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RUS8-Kristall
Für die S8-Kristall gibt es insgesamt 500 relevante Standards.
In der internationalen Standardklassifizierung umfasst S8-Kristall die folgenden Kategorien: medizinische Ausrüstung, Piezoelektrische und dielektrische Geräte zur Frequenzsteuerung und -auswahl, Glas, Pestizide und andere landwirtschaftliche Chemikalien, Umfangreiche elektronische Komponenten, Diskrete Halbleitergeräte, Optoelektronik, Lasergeräte, IT-Terminals und andere Peripheriegeräte, Anorganische Chemie, analytische Chemie, Halbleitermaterial, Prüfung von Metallmaterialien, Filter, Allgemeine Grundsätze der Standardisierung, Kernenergietechnik, Elektrische und elektronische Prüfung, Audio-, Video- und audiovisuelle Technik, Industrieofen, Strahlungsmessung, Optik und optische Messungen, magnetische Materialien, Solartechnik, Batterien und Akkus, Plastik, organische Chemie, nichtmetallische Mineralien, Keramik, erziehen, Wortschatz, Zucker, Zuckerprodukte, Stärke, Umfangreiche Testbedingungen und -verfahren, Straßenfahrzeuggerät, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Film, Komponenten elektrischer Geräte, Schmuck, Nichteisenmetalle, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Schneidewerkzeuge, Elektronische Anzeigegeräte, Partikelgrößenanalyse, Screening, Chemikalien, Metallproduktion, Elektrische Geräte, die unter besonderen Arbeitsbedingungen verwendet werden, grafische Symbole, Spanlose Bearbeitungsgeräte, Energie- und Wärmeübertragungstechnik umfassend, Handwerkzeuge.
SE-SIS, S8-Kristall
American National Standards Institute (ANSI), S8-Kristall
ES-UNE, S8-Kristall
- UNE-EN 120003:1992 BDS: FOTOTRANSISTOREN, FOTOCARLINGTON-TRANSISTOREN, FOTOTRANSISTOR-ARRAYS. (Von AENOR im September 1996 gebilligt.)
- UNE-EN ISO 11979-7:2018 Ophthalmologische Implantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (ISO 11979-7:2018) (gebilligt von der Asociación Española de Normalización im Juni 2018.)
- UNE-EN 168100:1993 SS: Quarzkristall-Einheiten. (Von AENOR im November 1996 gebilligt.)
- UNE-EN ISO 11979-10:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen (ISO 11979-10:2018) (gebilligt von der Asociación Española de Normalización im Juni 2018.)
- UNE-EN IEC 60122-4:2019 Quarzkristalleinheiten mit bewerteter Qualität – Teil 4: Kristalleinheiten mit Thermistoren (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Mai 2019.)
HU-MSZT, S8-Kristall
RO-ASRO, S8-Kristall
Professional Standard - Medicine, S8-Kristall
Group Standards of the People's Republic of China, S8-Kristall
Danish Standards Foundation, S8-Kristall
- DS/EN ISO 11979-10:2006 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Phake Intraokularlinsen
- DS/EN ISO 11979-9:2007 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 9: Multifokale Intraokularlinsen
- DS/IEC 458:1981 Transistorisierte Vorschaltgeräte für röhrenförmige Leuchtstofflampen
- DS/EN 60444-9:2007 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten – Teil 9: Messung von Störresonanzen piezoelektrischer Kristalleinheiten
- DS/EN 50513:2009 Solarwafer – Datenblatt und Produktinformationen für kristalline Siliziumwafer für die Solarzellenherstellung
Association Francaise de Normalisation, S8-Kristall
- NF B30-004:1974 GLAS.KRISTALL,KRISTALLGLAS,KRISTALLIN.
