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アノード電位 カソード電位

アノード電位 カソード電位は全部で 204 項標準に関連している。

アノード電位 カソード電位 国際標準分類において、これらの分類：電子管、 非鉄金属製品、 非鉄金属、 分析化学、 電子表示装置、 表面処理・メッキ、 油圧工学、 造船と海洋構造物の一体化、 電気、磁気、電気および磁気測定、 エネルギー・伝熱工学総合、 プリント回路およびプリント回路基板、 化学製品、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 石油およびガス産業の機器、 水質、 液体貯蔵装置、 金属腐食、 医療機器、 地質学、気象学、水文学、 冶金設備、 電磁両立性 (EMC)、 電子機器、 発電所総合、 鉄鋼製品、 原子力工学、 バッテリーと蓄電池。

RU-GOST R, アノード電位 カソード電位

• GOST 19438.12-1975 小電力電子管、カソードに対して正の電位におけるアノード電流とゲート電流を測定する方法
• GOST 21803.3-1976 真空指示計 カソードに正電位を与えてゲート電流を測定する方法
• GOST 21106.6-1977 アノード電力損失が 25 W を超える放射変調管および制御管。 アノードに対して正の電位およびアノードおよびグリッドのゼロ電流でのアノードおよびグリッド電流の測定方法
• GOST 21059.6-1979 白黒テレビとカラーテレビ受像管 フィラメント電流、アノード電流、カソード電流の測定方法
• GOST 21106.7-1977 アノード消費電力が 25 W を超える発光変調管および制御管。 カソード電流の測定方法
• GOST R ISO 11713-2014 アルミニウム製造用の炭素質材料 カソード ブロックと焼成アノード 周囲温度での電気抵抗率の測定
• GOST 21106.12-1977 アノード消費電力が 25 W を超える発光変調管および制御管。 電極間およびカソードと予熱器間の漏れ電流の測定方法
• GOST 16286-1984 ポテンショメータ型センサーSSI、工業用補助電極、仕様
• GOST 25995-1983 生体電位測定電極 一般的な技術条件と試験方法
• GOST 21106.8-1977 アノード消費電力が 25 W を超える発光変調管および制御管。 カソード放出電流の測定方法

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), アノード電位 カソード電位

• JIS H 6125:1995 陰極保護のためのマグネシウムメッキ陽極

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), アノード電位 カソード電位

• KS D 7031-2012(2022) 陰極保護のためのマグネシウムメッキ陽極
• KS D 7031-2012(2017) 陰極保護のためのマグネシウム陽極
• KS D ISO 2376:2012 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化 - 絶縁破壊電位の測定
• KS D ISO 2376:2013 陽極酸化アルミニウムおよびアルミニウム合金の絶縁破壊電位の測定
• KS M ISO 11713:2004 アルミニウム製造用の炭素質材料 カソード ブロックとアノード ブロック 室温での電気抵抗の測定
• KS M ISO 11713:2013 アルミニウム製造に使用される炭素質材料のカソードブロックとアノードブロックの室温耐性の測定
• KS M ISO 11713-2004(2009) アルミニウム製造に使用される炭素質材料の陰極ブロックと焼成陽極の室温抵抗率の測定
• KS D ISO 17475-2017(2022) 金属および合金の腐食に関する電気化学的試験方法 静電位分極および動電位分極測定のガイド
• KS C IEC 61000-3-2:2010 電磁両立性 (EMC) パート 3-2: 制限値 高調波電流放射の制限値 (機器の入力電流は 16A/相)
• KS D 0269-2020 ステンレス鋼の臨界孔食温度を決定するための電位差分極試験法
• KS D 0269-2009 定電位分極試験によるステンレス鋼の臨界孔食温度の決定方法

