acht gültige Zustände

Für die acht gültige Zustände gibt es insgesamt 283 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst acht gültige Zustände die folgenden Kategorien: Bodenqualität, Bodenkunde, Fischerei und Aquakultur, Einrichtungen im Gebäude, Eigenschaften und Design von Maschinen, Anlagen und Geräten, Allgemeine Methoden der Lebensmittelprüfung und -analyse, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Dünger, Industrielles Automatisierungssystem, Land-und Forstwirtschaft, Pestizide und andere landwirtschaftliche Chemikalien, Kriminalprävention, Landmaschinen, Werkzeuge und Geräte, Erdöl und verwandte Technologien, Strahlenschutz, Elektrische Traktionsausrüstung, Fahrzeuge, Desinfektion und Sterilisation, Umfassende Verpackung und Transport von Waren, Frachtversand, Feuer bekämpfen, Wasserqualität, Umweltschutz, Diskrete Halbleitergeräte.

Hubei Provincial Standard of the People's Republic of China, acht gültige Zustände

DB42/T 2032-2023 Bestimmung von 4 Arten von verfügbarem Arsen und 4 Arten von verfügbarem Selen im Boden durch Flüssigkeitschromatographie-Atomfluoreszenzmethode

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, acht gültige Zustände

JJF 1330-2011 Kalibrierungsspezifikation für Instantaneous Effective Intensity Tester

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, acht gültige Zustände

DB13/T 2537-2017 Technische Spezifikationen für eine artenübergreifende, ökologisch effiziente Polykultur in großen Teichen

Group Standards of the People's Republic of China, acht gültige Zustände

T/ZNZ 082-2021 Bestimmung des verfügbaren Quecksilbers im Boden mittels Atomfluoreszenzspektrometrie
T/NAIA 0200-2023 Bestimmung verschiedener organischer Säuren in Wein mittels Hochleistungsflüssigkeitschromatographie
T/BSRS 061-2021 Technische Anforderungen für die Prüfungsberechnung der öffentlichen effektiven Dosis, die durch Abwässer des Kernkraftwerks im Normalbetrieb verursacht wird
T/GDNB 46-2021 Extraktion der Bioverfügbarkeit von Schwermetallen im Reisboden. Die Diffusionsgradienten in der optischen Emissionsspektrometrie mit dünnem Film und induktiv gekoppeltem Plasma
T/CI 110-2022 Extraktionsverfahren für wirksames dreiwertiges und fünfwertiges Arsen im Standortboden durch magnetische Biokohlefilm-Diffusionsgradienten-Technologie (MB-DGT)

Henan Provincial Standard of the People's Republic of China, acht gültige Zustände

DB41/T 813-2013 Bestimmung des verfügbaren Antimons im Boden durch die Atomfluoreszenzmethode

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, acht gültige Zustände

GJB 5214.12-2003 Spezielle Methode zur Prüfung der Wirkung von Munition, Teil 12: Fotografische Methode zur Messung der effektiven Nebelwandbreite und der effektiven Nebelwandhöhe von Nebelprojektilen
GJB 8670.11-2015 Spezielles Verfahren zur Prüfung der Wirkung von Munition, Teil 11: Fotografisches Verfahren zur Bestimmung der effektiven Nebelwandbreite und der effektiven Nebelwandhöhe von Nebelprojektilen
GJB 8706.15-2015 Spezielle Methoden zur Prüfung der Wirkung von Fliegerbomben. Teil 15: Fotografische Methode zur Bestimmung der effektiven Nebelwandbreite und der effektiven Nebelwandhöhe am Boden von Rauchbomben aus der Luft
GJB 8706.19-2015 Spezielle Methode zur Prüfung der Luftbombenwirkung, Teil 19: Statische Brenndauer von Brandbomben aus der Luft