- NF C93-120-003*NF EN 120003:1992 Leere Bauartspezifikation: Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays
- NF EN 120003:1992 Spezielle Rahmenspezifikation: Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren, Fototransistornetzwerke
- NF EN ISO 11979-7:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
- NF S94-750-7*NF EN ISO 11979-7:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
- NF EN ISO 11979-10:2018 Ophthalmologische Implantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
- NF S94-750-10*NF EN ISO 11979-10:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
- NF C96-611/A1:1972 Halbleiter Sperrschichttransistoren Besondere Normblätter
- NF S94-750-10:2006 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Phake Intraokularlinsen.
- NF S94-750-10/A1:2014 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Phaken Intraokularlinsen – Änderung 1
- NF C93-621-9*NF EN 60444-9:2014 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten – Teil 9: Messung von Störresonanzen piezoelektrischer Kristalleinheiten
- NF C93-601/AM1:1976 KOMPONENTEN FÜR ELEKTRONISCHE GERÄTE. PIEZOELEKTRISCHE GERÄTE. KRISTALLHALTER.
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, S8-Kristall
- GB 9558-2001 Kristalldimethoat
- GB/T 1555-1997 Testmethoden zur Bestimmung der Orientierung eines Halbleitereinkristalls
- GB/T 1555-2023 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls
- GB/T 1555-2009 Prüfverfahren zur Bestimmung der Orientierung eines Halbleiter-Einkristalls
- GB/T 31958-2023 Substratglas für amorphe Silizium-Dünnschichttransistor-Flüssigkristallanzeigen
- GB/T 42676-2023 Röntgenbeugungsmethode zur Prüfung der Qualität von Halbleitereinkristallen
- GB/T 3352-1994 Synthetischer Quarzkristall
- GB/T 3351~353-1982 künstlicher Quarzkristall
- GB/T 8553-2023 Allgemeine Spezifikationen für Kristallboxen
- GB/T 31958-2015 Substratglas für eine Dünnschichttransistor-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
- GB 51136-2015 Spezifikationen für das Fabrikdesign von Flüssigkristallanzeigen mit Dünnschichttransistoren
- GB/T 6628-1996 Beschwerter synthetischer Quarzkristall
- GB/T 7895-2008 Synthetischer Quarzkristall in optischer Qualität
- GB/T 26762-2011 Kristalline Fruktose und feste Fruktose-Glukose
- GB 6430-1986 Nomenklatur des Kristallkastenmodells
- GB/T 16863-1997 Verfahren zur Prüfung des Brechungsindex von Kristallen
- GB 12274-1990 Quarzkristallgesteuerte Oszillatoren Allgemeine Spezifikation für
- GB/T 3353-1995 Leitfaden zur Verwendung von synthetischem Quarzkristall
- GB/T 22319.7-2015 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten. Teil 7: Messung von Aktivitätseinbrüchen von Quarzkristalleinheiten
- GB/T 16468-1996 Serienprogramme für statische Induktionstransistoren
Professional Standard - Machinery, S8-Kristall
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局, S8-Kristall
German Institute for Standardization, S8-Kristall
- DIN EN 120003:1996 Vordruck für Bauartspezifikation – Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays; Deutsche Fassung EN 120003:1992
- DIN EN 120003:1996-11 Vordruck für Bauartspezifikation – Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays; Deutsche Fassung EN 120003:1992
- DIN EN ISO 11979-7:2018-08 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (ISO 11979-7:2018); Deutsche Fassung EN ISO 11979-7:2018
- DIN EN ISO 11979-7:2023-04 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (ISO/DIS 11979-7:2023); Deutsche und englische Version prEN ISO 11979-7:2023 / Hinweis: Ausgabedatum 03.03.2023*Als Ersatz gedacht...