American Society for Testing and Materials (ASTM), アノード電位 カソード電位

• ASTM G5-94 定電位および動電位アノード分極測定の標準参照試験法
• ASTM G5-94(1999) 定電位および動電位アノード分極測定の標準参照試験法
• ASTM G5-94(1999)e1 静電ポテンシャルマーキングおよび動電位アノード分極測定のベンチマークテスト方法
• ASTM G5-94(2004) 静電ポテンシャルマーキングおよび動電位アノード分極測定のベンチマークテスト方法
• ASTM G5-94(2011)e1 定電位および動電位アノード分極測定のための標準参照試験法の開発
• ASTM G5-14(2021) 動電位アノード分極測定の標準参照試験法
• ASTM G5-14e1 動電位アノード分極測定を行うための標準参照試験方法
• ASTM G5-14 動電位アノード分極測定を行うための標準参照試験方法
• ASTM G5-13e2 動電位アノード分極測定のための標準参照試験法の開発
• ASTM G5-13 動電位アノード分極測定のための標準参照試験法の開発
• ASTM G5-13e1 動電位アノード分極測定を行うための試験方法の標準的な実践
• ASTM G215-17 電極電位測定の標準ガイド
• ASTM D6120-97 室温におけるアノードおよびカソード炭素材料の抵抗の標準試験方法
• ASTM D6120-97(2007) 室温におけるアノードおよびカソード炭素材料の抵抗の標準試験方法
• ASTM D6120-97(2012) 室温におけるアノードおよびカソード炭素材料の抵抗の標準試験方法
• ASTM G215-16 電極電位測定の標準ガイド
• ASTM D6120-97(2002) 室温におけるアノードおよびカソード炭素材料の抵抗率の標準試験方法
• ASTM D6120-97(2017)e1 室温におけるアノードおよびカソード炭素材料の抵抗率の標準試験方法
• ASTM G220-20 電極電位を測定するための飽和カロメル参照電極 (SCE) の代替標準手法
• ASTM G59-97(2003) 電位差分極抵抗測定を行うための標準的な試験方法
• ASTM G59-97(2020) 電位差分極抵抗測定を行うための標準的な試験方法
• ASTM G59-23 電位差動的分極抵抗測定の標準テスト方法
• ASTM C1165-22 白金作用電極での電位制御電量法による H2SO の定量

HU-MSZT, アノード電位 カソード電位

• MNOSZ 10172-1952 電極電位を整える
• MSZ 10906/3.lap-1963 電極管パワーマーク測定モード。 アノード電流、カソード電流、グリッドを持ってきて電流を測定できます
• MSZ 10906/10.lap-1964 電管パワーマーク測定モード。 カソードからアノードへの電流は測定時に上昇します