Association Francaise de Normalisation, acht gültige Zustände

NF C44-101:1993 Statische Wechselstrom-Wattstundenzähler für Wirkenergie (Klassen 0,2 S und 0,5 S).
NF C44-109:1996 Abnahmeprüfung für direkt angeschlossene statische Wechselstrom-Wattstundenzähler für Wirkenergie (Klassen 1 und 2).
NF C44-053-22*NF EN 62053-22:2003 Elektrizitätsmessgeräte (Wechselstrom) – Besondere Anforderungen Teil 22: Statische Zähler für Wirkenergie (Klassen 0,2 S und 0,5 S)
NF C44-053-21*NF EN 62053-21:2003 Elektrizitätsmessgeräte (Wechselstrom) – Besondere Anforderungen – Teil 21: Statische Zähler für Wirkenergie (Klassen 1 und 2)
NF F21-317*NF EN 50317:2013 Bahnanwendungen - Stromerfassungssysteme - Anforderungen und Validierung von Messungen der dynamischen Wechselwirkung zwischen Stromabnehmer und Oberleitung
XP P18-461:2012 Prüfung von Festbeton – Beschleunigter Test der Chloridionenmigration unter stationären Bedingungen – Bestimmung des effektiven Chloridionen-Diffusionskoeffizienten
NF T72-171:1988 WASSERMISCHBARE ANTISEPTIKA UND DESINFEKTIONSMITTEL IN FLÜSSIGER FORM. BESTIMMUNG DER BAKTERIZIDEN AKTIVITÄT IN ANWESENHEIT SPEZIFISCHER STÖRSTOFFE (MEMBRANFILTRATIONSMETHODE).
NF EN 15433-3:2008 Transportlasten – Messung und Analyse dynamischer mechanischer Lasten – Teil 3: Überprüfung der Datengültigkeit und Aufbereitung der Daten zur Auswertung
NF X70-103*NF ISO 19703:2019 Entstehung und Analyse toxischer Gase bei Bränden – Berechnung von Artenausbeuten, Äquivalenzverhältnissen und Verbrennungseffizienz bei Versuchsbränden
NF C44-470-3*NF EN 50470-3:2007 Elektrizitätsmessgeräte (Wechselstrom) – Teil 3: Besondere Anforderungen – Statische Zähler für Wirkenergie (Klassenindizes A, B und C).
NF T90-115:2004 Wasserqualität – Bestimmung von 15 polyzyklischen aromatischen Kohlenwasserstoffen (PAK) in Wasser mittels HPLC mit Fluoreszenzdetektion nach Flüssig-Flüssig-Extraktion.
NF X70-103:2010 Entstehung und Analyse toxischer Gase bei Bränden – Berechnung von Artenausbeuten, Äquivalenzverhältnissen und Verbrennungseffizienz bei Versuchsbränden.
NF T90-090*NF EN ISO 17993:2004 Wasserqualität – Bestimmung von 15 polyzyklischen aromatischen Kohlenwasserstoffen (PAK) in Wasser mittels HPLC mit Fluoreszenzdetektion nach Flüssig-Flüssig-Extraktion.
NF T72-170:1988 WASSERMISCHBARE UND NEUTRALISIERBARE ANTISEPTIKA UND DESINFEKTIONSMITTEL, DIE IN FLÜSSIGER FORM VERWENDET WERDEN. BESTIMMUNG DER BAKTERIZIDEN AKTIVITÄT IN GEGENWART SPEZIFISCHER STÖRSTOFFE (VERDÜNNUNGS-NEUTRALISIERUNGSMETHODE).

RU-GOST R, acht gültige Zustände

GOST R 27.404-2009 Zuverlässigkeit in der Technik. Konformitätstestpläne für dauerhafte Verfügbarkeit
GOST R IEC 61003-1-2017 Kontrollsysteme für industrielle Prozesse. Instrumente mit analogen Eingängen und Zwei- oder Mehrzustandsausgängen. Teil 1. Methoden zur Leistungsbewertung
GOST EN 15750-2016 Düngemittel. Bestimmung des Gesamtstickstoffs in Düngemitteln, die ausschließlich Stickstoff in Form von Salpeter-, Ammoniak- und Harnstoffstickstoff enthalten, nach zwei verschiedenen Methoden
GOST 12.4.259-2014 Arbeitssicherheitsnormensystem. Schutzkleidung gegen flüssige Chemikalien. Leistungsanforderungen an Chemikalienschutzkleidung mit begrenzter Schutzleistung gegen flüssige Chemikalien. (Typen 6 und PB [6])