- DIN EN ISO 11979-7:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (ISO 11979-7:2018)
- DIN EN ISO 11979-10:2018-08 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen (ISO 11979-10:2018); Deutsche Fassung EN ISO 11979-10:2018
- DIN 4000-19:1988-12 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Transistoren und Thyristoren
- DIN EN IEC 60122-4:2019-10 Quarzkristalleinheiten mit bewerteter Qualität - Teil 4: Kristalleinheiten mit Thermistoren (IEC 60122-4:2019); Deutsche Fassung EN IEC 60122-4:2019
- DIN EN ISO 11979-10:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen (ISO 11979-10:2018)
- DIN IEC 60679-2:1997 Quarzkristallgesteuerte Oszillatoren – Teil 2: Leitfaden zur Verwendung von quarzkristallgesteuerten Oszillatoren (IEC 60679-2:1981)
- DIN EN 60444-9:2007 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten - Teil 9: Messung von Störresonanzen piezoelektrischer Kristalleinheiten (IEC 60444-9:2007); Deutsche Fassung EN 60444-9:2007
- DIN EN ISO 11979-10:2006 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Phake Intraokularlinsen (ISO 11979-10:2006); Englische Fassung der DIN EN ISO 11979-10:2006-11
- DIN EN 60444-9:2007-12 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten - Teil 9: Messung von Störresonanzen piezoelektrischer Kristalleinheiten (IEC 60444-9:2007); Deutsche Fassung EN 60444-9:2007
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, S8-Kristall
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, S8-Kristall
Lithuanian Standards Office , S8-Kristall
- LST EN 120003-2001 Leere Detailspezifikation. Fototransistoren, Photodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays
- LST EN ISO 11979-10:2007 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Phake Intraokularlinsen (ISO 11979-10:2006)
- LST EN ISO 11979-9:2007 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 9: Multifokale Intraokularlinsen (ISO 11979-9:2006)
- LST EN 50513-2009 Solarwafer – Datenblatt und Produktinformationen für kristalline Siliziumwafer für die Solarzellenherstellung
British Standards Institution (BSI), S8-Kristall
- BS EN ISO 11979-7:2024 Augenimplantate. Intraokularlinsen – Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
- BS EN ISO 11979-7:2018 Augenimplantate. Intraokularlinsen. Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
- BS EN ISO 11979-10:2018 Augenimplantate. Intraokularlinsen. Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
- BS EN ISO 11979-10:2006 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Phaken Intraokularlinsen
- 23/30453001 DC BS EN ISO 11979-7. Augenimplantate. Intraokularlinsen – Teil 7. Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
- BS EN 120003:1986 Spezifikation für ein harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Bauteile – Vordruck für Bauartspezifikation – Fototransistoren, Photodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays
- BS EN 60444-9:2007 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten - Messung von Störresonanzen piezoelektrischer Kristalleinheiten
- BS EN IEC 60122-4:2019 Quarzkristalleinheiten mit geprüfter Qualität - Kristalleinheiten mit Thermistoren
- BS EN 120003:1993 Spezifikation für ein harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Leere Detailspezifikation. Fototransistoren, Photodarlington-Transistoren, Fototransistor-Arrays
- BS EN 50513:2009 Solarwafer – Datenblatt und Produktinformationen für kristalline Siliziumwafer für die Solarzellenherstellung
- BS EN 60444-8:2003 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten - Prüfvorrichtung für oberflächenmontierte Quarzkristalleinheiten
- BS EN 60444-8:2017 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten. Prüfvorrichtung für oberflächenmontierte Quarzkristalleinheiten
- BS IEC 60747-7:2011 Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Bipolartransistoren
- BS IEC 60747-7:2010 Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Bipolartransistoren
- BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte – Bipolartransistoren
- BS IEC 60747-8:2010 Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Feldeffekttransistoren
- BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte – Feldeffekttransistoren
- BS PD ISO/TS 23151:2021 Nanotechnologien. Partikelgrößenverteilung für Cellulose-Nanokristalle. Partikelgrößenverteilung für Cellulose-Nanokristalle
- BS EN 60444-7:2004 Messung von Parametern von Quarzkristalleinheiten - Messung von Aktivitäts- und Frequenzeinbrüchen von Quarzkristalleinheiten