Defense Logistics Agency, アノード電位 カソード電位

• DLA DSCC-DWG-05017 REV B-2012 コンデンサー、固定電解質（非固体電解質）、タンタル陽極および陰極
• DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 シリコンモノリシックバイポーラ高性能10ビットバッファ付きバイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/656 A-2008 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキー ダイオード、電力整流器、カソード共通またはアノード共通のセンター タップ、タイプ 1N6785 および 1N6785R、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
• DLA SMD-5962-95583 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、並列負荷 8 ビット シフト レジスタ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-86023 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ 256 ビット RAM、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-86051 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ 64 ビット RAM、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ TTL、シフト レジスタ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-78015 REV J-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、メモリ、64 ビット RAM、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-88677 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、4 ビット バイポーラ マイクロプロセッサ チップ、モノリシック シリコン
• DLA MIL-PRF-19500/642 D VALID NOTICE 1-2012 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電力整流器、デュアル、共通カソードまたはアノードセンタータップ、超高速、タイプ 1N6762 ～ 1N6765 および 1N6762R ～ 1N6765R JANTX、JANTXV および JANS
• DLA SMD-5962-88541 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、512 X 4 ビット PROM、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-87788 REV E-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル 256 X 4 ビット、バイポーラ PROM、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-03202 REV A-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、1024 x 8 ビット バイポーラ PROM、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-03203 REV A-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、2048 x 8 ビット バイポーラ PROM、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ高性能 10 ビット バッファ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、8 ビット等価コンパレータ、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/210 F-2013 マイクロ回路、デジタル、16,384 ビット ショットキー ダイオード、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシック シリコン
• DLA A-A-55141 VALID NOTICE 2-2006 パネルマウント 絶縁変位ユニット 終端ケーブル 24 ポジション 薄肉ソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55141 VALID NOTICE 1-2001 パネルマウント 絶縁変位ユニット 終端ケーブル 24 ポジション 薄肉ソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55141-1994 パネルマウント 絶縁変位ユニット 終端ケーブル 24 ポジション 薄肉ソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55147 VALID NOTICE 2-2006 ねじロック絶縁変位ユニット終端ケーブル 24 ポジション薄肉ソケット極性ハウジングミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55147 VALID NOTICE 1-2001 ねじロック絶縁変位ユニット終端ケーブル 24 ポジション薄肉ソケット極性ハウジングミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55147-1994 ねじロック絶縁変位ユニット終端ケーブル 24 ポジション薄肉ソケット極性ハウジングミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA SMD-5962-87510 REV A-1993 シリコンモノリシック6ビット変換回路エミッタ結合ロジックデジタルマイクロ回路
• DLA A-A-55142 VALID NOTICE 2-2006 ねじロック絶縁変位ユニット終端ケーブル 24 極薄片プラグ極性ハウジングミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55142 VALID NOTICE 1-2001 ねじロック絶縁変位ユニット終端ケーブル 24 極薄片プラグ極性ハウジングミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55142-1993 ねじロック絶縁変位ユニット終端ケーブル 24 極薄片プラグ極性ハウジングミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA MIL-PRF-19500/644 A VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電力整流器、デュアル、共通カソードまたはアノードセンタータップ、超高速、タイプ 1N6768 ～ 1N6771 および 1N6768R ～ 1N6771R JAN、JANTX、JANTXV および JANS
• DLA SMD-5962-90513-1990 シリコンモノリシック、パリティおよび偶数ビットバストランシーバー、バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-01507 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高速先読みキャリージェネレーター、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-97587 REV A-2007 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高速キャリー付きの 4 ビット バイナリ全加算器、単一シリコン片
• DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 マイクロ回路、デジタル、32,768 ビット ショットキー ダイオード、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 非常に高速なシリコンモノリシック出力クランプ回路電流フィードバック（フィードバック）増幅リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、8 ビット双方向汎用シフト レジスタ、モノリシック シリコン
• DLA A-A-55140 VALID NOTICE 2-2006 組立済み構造 ねじロック式絶縁変位ユニット 終端ケーブル 24 極シールドソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55140 VALID NOTICE 1-2001 組立済み構造 ねじロック式絶縁変位ユニット 終端ケーブル 24 極シールドソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55140-1993 組立済み構造 ねじロック式絶縁変位ユニット 終端ケーブル 24 極シールドソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA SMD-5962-85527 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、2K x 8 ビット、レジスタード PROM、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ 256 ビット ランダム アクセス メモリ (RAM) モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-90502-1990 シリコンモノリシック、8ビット双方向汎用シフトレジスタ、改良されたショットキーTTL、バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 シリコンモノリシック、オープンコレクタ出力、8 ビットバストランシーバー、低電力修正ショットキー TTL バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 シリコンモノリシック、オープンコレクタ出力8ビットバッファ/ドライバ、修正ショットキーTTLバイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-86017 REV D-2005 シリコンモノリシック 4 ビットバイポーラ状態およびシフト制御、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87511 REV B-2007 シリコンモノリシックシフトレジスタエミッタ結合ロジックデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86025 REV F-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、16ワード、4ビット、2ポート、RAM、モノリシックシリコン
