Mikrostation mit zwei Parametern

Für die Mikrostation mit zwei Parametern gibt es insgesamt 110 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Mikrostation mit zwei Parametern die folgenden Kategorien: Spanlose Bearbeitungsgeräte, Kraftwerk umfassend, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Straßenfahrzeug umfassend, Terminologie (Grundsätze und Koordination), Wortschatz, Optoelektronik, Lasergeräte, Integrierter Schiffbau und Offshore-Strukturen, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Chemische Ausrüstung, Diskrete Halbleitergeräte, Rohrteile und Rohre, Elektrische Geräte, die unter besonderen Arbeitsbedingungen verwendet werden, Glasfaserkommunikation, Umwelttests, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Pumpe, Kernenergietechnik, Verbrennungsmotor.

Professional Standard - Machinery, Mikrostation mit zwei Parametern

JB/T 9804.1-1999 Typen und Grundparameter für Mikropumpen
JB/T 2707-1999 Typen und Grundparameter der stoßfreien Stoßpressmaschine
JB/T 2707-2015 Typ und grundlegende Parameter des mikroseismischen Verdichters
JB/T 3582-1999 Hydraulische Gesenkhämmer mit leicht beweglichem Ambossblock Grundparameter

RU-GOST R, Mikrostation mit zwei Parametern

GOST 28291-1989 Absperrventile für Wärmekraftwerke. Typen und Hauptparameter
GOST 28289-1989 Umkehrrohrverschraubungen für Wärmekraftwerke. Typen und Hauptparameter
GOST 28308-1989 Absperrschieber für Dampfkraftwerke. Typen und Hauptparameter
GOST 18683.0-1983 Digitale integrierte Schaltkreise. Allgemeine Anforderungen zur Messung elektrischer Parameter
GOST 18683.1-1983 Digitale integrierte Schaltkreise. Methoden zur Messung statischer elektrischer Parameter
GOST 18683.2-1983 Digitale integrierte Schaltkreise. Methoden zur Messung dynamischer elektrischer Parameter
GOST 23622-1979 Logikelemente integrierter Schaltkreise. Grundparameter
GOST 20304-1990 Dreidimensionale und zweidimensionale Puppen. Konstruktion, Hauptparameter und Abmessungen
GOST 19480-1989 Integrierte Schaltkreise. Begriffe, Definitionen und Buchstabensymbole elektrischer Parameter
GOST 24613.0-1981 Optoelektronische integrierte Mikroschaltungen und Optokoppler. Allgemeine Anforderungen bei der Messung elektrischer Parameter
GOST 27780-1988 Integrierte Schaltkreise. Multiplexer und Schalter. Methoden zur Messung elektrischer Parameter
GOST 24459-1980 Integrierte Mikroschaltungen für Speicher und ihre Elemente. Grundparameter
GOST 17447-1972 Integrierte Schaltkreise für digitale Computer und diskrete automatische Systeme. Grundparameter
GOST R 52420-2005 Basis, die mechanische Strukturen trägt. Systeme der sekundären Stromversorgung. Typen und Grundabmessungen
GOST 19662-1989 Isotherme Speicher für flüssiges Kohlendioxid. Typen, Hauptparameter und Abmessungen
GOST 27694-1988 Integrierte Schaltkreise. Nieder-, Mittel- und Hochfrequenzverstärker. Methoden zur Messung elektrischer Parameter
GOST 23089.0-1978 Integrierte Schaltkreise. Allgemeine Anforderungen an die Messung elektrischer Parameter von Operationsverstärkern und Spannungskomparatoren
GOST R 50671-1994 Metallbalgkompensatoren für Rohrleitungen von Kraftwerken und Wärmeversorgungsanlagen. Typen, Grundparameter und allgemeine technische Anforderungen
GOST 24656-1981 Zirkulationslager für die ersten Energieblöcke des Kernkraftwerks mit den Reaktoren WWER. Typ, Grundparameter und allgemeine Anforderungen
GOST 27482-1987 Ausgabegeräte für die elektrische Energieabnahme von Elektroaggregaten und mobilen Elektrokraftwerken mit Verbrennungsmotoren. Typen und Hauptparameter

Professional Standard - Electron, Mikrostation mit zwei Parametern

SJ 1779-1981 Gewöhnliche Zwei-Elektroden-Sputter-Ionenpumpe – Parameterreihe
SJ 2738-1986 Grundparameter für die Getriebeuntersetzungseinheit elektrischer Mikromaschinen für automatische Steuerungssysteme