- BS EN 60444-2:1997 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten. Phasenversatzverfahren zur Messung der Bewegungskapazität von Quarzkristalleinheiten
CZ-CSN, S8-Kristall
Professional Standard - Light Industry, S8-Kristall
Professional Standard - Building Materials, S8-Kristall
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), S8-Kristall
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), S8-Kristall
Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, S8-Kristall
轻工业部, S8-Kristall
AENOR, S8-Kristall
- UNE-EN ISO 11979-10:2007 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Phake Intraokularlinsen (ISO 11979-10:2006)
- UNE-EN ISO 11979-10:2007/A1:2014 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Phaken Intraokularlinsen (ISO 11979-10:2006/Amd 1:2014)
- UNE-EN ISO 11979-9:2007 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 9: Multifokale Intraokularlinsen (ISO 11979-9:2006)
- UNE-EN 50513:2011 Solarwafer – Datenblatt und Produktinformationen für kristalline Siliziumwafer für die Solarzellenherstellung
U.S. Military Regulations and Norms, S8-Kristall
- ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 0,01 Hz BIS 15,0 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, CMOS
- ARMY MIL-PRF-55310/28 C-2008 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 1,0 MHz BIS 85 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, TTL
- ARMY MIL-PRF-55310/8 J-2009 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 50 Hz BIS 50 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, TTL
- ARMY MIL-P-46320 C (4)-1972 STROMVERSORGUNG: 10516158 (TRANSISTORISIERT)
- ARMY MIL-P-46320 C-1963 STROMVERSORGUNG: 10516158 (TRANSISTORISIERT)
- ARMY QPL-46320-30-1992 STROMVERSORGUNG, 10516158 (TRANSISTORISIERT)
- ARMY MIL-PRF-3098/84 F-2013 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ, CR108/U
- ARMY MIL-PRF-3098/95 E VALID NOTICE 2-2013 Kristalleinheit, Quarz, CR119/U
- ARMY MIL-PRF-55310/29 C-2011 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 0,2 MHz BIS 85 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, HCMOS
- ARMY MIL-PRF-55310/34 C-2013 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 500 KHz BIS 150 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, NIEDERSPANNUNGS-CMOS
- ARMY MIL-PRF-55310/38 B-2013 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 500 KHz BIS 150 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, NIEDERSPANNUNGS-CMOS
- ARMY MIL-PRF-55310/28 C VALID NOTICE 1-2013 Oszillator, Quarzgesteuert, Typ 1 (Quarzoszillator (XO)), 1,0 MHz bis 85 MHz, hermetische Abdichtung, Rechteckwelle, TTL
- ARMY MIL-PRF-55310/30 D VALID NOTICE 1-2013 Oszillator, quarzgesteuert, Typ 1 (Quarzoszillator (XO)), 450 KHz bis 100 MHz, hermetische Abdichtung, Niederspannungs-CMOS
- ARMY MIL-PRF-3098/16 H VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR36/U
- ARMY MIL-PRF-3098/17 F VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR37/U
- ARMY MIL-PRF-3098/21 G VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR42/U
- ARMY MIL-PRF-3098/25 F VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR46/U
- ARMY MIL-PRF-3098/26 G VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR47/U
- ARMY MIL-PRF-3098/30 F VALID NOTICE 1-2008 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR52/U
- ARMY MIL-PRF-3098/32 F VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR54/U
- ARMY MIL-PRF-3098/33 J VALID NOTICE 1-2008 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR55/U
- ARMY MIL-PRF-3098/36 E VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR58/U
- ARMY MIL-PRF-3098/37 J VALID NOTICE 1-2008 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR59/U
- ARMY MIL-PRF-3098/38 G VALID NOTICE 1-2008 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR60/U
- ARMY MIL-PRF-3098/41 H VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR63/U
- ARMY MIL-PRF-3098/45 J VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR67/U
- ARMY MIL-PRF-3098/47 J VALID NOTICE 1-2008 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR69/U
- ARMY MIL-PRF-3098/63 F VALID NOTICE 1-2008 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR79/U
- ARMY MIL-PRF-3098/95 E VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR119/U
- ARMY MIL-PRF-3098/103 E VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR101/U
- ARMY MIL-PRF-3098/109 E VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR130/U
- ARMY MIL-PRF-3098/146 C VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR165/U