Professional Standard - Agriculture, acht gültige Zustände

NY/T 1849-2010 Methode zur Bestimmung von Ammoniumstickstoff, verfügbarem Phosphor und schnell verfügbarem Kalium in sauren Böden Universelle extraktkolorimetrische Methode
NY/T 1848-2010 Methode zur Bestimmung von Ammoniumstickstoff, verfügbarem Phosphor und schnell verfügbarem Kalium in neutralen oder kalkhaltigen Böden Universelle extraktkolorimetrische Methode
NY/T 890-2004 Bestimmung des verfügbaren Zinks, Mangans, Eisens und Kupfers bei der Bodenextraktion mit gepufferter DTPA-Lösung

Society of Motion Picture and Television Engineers (SMPTE), acht gültige Zustände

SMPTE 352M-2002 Fernsehen (dynamisch) – Video-Payload-Identifizierung für digitale Schnittstellen

BE-NBN, acht gültige Zustände

NBN 761.05-1969 Abnehmbare, isolierte Betätigungsstange mit Wirkstoff. für den Innen- und Außenbereich
NBN 761.06-1969 Abnehmbarer isolierter Bedienhebel mit zwei Wirkstoffen. für den Innen- und Außenbereich

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, acht gültige Zustände

GJB 6238.21-2008 Testmethode für die Wirkung spezieller Fliegerbomben. Teil 21: Menge und Zündrate für die statisch detonationswirksame Brandeinheit einer Fliegerbrandbombe
GJB 6238.16-2008 Testmethode für die Wirkung spezieller Fliegerbomben. Teil 16: Effektive Breite und Höhe von Rauchbomben. Kameramethode
GJB 6238.15-2008 Testmethode für die Wirkung einer speziellen Fliegerbombe. Teil 15: Effektive Breite und Höhe einer Rauchbombe. Fotomethode
GJB 6238.19-2008 Testmethode für die Wirkung einer speziellen Fliegerbombe. Teil 19: Statische Brenndauer für die Brandeinheit einer Fliegerbrandbombe