• DLA MIL-M-38510/206 D VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、4096 ビット ショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)
• DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 シリコンモノリシック、オープンコレクタ出力および 8 ビットバストランシーバ、低電力修正ショットキー TTL バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、高速キャリーを備えた 4 ビット バイナリ全加算器、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-89444 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー、TTL、入力ラッチ付き 8 ビット シフト レジスタ、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、高速キャリーを備えた 4 ビット バイナリ全加算器、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-01507-2001 モノリシックシリコンバイポーラデジタルマイクロ回路高速予測キャリージェネレーター
• DLA SMD-5962-88698 REV D-2006 シリコンモノリシック同期4ビットアップ/ダウンカウンターデュアル偏波デジタルマイクロ回路
• DLA MIL-M-38510/202 B VALID NOTICE 3-2010 マイクロ回路、デジタル、1024 ビット バイポーラ プログラマブル読み取り専用メモリ (P-ROM)、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-88712 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、8 ビット ID コンパレータ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-87544 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ同期 4 ビット バイナリ アップダウン カウンタ、モノリシック シリコン
• DLA A-A-55142 VALID NOTICE 3-2011 コネクタ、電気、IEEE 488 準拠、長方形、小型、極性ハウジング、プラグ、薄型、24 極、フラット ケーブル終端、圧接、ネジロック
• DLA SMD-5962-88602 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、16 ビット、シリアル入力、シリアル出力、シフト レジスタ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-88607 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、16 ビット、パラレル入力、シリアル出力、シフト レジスタ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-88710-1988 シリコン モノリシック 8 ビット ID コンパレータ ショットキー TTL がバイポーラ デジタルマイクロ回路を促進
• DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、8 ビット ID コンパレータ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-88710 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、8 ビット ID コンパレータ、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、8 ビット ID コンパレータ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-88711 REV A-2007 シリコン モノリシック オープン電極出力 8 ビット ID コンパレータ ショットキー TTL がデジタルマイクロ回路を促進
• DLA A-A-55138 VALID NOTICE 2-2006 太いフランジネジまたはロックフック 絶縁変位終端ケーブル 24 ポジションソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55138 VALID NOTICE 1-2001 太いフランジネジまたはロックフック 絶縁変位終端ケーブル 24 ポジションソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55138-1993 太いフランジネジまたはロックフック 絶縁変位終端ケーブル 24 ポジションソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55139 VALID NOTICE 2-2006 太いフランジネジまたはロックフック 絶縁変位終端ケーブル 24 ポジションソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55139 VALID NOTICE 1-2001 太いフランジネジまたはロックフック 絶縁変位終端ケーブル 24 ポジションソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA A-A-55139-1993 太いフランジネジまたはロックフック 絶縁変位終端ケーブル 24 ポジションソケット 極性ハウジング ミニチュア長方形 IEEE488 準拠電気コネクタ
• DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 マイクロ回路 電子シリコン デジタル バイポーラ トランジスタ - トランジスタ ロジック (TTL) 同期 4 ビット アップ/ダウン カウンタ
• DLA SMD-5962-77056-1977 6ビットNチャネルオープンドレインバッファ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89573 REV D-2006 シリコンモノリシック、8ビット汎用レジスタ、改良されたショットキーバイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 シリコンモノリシック 512 x 4 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルマイクロ回路
• DLA MIL-M-38510/204 F-2009 マイクロ回路、デジタル、2048 ビット、ショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/209 E VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、8192 ビット ショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (Prom)、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/210 E VALID NOTICE 1-2011 マイクロ回路、デジタル、16,384 ビット ショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM) モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/203 E VALID NOTICE 1-2012 マイクロ回路、デジタル、1024 ビット ショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (Prom)、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/209 G-2013 マイクロ回路、デジタル、8192 ビット、ショットキー、バイポーラ、プログラマブル読み取り専用メモリ (PROM)、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、シフト レジスタ、カスケード可能、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-88627 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、8 ビット バイナリカウンタ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-88556 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、アナログ マルチプレクサ/デマルチプレクサ、バイポーラ 4 ビット、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、シフト レジスタ、カスケード可能、モノリシック シリコン