- ARMY MIL-PRF-3098/3 F VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR18/U
- ARMY MIL-PRF-3098/4 F VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR19/U
- ARMY MIL-PRF-3098/7 H VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR25/U
- ARMY MIL-PRF-3098/8 F VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR26/U
- ARMY MIL-PRF-3098/9 G VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR27/U
- ARMY MIL-PRF-3098/10 G VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR28/U
- ARMY MIL-PRF-3098/14 F VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR33/U
- ARMY MIL-PRF-3098/15 G VALID NOTICE 1-2008 Kristalleinheit, Quarz, CR35/U
- ARMY QPL-55310-70-2008 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- ARMY MIL-PRF-3098/103 F-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR101/U
- ARMY MIL-PRF-3098/109 F-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR130/U
- ARMY MIL-PRF-3098/146 D-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR165/U
- ARMY MIL-PRF-3098/62 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR78/U
- ARMY MIL-PRF-3098/63 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR79/U
- ARMY MIL-PRF-3098/68 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR91/U
- ARMY MIL-PRF-3098/72 F-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR97/U
- ARMY MIL-PRF-3098/77 F-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR5/U
- ARMY MIL-PRF-3098/78 F-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR6/U
- ARMY MIL-PRF-3098/54 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR73/U
- ARMY MIL-PRF-3098/56 H-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR85/U
- ARMY MIL-PRF-3098/58 J-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR81/U
- ARMY MIL-PRF-3098/59 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR82/U
- ARMY MIL-PRF-3098/60 H-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR83/U
- ARMY MIL-PRF-3098/67 F-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR89/U
- ARMY MIL-PRF-3098/38 H-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR60/U
- ARMY MIL-PRF-3098/39 H-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR61/U
- ARMY MIL-PRF-3098/40 G-2010 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ, CR62/U
- ARMY MIL-PRF-3098/41 J-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR63/U
- ARMY MIL-PRF-3098/42 K-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR64/U
- ARMY MIL-PRF-3098/43 H-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR65/U
- ARMY MIL-PRF-3098/45 K-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR67/U
- ARMY MIL-PRF-3098/47 K-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR69/U
- ARMY MIL-PRF-3098/50 E-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR72/U
- ARMY MIL-PRF-3098/51 J-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR74/U
- ARMY MIL-PRF-3098/52 H-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR75/U
- ARMY MIL-PRF-3098/53 M-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR76/U
- ARMY MIL-PRF-3098/3 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR18/U
- ARMY MIL-PRF-3098/4 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR19/U
- ARMY MIL-PRF-3098/7 J-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR25/U
- ARMY MIL-PRF-3098/8 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR26/U
- ARMY MIL-PRF-3098/9 H-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR27/U
- ARMY MIL-PRF-3098/10 H-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR28/U
- ARMY MIL-PRF-3098/14 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR33/U
- ARMY MIL-PRF-3098/15 H-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR35/U
- ARMY MIL-PRF-3098/16 J-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR36/U
- ARMY MIL-PRF-3098/17 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR37/U
- ARMY MIL-PRF-3098/21 H-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR42/U
- ARMY MIL-PRF-3098/24 F-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR45/U
- ARMY MIL-PRF-3098/25 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR46/U
- ARMY MIL-PRF-3098/26 H-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR47/U
- ARMY MIL-PRF-3098/30 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR52/U
- ARMY MIL-PRF-3098/32 G-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR54/U
- ARMY MIL-PRF-3098/33 K-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR55/U
- ARMY MIL-PRF-3098/34 J-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR56/U
- ARMY MIL-PRF-3098/36 F-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR58/U