Defense Logistics Agency, acht gültige Zustände

DLA SMD-5962-84096 REV H-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04760 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86813 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTALER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85128 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTALER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97543 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87694 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92179 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92180 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84074 REV F-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, INVERTIERENDER OKTALPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89722 REV A-2010 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, ADVANCED SCHOTTKY, TTL, OKTAL 30-OHM ÜBERTRAGUNGSLEITUNGSTREIBER/BACKPLANE-TRANSCEIVERS NINV, (OFFENER KOLLEKTOR MIT ENABLE MIT DREI STAATEN), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 MIKROSCHALTER, DIGITALER, BIPOLARER OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-NICHTINVERTIERENDEN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04665 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04666 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97594 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97595 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88706 REV E-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89682 REV C-2011 MIKROKALTER TRANSCEIVER/REGISTER, DIGITAL, ADVANCED CMOS, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87629 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLER CMOS, NICHTINVERTIERENDER OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90506 REV B-2012 MIKROSCHALTER, DIGITALER, BIPOLARER OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-NICHTINVERTIERENDEN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87551 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREISTATUS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04621 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER D-TYP TRANSPARENTER LATCH MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87695 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04667 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97575 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86062 REV E-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTALER INVERTIERENDER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87695 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84072 REV G-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-TRANSPARENTE D-TYP-LATCHES MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89513 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OCTAL-D-REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95656 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-D-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85130 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTALPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04762 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96588 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88639 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREISTATUS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Oktalpuffer-Gates mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA DSCC-VID-V62/05602 REV A-2011 DIGITALER MIKROKALBUS-TRANSCEIVER MIT EINSTELLBARER AUSGANGSSPANNUNG UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96856 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96866 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96807 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-85506 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04663 REV A-2010 MIKROKALTER, DIGITALER NIEDERSPANNUNGS-CMOS, D-TYP-FLIP-FLOP MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04668 REV A-2010 MIKROKALTER, DIGITALER NIEDERSPANNUNGS-CMOS, D-TYP-FLIP-FLOP MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97574 REV D-2010 MIKROKALTER, DIGITALER NIEDERSPANNUNGS-CMOS, D-TYP-FLIP-FLOPP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97576 REV C-2010 MIKROKALTER, DIGITALER NIEDERSPANNUNGS-CMOS, D-TYP-FLIP-FLOPP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/03607 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92176 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88706 REV F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96850 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, INVERTIERENDER OKTALPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, OKTAL-PUFFER-GATES MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89989-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85507 REV F-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89557 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94528 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALES 16-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87550 REV G-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89658 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87550 REV H-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92188 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, fortschrittliche Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Oktalpuffer-Gates mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-86867 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90514 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90870 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL REGISTRIERTER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92222 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OKTAL-D-REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92238 REV D-2008 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI STATUS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96854 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OCTAL EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP MIT 3-STATE-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96864 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OCTAL EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96819 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96570 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04680 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 3,3-V-ABT-OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96570 REV E-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04761 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER, MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92196 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER/REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87628 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OKTALES NICHTINVERTIERENDES D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN UND TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-TRANSPARENTE D-TYP-LATCHES MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER TRANSCEIVER/REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89732-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96858 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDSAUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97626 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89795 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-BUSPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97627 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04620 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89742 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OCTAL D-TYP EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92194 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94618 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89795 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-BUSPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96573 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96573 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86856 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTALER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN UND LS-TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96573 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87644 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHTINVERTIERENDER OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96573 REV F-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87644 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHTINVERTIERENDER OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96573 REV G-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90516 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL D-TYP EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90746 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALER D-TYP TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92216 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, UNIVERSAL-SCHIEBREGISTER MIT ACHT EINGÄNGEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92237 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLER CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHER NIEDRIGER ENERGIE-SHOTTKY, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93227 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04676 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3 V ABT OCTAL EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP MIT 3-STATE-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87556 REV E-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96589 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92185 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALER PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92186 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALER PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87556 REV F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95661 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89766 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHTINVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96591 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DREI-ZUSTANDS-OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89724 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, OCTAL-D-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96853 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALES TRANSPARENTES D-TYP-FLIP-FLOP MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94577 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96855 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93086 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96867 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96783 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93218 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93219 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93242 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94577 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87655 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, INVERTIERENDER OKTAL-LEITUNGSTREIBER/PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95731 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, NICHT INVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87655 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, INVERTIERENDER OKTAL-LEITUNGSTREIBER/PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96571 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04698 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90625 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90743 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89658 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93217 REV B-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-TRIGGERED-TYP-FLIP-FLOP MIT KLAREN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93220 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89795 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALER BUS-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92314 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-VERRIEGELTER TRANSCEIVER MIT DUAL-ENABLE, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97623 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER MIT BUSHALTE- UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87759 REV E-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87759 REV F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89767 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, INVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, OKTAL-PUFFER-GATES MIT DREI ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OCTAL D-TYP EDGE-GETriggertes FLIP-Flop mit DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89602 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, OKTALPUFFER UND TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92147 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT NICHT-INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96865 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OCTAL EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94718 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT NICHT-INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93220 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96595 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, NICHTINVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZU-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96595 REV E-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, NICHTINVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96595 REV G-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, NICHTINVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96595 REV H-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, NICHTINVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZU-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90748 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89722-1989 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, ADVANCED SCHOTTKY, TTL, OKTAL 30-OHM ÜBERTRAGUNGSLEITUNGS-/BACKPLANE-TRANSCEIVERS NINV (OFFENER KOLLEKTOR MIT ENABLE MIT DREI STAATEN), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89742 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OCTAL D-TYP EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER, INVERTIEREND, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90523 REV B-2003 DIGITALE, BIPOLARE, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNGS-SCHOTTKY-TTL-, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS UND -REGISTER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89601 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-POSITIVES, kantengetriggertes D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDSAUSGÄNGEN UND TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96569 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, INVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95751 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, STRAHLUNGSGEHÄRTETER, NICHT INVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90741 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89601 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-POSITIV-KANTEN-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDSAUSGÄNGEN UND TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHTINVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, INVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89847 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93250 REV A-2005 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN UND 25-OHM-PULL-DOWN-WIDERSTÄNDEN IN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95642 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-Volt-OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90523 REV C-2009 DIGITALE, BIPOLARE, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNGS-SCHOTTKY-TTL-, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS UND -REGISTER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90939 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT INVERTIERTEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89769 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DATENKREIS, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92184 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, PUFFERLEITUNG/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92185 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALER PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92186 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALER PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-VERRIEGELTER TRANSCEIVER MIT DUAL-ENABLE, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94697 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT WIDERSTAND DER 25-OHM-SERIE UND INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96748 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-Volt-OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91753 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHER SCHOTTKY-, TTL-, OKTAL-PUFFER MIT AKTIVER LOW-FREIGABE, DREI-ZUSTANDS-NICHTINVERTIERTE AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92244 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, OKTALER BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93026-1995 MIKROKALTER, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, D-TYP-FLIP-FLOP MIT STROMBEGRENZUNGSWIDERSTÄNDEN UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92242 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92243-1993 DIGITALER, SCHNELLER CMOS-OKTAL-INVERTIERENDER BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT MIKROKREISKREIS, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92246 REV B-1996 Mikroschaltkreis, digital, schnelles CMOS, oktaler Transceiver/Register mit drei Zuständen, TTL-kompatible Eingänge und begrenzte Ausgangsspannungsschwankung, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT TAKTFREIGABE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94586 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92204 REV A-1996 MIKROSCHALTER, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, NICHT INVERTIERENDER, OKTAL REGISTRIERTER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTEM AUSGANGSSPANNUNGSSCHWING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92237 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLER CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, acht gültige Zustände