Defense Logistics Agency, Mikrostation mit zwei Parametern

DLA SMD-5962-86727 REV A-2005 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, BCD-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89582 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, SYNCHRONER, VOREINSTELLBARER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93098-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, 8-BIT SYNCHRONER BINÄR-AUFZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87590 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77030 REV B-1984 MIKROKREISE, DIGITAL, TTL, 6-BIT-BINÄR-BCD-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ZWEIDIMENSIONALER KONVOLVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 14-STUFIGER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 12-STUFIGER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARER INTERRUPT-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, MIKROPROZESSOR, DIGITAL, N-KANAL, 16-BIT-MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 12-BIT-BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99576 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, DUAL, 12-BIT, PROGRAMMIERBAR, DIGITAL-ANALOG-KONVERTER MIT INTERNER SPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87544 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, BIPOLARER SYNCHRONER VIER-BIT-BINÄR-AUF-AB-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-80026 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, BINÄRER MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97587 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, 4-BIT-BINÄR-VOLLADDER MIT FAST CARRY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84100 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUALER 4-BIT-BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89707-1989 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, BCD-DEKADENZÄHLER, SYNCHRONER RESET, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87565 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, QUAD 2-EINGANG ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90553 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT SYNCHRONER BINÄR-ABWÄRTSZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86009 REV C-1991 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS-DUAL-BINÄR-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87557 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, QUAD 2-EINGANG NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87680 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 14-STUFIGER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87517 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86854-1987 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, BINÄRZÄHLER, VIER BIT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-81016 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, VOREINSTELLBARER BINÄR-/DEKADEN-AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87567 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, BINÄR AUF 1-8 DECODER, NIEDRIG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87568 REV B-1991 MIKROKREISE, DIGITAL, ECL, BINÄR AUF 1-4 DECODER, NIEDRIG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90504 REV C-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BINÄRER FILTER UND TEMPLATE MATCHER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89561 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, SYNCHRONER, VOREINSTELLBARER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-83025 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHER NIEDRIGER ENERGIE-SCHOTTKY-TTL, 4-BIT-AUF/AB-BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89890 REV A-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUALER 4-STUFIGER BINÄRZÄHLER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90669-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, BINÄRER AUF-/ABZÄHLER, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86076 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-SYNCHRONER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84094 REV B-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 4-BIT SYNCHRONER BCD-ZÄHLER MIT SYNCHRONEM RESET, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, SYNCHRON, VOREINSTELLBAR, BINÄR, ZÄHLER, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87614 REV G-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, VIERFACH, ZWEI EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87615 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, VIERFACH, ZWEI EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84075 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 4-BIT SYNCHRONER BINÄRZÄHLER MIT ASYNCHRONEM, KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIZIUM
DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 12-STUFIGER BINÄRZÄHLER MIT RIPPLE-CARRY, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90705-1991 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, BCD-DEKADENZÄHLER, ASYNCHRONER RESET, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 14-STUFIGER BINÄR-RIPPLE-ZÄHLER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89733 REV B-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, AUF/AB-BINÄRZÄHLER MIT VOREINSTELLUNG UND RIPPLE-TAKT, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87549 REV F-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, QUAD-NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87612 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, QUAD 2-INPUT NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86821 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, BCD-ZU-DEZIMAL-DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89603 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-EINGANG-BINÄRZÄHLER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGANGSREGISTERN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90574-1990 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT SYNCHRONER BCD-ABWÄRTSZÄHLER, TTL, KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88766 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, 12-BIT-CMOS-DIGITAL-ANALOG-KONVERTER MIT AUSGANGSVERSTÄRKER UND REFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77047 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DUAL BINÄR ZU 1-VON-4 DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77048 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DUAL BINÄR ZU 1 VON 4 DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87566 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, VIERFACH, NICHTINVERTIERENDER MULTIPLEXER MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91654 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, VIERFACH MULTIPLEXER/LATCH MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89944 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, NIEDRIGER ENERGIESCHOTTKY, TTL, BCD-BIS-SEGMENT-DECODER/TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89771 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 14-STUFIGER BINÄRZÄHLER MIT OSZILLATOR, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91627 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, VIERFACHER NAND-TREIBER MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96560 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 4-BIT-UP/DOWN-BINÄR-SYNCHRONZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88671 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-BINÄRER AUF-/ABZÄHLER MIT TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88672 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89492-1991 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL, RETRIGGERBARER MONOSTABLER MULTIVIBRATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96584 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 4-BIT-BINÄR-VOLLADDER MIT FAST CARRY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON

Group Standards of the People's Republic of China, Mikrostation mit zwei Parametern