PL-PKN, アノード電位 カソード電位

• PN E05030-05-1986 腐食防止、陰極防食、ガルバニック陽極の要件とテスト
• PN T04830-05-1985 電子管カラー受像管のフィラメント電流。 アノード電流とカソード電流の測定方法
• PN E05030-10-1990 腐食防止。 電気化学的な陰極防食および陽極防食の用語と定義
• PN C04576-10-1986 上下水の窒素検査 イオン選択電極 電位差による硝酸性窒素の測定

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, アノード電位 カソード電位

• GB/T 8754-2006 絶縁破壊電位法によるアルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の絶縁特性の測定
• GB/T 16166-1996 浜海発電所の海水冷却水システムの犠牲陽極陰極防食
• GB/T 16166-2013 浜海発電所の海水冷却水システムの犠牲陽極陰極防食
• GB 25325-2014 アルミニウム電解用プリベーク陽極の単位製品当たりのエネルギー消費限界
• GB 25325-2010 アルミニウム電解用プリベーク陽極の単位製品当たりのエネルギー消費限界
• GB 25324-2014 アルミニウム電解用黒鉛陰極カーボンブロックの単位製品当たりのエネルギー消費限度
• GB 25324-2010 アルミニウム電解用黒鉛陰極カーボンブロックの単位製品当たりのエネルギー消費限度
• GB/T 26295-2010 アルミニウム電解用炭素材料 陽極・陰極カーボンブロックのプリベーク 曲げ強度の四点測定法
• GB 8754-1988 絶縁特性をテストするための絶縁破壊電位測定法を使用したアルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化
• GB/T 24196-2009 金属および合金の腐食 電気化学的試験方法 定電位分極および動電位分極測定のガイドライン

CZ-CSN, アノード電位 カソード電位

• CSN 35 8585 Cast.1-1984 テレビの受像管。 加熱電流、アノード電流とカソード電流の測定方法
• CSN 35 7645-1964 接地電極マーキング用位置決めプレート
• CSN 84 0011-1982 生体電位取得電極。 用語と定義

British Standards Institution (BSI), アノード電位 カソード電位

• BS EN ISO 2376:2010 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化 - 絶縁破壊電位の測定
• BS 6043-3.2:1997 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料のサンプリングおよび試験方法 電極カソードブロックおよびプリベークされたアノードの密度の測定
• BS 6043-3.6:2000 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料のサンプリングおよびテスト方法 電極周囲温度でのカソード ブロックおよびプリベークされたアノードの抵抗率の決定
• BS 6043-3.3:2000 アルミニウム産業で使用される炭素質材料のサンプリングおよび試験方法 電極 寸法法によるカソード カーボン ブロックおよびプリベークされたアノードのかさ密度 (見掛け密度) の測定
• BS ISO 3079:2022 塩化物溶液中のアルミニウムおよびアルミニウム合金の孔食電位を決定するための酢酸二電極法
• BS 6043-3.4:2000 アルミニウム産業で使用される炭素質材料のサンプリングおよびテスト方法 電極 静水圧法によるカソード カーボン ブロックおよびプリベークされたアノードの開気孔率および嵩密度 (見掛け密度) の測定。

Danish Standards Foundation, アノード電位 カソード電位

• DS/EN ISO 2376:2010 陽極酸化アルミニウムおよびその合金の絶縁破壊電位の測定
• DS/EN ISO 17475:2009 定電位分極および動電位分極測定による金属および合金の腐食の電気化学的試験方法のガイド
• DS/EN 14880:2005 界面活性剤中の無機硫酸塩含有量の測定 陰イオン界面活性剤 電位差鉛選択電極滴定法

KR-KS, アノード電位 カソード電位

• KS D ISO 2376-2012 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化破壊電位の測定
• KS D ISO 17475-2017 金属および合金の腐食に関する電気化学的試験方法 静電位分極および動電位分極測定のガイド
• KS D ISO 17475-2023 金属および合金の腐食 電気化学的試験方法 定電位分極および動電位分極測定を実行するためのガイドライン

National Association of Corrosion Engineers (NACE), アノード電位 カソード電位

• NACE 10A196-1998 地下陰極防食システム用の印加電流陽極 Cat. No. 24190
• NACE SP0196-2011 スチール製貯蔵タンクの内部水没表面のガルバニック陽極陰極防食 プロジェクト番号 21077
• NACE 7L198-2009 海洋構造物用のガルバニックアノード陰極防食システムの設計 プロジェクト番号 24196
• NACE TM0294-2007 大気露出鉄筋コンクリートの陰極防食のための埋め込み印加電流陽極の試験プロジェクト番号 21225