GB/T 23739-2009 Bodenqualität.Analyse der verfügbaren Blei- und Cadmiumgehalte in Böden.Atomabsorptionsspektrometrie
GB/T 42642-2023 Technische Richtlinien für die Überwachung der ökologischen Wiederherstellung und die Bewertung der Auswirkungen mariner benthischer Faunapopulationen
GB/T 16587-1996 Schnelle gaschromatographische Methode zur Analyse der Wirkstoffe von Pestiziden – Teil 1: 12 Arten von Pestiziden
GB/T 21160-2007 Landwirtschaftliche Anhänger. Ausgeglichene und aufgesattelte Anhänger. Bestimmung der Nutzlast, der vertikalen statischen Last und der Achslast

Professional Standard - Environmental Protection, acht gültige Zustände

HJ 804-2016 Boden – Bestimmung der bioverfügbaren Form von acht Elementen – Extraktion mit gepufferter DTPA-Lösung/optische Emissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma

International Telecommunication Union (ITU), acht gültige Zustände

ITU-T V.1 FRENCH-1988 Äquivalenz zwischen binären Notationssymbolen und den signifikanten Bedingungen eines Codes mit zwei Bedingungen
ITU-T V.1 SPANISH-1988 Äquivalenz zwischen binären Notationssymbolen und den signifikanten Bedingungen eines Codes mit zwei Bedingungen
ITU-T G.774.2 FRENCH-2001 Synchrone digitale Hierarchie (SDH) – Konfiguration der Nutzlaststruktur für die Netzwerkelementansicht
ITU-T V.1-1988 Äquivalenz zwischen binären Notationssymbolen und den signifikanten Bedingungen eines Codes mit zwei Bedingungen

German Institute for Standardization, acht gültige Zustände

DIN 1164-10:2023-02 Spezialzement – Teil 10: Zement mit geringem effektiven Alkaligehalt – Zusammensetzung und Anforderungen
DIN CEN/TS 15750:2008 Düngemittel – Bestimmung des Gesamtstickstoffs in Düngemitteln, die ausschließlich Stickstoff in Form von Salpeter-, Ammoniak- und Harnstoffstickstoff enthalten, nach zwei verschiedenen Methoden; Deutsche Fassung CEN/TS 15750:2008
DIN EN 50317/A2 Berichtigung 1:2008 Bahnanwendungen - Stromerfassungssysteme - Anforderungen und Validierung von Messungen der dynamischen Wechselwirkung zwischen Stromabnehmer und Oberleitung; Deutsche Fassung EN 50317:2002/A2:2007, Berichtigungen zu DIN EN 50317/A2 (VDE 0115-503/
DIN EN 50317/A1:2005 Bahnanwendungen - Stromerfassungssysteme - Anforderungen und Validierung von Messungen der dynamischen Wechselwirkung zwischen Stromabnehmer und Oberleitung; Deutsche Fassung EN 50317:2002/A1:2004
DIN EN 15433-3:2008-02 Transportlasten - Messung und Bewertung dynamischer mechanischer Lasten - Teil 3: Datenvaliditätsprüfung und Datenaufbereitung zur Auswertung; Deutsche Fassung EN 15433-3:2007
DIN 11746:1999 Landmaschinen - Bestimmung der Stützlast, Stützlast, Achslast - Starrdeichselanhänger, Deichselanhänger