T/CES 168-2022 Technische Anforderungen für die Parametermessung des Steuerungsmodells eines elektrochemischen Energiespeicherkraftwerks

PT-IPQ, Mikrostation mit zwei Parametern

NP 459-1985 Essbare Mikroorganismen. Milch. 30 Grad Celsius beträgt die Anzahl der Mikroorganismen. Referenzverfahren

ETSI - European Telecommunications Standards Institute, Mikrostation mit zwei Parametern

GSM 02.06-1993 Europäisches digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Arten von Mobilstationen
ETS 300 504-1995 Europäisches digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Arten von Mobilstationen (MS) (GSM 02.06 Version 4.3.0; Zweite Ausgabe)
PRETS 300 504-1993 Europäisches digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Arten von Mobilstationen (MS) (GSM 02.06)
ETS 300 504-1994 Europäisches digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Arten von Mobilstationen (MS) (GSM 02.06)
PRETS 300 919-1997 Digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2+); Arten von Mobilstationen (MS) (Zweite Ausgabe; GSM 02.06 Version 5.1.0)
ETS 300 504-1996 Digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Arten von Mobilstationen (MS) (GSM 02.06; Dritte Ausgabe; Version 4.4.0)
ETS 300 504-1998 Digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Arten von Mobilstationen (MS) (GSM 02.06 Version 4.5.2; vierte Ausgabe)
PRETS 300 504-1997 Digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Arten von Mobilstationen (MS) (GSM 02.06 Version 4.5.1; vierte Ausgabe)
PRETS 300 504-1995 European Digital Cellular Telecommunications System (Phase 2); Types of Mobile Stations (MS) (GSM 02.06 Version 4.4.0) Third Edition
TR 101 075-1997 Digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Basisstation und Zusatzausrüstung; Physikalische und elektrische Parameter; Anwendung von Standards und Leitlinien (GSM 11.22 Version 4.1.4)
TR 101 075-2000 Digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Basisstation und Zusatzausrüstung; Physikalische und elektrische Parameter; Anwendung von Standards und Leitlinien (GSM 11.22 Version 4.2.0)

German Institute for Standardization, Mikrostation mit zwei Parametern

DIN 41636-2:1980 Empfindliche Schalter für die Kommunikationstechnik; Abmessungen, Nennwerte, Anforderungen, Prüfungen, Typ A
DIN 41636-5:1987 Empfindliche Schalter für die Informationstechnologie; Abmessungen, Nennwerte, Anforderungen, Tests; Typ D
DIN EN 60721-3-9/A1:1995 Klassifizierung von Umweltbedingungen - Teil 3: Klassifizierung von Gruppen von Umweltparametern und deren Schweregrade; Abschnitt 9: Mikroklima in Produkten (IEC 60721-3-9:1993/A1:1994); Deutsche Fassung EN 60721-3-9:1993/ A1:1995
DIN EN 60721-3-9:1995 Klassifizierung von Umweltbedingungen – Teil 3: Klassifizierung von Gruppen von Umweltparametern und deren Schweregrade; Abschnitt 9: Mikroklima in Produkten (IEC 60721-3-9:1993); Deutsche Fassung EN 60721-3-9:1993

PL-PKN, Mikrostation mit zwei Parametern

PN T92702-1983 Stacje radiolocacyjne control obszaru powietrznego do kierowania ruchem lotniczym.Typy.Podstawowe parametry i wymagania techniczne

Professional Standard-Ships, Mikrostation mit zwei Parametern

CB 1142.2-1985 Grundparameter und Modellerstellungsmethode für hydraulische Zweiwege-Einbauventile für die Schifffahrt

GOSTR, Mikrostation mit zwei Parametern

GOST R 52420-2020 Basis, die mechanische Strukturen trägt. Systeme der sekundären Stromversorgung. Typen und Grundabmessungen

Association Francaise de Normalisation, Mikrostation mit zwei Parametern

NF ETS 300157:1996 Telekommunikation – Erdfunkstellen und Satellitensysteme (SES) – Empfangsmikrostationen (VSAT) für die Datenkommunikation im 11/12-GHz-Frequenzband.

CZ-CSN, Mikrostation mit zwei Parametern

CSN 36 1135-1985 Elektrische Heizelemente aus Molybdän-Disilizid. Typen, Grundparameter und technische Anforderungen

Professional Standard - Energy, Mikrostation mit zwei Parametern

DL/T 2246.9-2021 Elektrochemisches Energiespeicherkraftwerk, netzgekoppelter Betrieb und Steuerung, technische Spezifikation, Teil 9: Simulationsberechnungsmodell und Parametermessung