Group Standards of the People's Republic of China, アノード電位 カソード電位

• T/CSTM 01024-2023 熱画像を利用した導電性アノードワイヤの位置決めのための故障解析方法
• T/CEC 131.11-2020 鉛蓄電池の二次利用 第11部 極板故障検出の技術仕様 電位差法

Lithuanian Standards Office , アノード電位 カソード電位

• LST EN ISO 2376:2010 陽極酸化アルミニウムおよびその合金の電気絶縁破壊電位の測定 (ISO 2376:2010)
• LST EN 14880-2006 界面活性剤中の無機硫酸塩含有量の測定 陰イオン界面活性剤 電位差鉛選択電極滴定法
• LST EN ISO 17475:2008 金属および合金の腐食電気化学試験方法のための定電位および動電位分極測定のガイド (ISO 17475:2005/Cor 1:2006)

AENOR, アノード電位 カソード電位

• UNE-EN ISO 2376:2011 陽極酸化アルミニウムおよびその合金の電気絶縁破壊電位の測定 (ISO 2376:2010)
• UNE 112015:1994 動電位アノード分極技術による硫酸塩還元細菌の培養物を使用した、生物腐食性ステンレス鋼のピット電位を決定するための実験方法
• UNE-EN 14880:2006 界面活性剤中の無機硫酸塩含有量の測定 陰イオン界面活性剤 電位差鉛選択電極滴定法
• UNE-EN ISO 17475:2009 金属および合金の腐食電気化学試験方法のための定電位および動電位分極測定のガイド (ISO 17475:2005/Cor 1:2006)

International Organization for Standardization (ISO), アノード電位 カソード電位

• ISO 11713:2000 アルミニウム製造用の炭素材料、カソードカーボンブロックおよび焼成アノードの室温抵抗率の測定
• ISO/CD 11713:2023 アルミニウムの製造に使用される炭素質材料のカソード ブロックおよび焼成アノードの周囲温度での抵抗率の測定
• ISO 3079:2022 酢酸二重電極法を用いた塩化物溶液中でのアルミニウムおよびアルミニウム合金の孔食電位の測定

Professional Standard - Petroleum, アノード電位 カソード電位

• SY/T 6973-2013 石油岩刺激分極電位測定器
• SY 6973-2013 石油岩刺激分極電位測定器

IN-BIS, アノード電位 カソード電位

• IS 8554-1977 絶縁破壊電位の測定により陽極酸化皮膜の絶縁性を確認する方法

Association Francaise de Normalisation, アノード電位 カソード電位

• NF T90-008:1953 水試験 ガラス電極ポテンショメータによる pH 値の測定
• NF A05-403*NF EN ISO 17475:2008 金属および合金の腐食、電気化学的試験方法、定電位分極および動電位分極測定の実践ガイド。
• NF T73-293*NF EN 14880:2005 界面活性剤 アニオン性界面活性剤の無機硫酸塩含量の測定 鉛選択電極滴定法の電位差測定
• NF EN 14880:2005 界面活性剤 陰イオン界面活性剤中の無機硫酸塩含量の測定 鉛選択膜電極電位差滴定法

American National Standards Institute （ANSI), アノード電位 カソード電位

• ANSI/AWWA D104-2010 鋼製水槽内の水に浸漬された部品の自動制御と印加電流陰極防食

Professional Standard - Aviation, アノード電位 カソード電位

• HB/Z 5104.2-1999 アルミニウム合金硫酸陽極酸化処理液の分析方法 電位差滴定法によるアルミニウム含有量の定量
• HB/Z 339.2-1999 アルミニウム合金クロム酸陽極酸化処理液の分析方法 電位差滴定による塩素イオン含有量の定量
• HB/Z 5104.3-1999 アルミニウム合金硫酸陽極酸化処理液の分析方法 電位差滴定による塩素イオン含有量の測定
• HB/Z 5104.1-1999 アルミニウム合金硫酸陽極酸化処理液の分析方法 電位差滴定法により遊離硫酸と結合硫酸の含有量を測定します。