GB-REG, acht gültige Zustände

REG NASA-LLIS-3637-2011 Gelernte Erkenntnisse: Spezifikation für die vielfältige Installation temporärer Nutzlast-Integrationshardware

European Committee for Standardization (CEN), acht gültige Zustände

PD CEN/TS 15750:2008 Düngemittel – Bestimmung verschiedener Formen von Stickstoff in Düngemitteln, die nur Stickstoff in Form von Stickstoff, Ammoniak und Harnstoffstickstoff enthalten, mit zwei verschiedenen Methoden
EN 17927:2023 Sicherheitsbewertungsstandard für IoT-Plattformen (SESIP). Eine wirksame Methode zur Anwendung der Cybersicherheitsbewertung und Wiederverwendung für vernetzte Produkte.

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, acht gültige Zustände

DB52/T 1465-2019 Gradient Diffusion Thin Film (DGT)-Methode zur Extraktion des effektiven Zustands von Schwermetall Cadmium aus Böden landwirtschaftlicher Erzeugnisse

Tianjin Provincial Standard of the People's Republic of China, acht gültige Zustände

DB12/T 1269-2023 Bestimmung des verfügbaren Eisens, Mangans, Kupfers und Zinks im Boden durch Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma
DB12/T 1268-2023 Bestimmung des verfügbaren Cadmiums im Boden von Gemüseanbaugebieten mittels Massenspektrometrie mit Gradientendiffusionsfilmextraktion und induktiv gekoppeltem Plasma

Anhui Provincial Standard of the People's Republic of China, acht gültige Zustände

DB34/T 2824-2017 Bestimmung von vier Arsenspezies in chinesischen Kräutermedizin mittels Hochleistungsflüssigkeitschromatographie und induktiv gekoppelter Plasma-Massenspektrometrie

Professional Standard - Public Safety Standards, acht gültige Zustände

GA/T 1612-2019 Gaschromatographie und Gaschromatographie-Massenspektrometrie zum Nachweis von acht Organophosphor-Pestiziden wie Dimethoat in forensischen biologischen Proben

Shandong Provincial Standard of the People's Republic of China, acht gültige Zustände

DB37/T 4478.3-2021 Ökologisch effizientes Pflanzmodell eines breitflächigen Zwischenfruchtanbaus charakteristischer Getreide- und Ölpflanzen. Teil 3: Hochwertiger Hirse- und Erdnusszwischenfruchtanbau
DB37/T 4478.4-2021 Ökologisch effizientes Pflanzmodell für den breiten Zwischenfruchtanbau charakteristischer Getreide- und Ölpflanzen. Teil 4: Spezieller Zwischenfruchtanbau für rotes Sorghum und Erdnüsse
DB37/T 4478.5-2021 Ökologisch effizientes Pflanzmodell für den breiten Zwischenfruchtanbau charakteristischer Getreide- und Ölpflanzen. Teil 5: Zwischenfruchtanbau von Sonnenblumen und Erdnüssen für Öl
DB37/T 4478.2-2021 Ökologisch effizientes Pflanzmodell für den breitflächigen Zwischenfruchtanbau charakteristischer Getreide- und Ölpflanzen. Teil 2: Breitflächiger Zwischenfruchtanbau von frischem Mais und Edamame
DB37/T 4478.1-2021 Ökologisch effizientes Pflanzmodell für den breitflächigen Zwischenfruchtanbau charakteristischer Getreide- und Ölpflanzen. Teil 1: Breitflächiger Zwischenfruchtanbau von frischem Mais und Erdnüssen

Professional Standard - Supply and Marketing Cooperative, acht gültige Zustände

GH/T 1429-2023 Bestimmung von fünf Formen von Selen in landwirtschaftlichen Produkten durch Hochleistungsflüssigkeitschromatographie-induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometrie

Professional Standard - Commodity Inspection, acht gültige Zustände

SN/T 3933-2014 Bestimmung von 6 Arsenspeziationen in Exportlebensmitteln. Hochleistungsflüssigkeitschromatographie-induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometrie

IX-EU/EC, acht gültige Zustände

75/716/EEC-1975 Richtlinie des Rates zur Angleichung der Rechtsvorschriften der Mitgliedstaaten über den Schwefelgehalt bestimmter flüssiger Brennstoffe
NO 278/2009-2009 VERORDNUNG DER KOMMISSION zur Umsetzung der Richtlinie 2005/32/EG des Europäischen Parlaments und des Rates im Hinblick auf Ökodesign-Anforderungen für den Stromverbrauch im Leerlauf und den durchschnittlichen aktiven Wirkungsgrad externer Stromversorgungen (Text mit

British Standards Institution (BSI), acht gültige Zustände

BS EN 50317:2002+A2:2007 Bahnanwendungen. Aktuelle Sammelsysteme. Anforderungen und Validierung von Messungen der dynamischen Wechselwirkung zwischen Stromabnehmer und Oberleitung
BS EN 50318:2002 Bahnanwendungen – Stromerfassungssysteme – Validierung der Simulation der dynamischen Interaktion zwischen Stromabnehmer und Oberleitung
23/30462550 DC BS EN 17927 Sicherheitsbewertungsstandard für IoT-Plattformen (SESIP). Eine wirksame Methode zur Anwendung der Cybersicherheitsbewertung und Wiederverwendung für vernetzte Produkte.

US-CFR-file, acht gültige Zustände

CFR 5-831.1722-2014 Verwaltungspersonal. Teil831: Ruhestand. SubpartQ: Altersteilzeit. Abschnitt 831.1722: Inkrafttreten des Endes des Altersteilzeitstatus zur Rückkehr in den regulären Beschäftigungsstatus.
CFR 5-848.302-2014 Verwaltungspersonal. Teil848: Altersteilzeit. Unterabschnitt C: Rückkehr zum regulären Beschäftigungsstatus. Abschnitt 848.302: Inkrafttreten des Endes des Altersteilzeitstatus zur Rückkehr in den regulären Beschäftigungsstatus.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, acht gültige Zustände

EN 50318:2002 Bahnanwendungen – Stromerfassungssysteme – Validierung der Simulation der dynamischen Interaktion zwischen Stromabnehmer und Oberleitung

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, acht gültige Zustände

EN 50318:2018 Bahnanwendungen – Stromerfassungssysteme – Validierung der Simulation der dynamischen Interaktion zwischen Stromabnehmer und Oberleitung

Danish Standards Foundation, acht gültige Zustände

DS/EN 15433-3:2008 Transportlasten – Messung und Bewertung dynamischer mechanischer Lasten – Teil 3: Datenvaliditätsprüfung und Datenaufbereitung zur Auswertung
DS/ISO 19703:2010 Entstehung und Analyse toxischer Gase bei Bränden – Berechnung von Artenausbeuten, Äquivalenzverhältnissen und Verbrennungseffizienz bei Versuchsbränden

Lithuanian Standards Office , acht gültige Zustände

LST EN 15433-3-2008 Transportlasten – Messung und Bewertung dynamischer mechanischer Lasten – Teil 3: Datenvaliditätsprüfung und Datenaufbereitung zur Auswertung

AENOR, acht gültige Zustände

UNE-EN 15433-3:2008 Transportlasten – Messung und Bewertung dynamischer mechanischer Lasten – Teil 3: Datenvaliditätsprüfung und Datenaufbereitung zur Auswertung

SE-SIS, acht gültige Zustände

SIS SEN 85 02 00-1973 Dafa-Verarbeitung. Zeichensätze und Codes für den Informationsaustausch und deren Umsetzung auf verschiedenen Datenträgern. Gültigkeit internationaler Empfehlungen als schwedischer Standard

NL-NEN, acht gültige Zustände

NEN 6480-1982 Wasser – Titrimetrische Bestimmung des Gehalts an freiem und gesamtverfügbarem Chlor mit Eisen(II)-Ammoniumsulfat und DPD-Sulfat als Indikator

National Aeronautics and Space Administration (NASA), acht gültige Zustände

NASA NACA-RM-L56D05-1956 Statische Seitenstabilität und Steuereigenschaften eines Modells eines Kampfflugzeugs mit 45 Grad Pfeilflügel und verschiedenen Seitenleitwerken bei Machzahlen von 1,41, 1,61 und 2,01