- ARMY MIL-PRF-3098/37 K-2010 KRISTALLEINHEIT, QUARZ, CR59/U
- ARMY QPL-55310-71-2010 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- ARMY QPL-55310-74-2010 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- ARMY MIL-PRF-3098 K-2010 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- ARMY MIL-PRF-3098 K (1)-2011 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- ARMY MIL-PRF-3098 K (1) SUPP 1-2013 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- ARMY MIL-PRF-55310/36 B-2013 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO), 1 MHz BIS 100 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, NIEDERSPANNUNG 1,8 V CMOS
- ARMY MIL-PRF-55310/27 C-2008 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 1,0 MHz BIS 85 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS
- ARMY MIL-PRF-55310/40 B-2013 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 1 MHz BIS 100 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, NIEDERSPANNUNG 1,8 V CMOS
- ARMY MIL-PRF-55310/27 D VALID NOTICE 1-2013 Oszillator, Quarzgesteuert, Typ 1 (Quarzoszillator (XO)), 1,0 MHz bis 85 MHz, hermetische Abdichtung, Rechteckwelle, Hochgeschwindigkeits-CMOS
- ARMY QPL-55310-69-2006 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- ARMY MIL-PRF-55310 E SUPP 1-2006 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- ARMY MIL-PRF-55310 E-2006 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
International Organization for Standardization (ISO), S8-Kristall
- ISO/DIS 11979-7 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
- ISO/FDIS 11979-7:2011 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
- ISO 11979-10:2006 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Phake Intraokularlinsen
- ISO 11979-10:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
- ISO 11979-1:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
- ISO 11979-9:2006 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 9: Multifokale Intraokularlinsen
- ISO 11979-10:2006/Amd 1:2014 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Phake Intraokularlinsen; Änderung 1
- ISO 11979-9:2006/Amd 1:2014 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 9: Multifokale Intraokularlinsen; Änderung 1
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., S8-Kristall
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KR-KS, S8-Kristall
- KS P ISO 11979-7-2021 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
- KS P ISO 11979-10-2019 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
- KS C IEC 60679-2-2018 Quarzkristallgesteuerte Oszillatoren – Teil 2: Leitfaden zur Verwendung von quarzkristallgesteuerten Oszillatoren
- KS C IEC 60679-2-2018(2023) Quarzkristallgesteuerte Oszillatoren – Teil 2: Leitfaden zur Verwendung von quarzkristallgesteuerten Oszillatoren
- KS C IEC 60122-4-2022 Quarzkristalleinheiten mit bewerteter Qualität – Teil 4: Kristalleinheiten mit Thermistoren
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, S8-Kristall
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- GB/T 37398-2019 Bariumfluorid-Szintillationskristall
- GB/T 8756-2018 Sammlung von Metallographen über Defekte von Germaniumkristallen
- GB/T 39131-2020 Begriffe und Definitionen synthetischer Kristallmaterialien
- GB/T 36648-2018 Spezifikation für TFT-Flüssigkristallmonomere
- GB/T 36647-2018 Spezifikation für Flüssigkristallmonomere
- GB/T 37051-2018 Testmethode zur Bestimmung der Kristalldefektdichte in PV-Siliziumbarren und -Wafern
- GB/T 41325-2022 Kristalle mit niedriger Dichte stammen aus grubenpolierten monokristallinen Siliziumwafern für integrierte Schaltkreise
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- JUS N.R9.070-1986 Piezoelektrische Vibratoren. Ouartz-Kristalleinheiten. Zweistiftiger Kristallhalter, Typ 09
- JUS N.R9.073-1986 Piezoelektrische Vibratoren. Quarzkristall-Einheiten. Zweidraht-Kristallhalter-Umriss, Typ 17
- JUS N.R9.069-1986 Piezoelektrische Vibratoren. Quarzkristalleinheiten. Zwei Piri-Kristall-Halter-Umrisse, Typ 07
- JUS N.R9.064-1986 Piezoelektrische Vibratoren. Ctuartz-Kristalleinheiten. Umriss des Kristallhalters mit zwei Drähten. Typen 11, 14 und 15
- JUS N.R1.373-1980 Halbleiterdioden. Wesentliche Bewertungen und Eigenschaften. Signaldioden mit geringem Stromverbrauch
- JUS N.R1.390-1979 Bipolarer Tnmmton. Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften: BW-Leistungssignaltransistoren
- JUS N.R1.450-1981 Bipolartransistoren. Messmethoden
- JUS N.R1.352-1979 Buchstabensymbol für Halbleitergeräte. Thyristoren.
