器（PROM），单片硅
- DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、移位寄存器、可级联、单片硅
- DLA SMD-5962-88627 REV C-2009 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，8 位二进制计数器，单片硅
- DLA SMD-5962-88556 REV B-2011 微电路，数字，高速 CMOS，模拟复用器/解复用器，双极四位，单片硅
- DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、移位寄存器、可级联、单片硅
未注明发布机构，关于阳极电位 阴极电位的标准
- ASTM RR-G01-1026 2013 G0005-进行动电位阳极极化测量的参考测试方法
- ASTM RR-D02-1414 1997 D6120-阳极和阴极碳材料在室温下电阻率的测试方法
SCC，关于阳极电位 阴极电位的标准
- ULC-S618-2008 钢质地下储罐阴极保护用阳极和参比电极标准
- NS-EN ISO 2376:2010 铝及其合金的阳极氧化 电击穿电位的测定（ISO 2376：2010）
- NS-EN 12373-17:2001 铝和铝合金阳极氧化 第17部分：电击穿电位的测定
- DANSK DS/EN 12373-17:2001 铝和铝合金 阳极氧化 第17部分：电击穿电位的测定
- 09/30195872 DC BS EN ISO 2376 铝及其合金的阳极氧化 电击穿电位的测定
- BS 6161-15:1987 铝及铝合金阳极氧化膜试验方法电击穿电位的测定
- DIN EN ISO 2376 E:2017 铝及其合金的阳极氧化 电击穿电位的测定（ISO/DIS 2376:2017） 草案
- AS 2039.7.1:1978 铝和铝合金阳极氧化涂层的测试方法 第 7.1 部分：绝缘测试 阳极氧化涂层击穿电位的测量
- DANSK DS/IEC 135:1967 电子管和电子管中电极的编号和单位的名称
- BS ISO 17475:2005 金属和合金的腐蚀 电化学测试方法 进行恒电位和动电位极化测量的指南
- DANSK DS/EN ISO 17475:2008 金属和合金的腐蚀 电化学测试方法 进行恒电位和动电位极化测量的指南
- DANSK DS/EN 14880:2005 表面活性剂 阴离子表面活性剂中无机硫酸盐含量的测定 电位铅选择性电极滴定法
- NS-EN 14880:2005 表面活性剂 阴离子表面活性剂中无机硫酸盐含量的测定 电位铅选择性电极滴定法
- UNE 21086:1972 交流电相位和直流电极性旋转方向的区别符号和颜色
- DIN EN ISO 17475 E:2007 金属和合金的腐蚀 电化学测试方法 进行恒电位和动电位极化测量的指南（ISO 17475:2005） 草案
- 05/30142356 DC IEC 62456 在不同溶剂介质中测量的电极电位的比较 使用二茂铁/二茂铁氧化还原电偶的半波电位
- DANSK DS/ISO 3079:2022 乙酸双电极法测量氯化物溶液中铝及铝合金的点蚀电位
- NS-EN ISO 17475:2008 金属和合金的腐蚀 电化学测试方法 进行恒电位和动电位极化测量的指南（ISO 17475：2005 / Cor 1：2006）
- AENOR UNE-EN ISO 17475:2009 金属和合金的腐蚀 电化学测试方法 进行恒电位和动电位极化测量的指南（ISO 17475:2005/Cor 1:2006）
- AASHTO T 373M/T 373-2017(2021) 混凝土钢筋用钢筋腐蚀特性比较定性试验标准方法（线性极化电阻和动电位极化试验）
- AENOR UNE 21086:1972 交流电的相位旋转方向和直流电的极性的颜色和区别标志
- AWWA WQTC69436 一氯胺微电极在氯胺分配系统生物膜中的原位应用
PL-PKN，关于阳极电位 阴极电位的标准
- PN E05030-05-1986 腐蚀防护，阴极保护，电偶阳极要求和试验
- PN T04830-05-1985 电子管彩色显像管灯丝电流．阳极电流和阴极电流的测量方法
- PN E05030-10-1990 腐蚀保护．电化学阴极保护和阳极保护术语和定义
- PN C04576-10-1986 水和废水氮测试离子选择性电极电位法测定硝态氮
GSO，关于阳极电位 阴极电位的标准
- OS GSO ISO 2376:2015 铝及其合金阳极氧化电击穿电位的测定
- BH GSO ISO 2376:2016 铝及其合金阳极氧化电击穿电位的测定
- BH GSO 2411:2015 石油和天然气工业 用于阴极保护的电镀阳极
- GSO 2411:2014 石油和天然气工业 用于阴极保护的电镀阳极
- OS GSO 2411:2014 石油和天然气工业 用于阴极保护的电镀阳极
- OS GSO 2490:2015 石油和天然气工业 用于阴极保护的外加电流阳极
- GSO ASTM D1816:2014 使用电极的石油基绝缘液的磨合电位差
- OS GSO ISO 17475:2013 金属和合金的腐蚀 电化学测试方法 进行恒电位和动电位极化测量的指南
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