Professional Standard - Non-ferrous Metal, アノード電位 カソード電位

• YS/T 63.2-2006 アルミニウム用炭素材料の試験方法その2：陰極カーボンブロックおよびプリベーク陽極の室温抵抗率の測定

Professional Standard - Ocean, アノード電位 カソード電位

• HY/T 192-2015 海水環境における金属材料の動電位分極抵抗試験方法

European Committee for Standardization (CEN), アノード電位 カソード電位

• EN ISO 17475:2008 金属および合金の腐食、電気化学的試験方法、定電位分極および動電位分極測定の実践ガイド。

German Institute for Standardization, アノード電位 カソード電位

• DIN EN ISO 17475:2008-07 金属および合金の腐食 - 電気化学的試験方法 - 定電位分極および動電位分極測定の実施ガイド
• DIN EN ISO 17475:2008 金属および合金の腐食 電気化学的試験方法 静電分極および動電位分極測定を実行するためのガイドライン
• DIN EN 14880:2005-11 界面活性剤 陰イオン界面活性剤中の無機硫酸塩含有量の測定 電位差鉛選択電極滴定 ドイツ語版 EN 14880:2005

Yunnan Provincial Standard of the People's Republic of China, アノード電位 カソード電位

• DB53/T 656.5-2014 非鉄金属鉛精錬システム一式設備 パート5：カソード・アノードスペーシングユニット
• DB53/T 656.8-2014 非鉄金属鉛精製システムの機器一式 パート 8: 陰極板および陽極板用の回転スリング

Professional Standard - Chemical Industry, アノード電位 カソード電位

• HG/T 4543-2013 動電位分極曲線法による水処理剤の腐食抑制性能の測定

Professional Standard - Commodity Inspection, アノード電位 カソード電位

• SN/T 3593-2013 高級黒鉛電極チップおよび浸炭剤の揮発成分の測定

International Electrotechnical Commission (IEC), アノード電位 カソード電位

• IEC 61000-3-2:1995 電磁両立性 (EMC) パート 3: 制限値 セクション 2: 高調波電流放射の制限値 (機器の入力電流は 16A/相)
• IEC 61000-3-2/AMD1:1997 電磁両立性 (EMC) パート 3: 制限値 セクション 2: 高調波電流放射の制限値 (機器の入力電流は 16A/相) 変更 1
• IEC 61000-3-2/AMD2:1998 電磁両立性 (EMC) パート 3: 制限値 セクション 2: 高調波電流放射の制限値 (機器入力電流 16A/相) リビジョン 2

ES-AENOR, アノード電位 カソード電位

• UNE 21 086 AC 電極と DC 電極での回転方向の色とマーキングの識別

Professional Standard - Electricity, アノード電位 カソード電位

• DL/T 253-2012 DC接地電極の接地抵抗、接地電位分布、ステップ電圧、シャントの測定方法

Hunan Provincial Standard of the People's Republic of China, アノード電位 カソード電位

• DB43/T 1591-2019 リチウム電池正極材料の製品単位当たりのエネルギー消費限界とその計算方法

AASHTO - American Association of State Highway and Transportation Officials, アノード電位 カソード電位

• T 373M/T 373-2017 コンクリート鉄筋の定性的腐食特性の比較に関する標準試験方法（直線分極抵抗および動電位分極試験）

その他：   陽極電位, 陰極電位, 陽極電位, 陽極ピーク電位, カソード電位 アノード, 陰極電位, 正極電位と負極電位, アノード電位とカソード電位, 陰極と陽極の電位, アノード電位 カソード電位, カソードピーク電位, 陽極電位, 陽極分極電位, 分極性アノード電位, カソードピーク電位, 負極リチウム電位, アノードおよびカソードのピーク電位, アノード カソード電位, 潜在的なカソード アノード, アノードとカソードの電位.