- JUS N.R9.074-1986 Piezoelektrische Vibratoren. Ouartz-Kristalleinheiten. Zweidraht-Kristallhalter-Umriss, Typ 19
- JUS N.R9.072-1986 Piezo-/Elektrovibratoren. Ctuartz-Kristalleinheiten. Umriss zweier WFR-Krystafhalter, Typ 16
- JUS N.R9.077-1986 Piezoelektrische Vibratoren. Quarzkristalleinheiten. Zweidraht-Kristallhalter-Umriss, Typ 20
- JUS N.R9.076-1986 Piezoelektrische Vibratoren. Quarzkristalleinheiten. Zweipoliger Kristallwärmerausgang, Typ 08
- JUS N.R9.075-1986 Piezoelektrische Vibratoren. Quarzkristalleinheiten. Umriss eines Kristallhalters mit zwei Stiften, Typ 10
- JUS N.R9.078-1986 Piezoelektrische Vibratoren. Quarzkristalleinheiten. Umriss des Turo-Drahtkristallhalters, Typ 21
- JUS N.R1.471-1985 Bipolartransistoren. Referenzmessmethoden
- JUS A.A4.303-1990 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Transistoren und Thyristoren
TR-TSE, S8-Kristall
Professional Standard - Electron, S8-Kristall
PL-PKN, S8-Kristall
Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, S8-Kristall
工业和信息化部, S8-Kristall
AR-IRAM, S8-Kristall
European Committee for Standardization (CEN), S8-Kristall
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- DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 3-2004 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, NPN, SILIKON TYP 2N1051
- DLA MIL-S-19500/273 A VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistortyp Typ 2N744
- DLA MIL-S-19500/303 VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, Typen 2N2631 und 2N2876
- DLA MIL-S-19500/248 A VALID NOTICE 4-2011 Transistor, NPN, Siliziumtypen 2N2015, 2N2016
- DLA MIL-PRF-19500/139 B NOTICE 2-1999 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, PNP, SILIKON TYP JAN-2N1119
- DLA MIL-S-19500/288 (2)-1966 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, PNP, SILIKON TYP 2N2377
- DLA MIL-S-19500/288 VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Siliziumtyp 2N2377
- DLA MIL-S-19500/170 A VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium Typ 2N1499A
- DLA MIL-S-19500/179 A VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Siliziumtyp 2N1234
- DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, NPN, Siliziumtyp 2N1051
- DLA MIL-S-19500/40 B VALID NOTICE 3-2011 Halbleiter, Transistor, NPN, Germanium, Leistungstyp 2N326
- DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 MIKROSCHALTUNGEN, LINEARE, BI-FET-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-90798-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, GENERATOR/PRÜFER MIT DOPPELTER UNGERADE PARITÄT, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-85508 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TTL, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-86708 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, HOCHGESCHWINDIGKEITSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA MIL-PRF-55310/21 F-2008 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 1,0 MHz BIS 60,0 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, TTL
- DLA MIL-PRF-55310/21 G-2008 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 1,0 MHz BIS 60,0 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, TTL
- DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, NPN, SILIKON, FOTOTYP 2N986
- DLA MIL-S-19500/72 C VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium Typ 2N499 und 2N499A
- DLA MIL-S-19500/49 C VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Typen 2N464, 2N465, 2N467
- DLA MIL-S-19500/173 A VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, Typen 2N389 und 2N424 (Marine)
- DLA MIL-S-19500/215 VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, Typen 2N1173 und 2N1174 (Marineblau)
- DLA QPL-3098-91-2006 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- DLA QPL-3098-92-2008 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- DLA QPL-3098-93-2010 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- DLA QPL-3098-95-2010 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- DLA QPL-3098-97-2013 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- DLA QPL-3098-98-2013 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- DLA QPL-3098-99-2013 KRISTALLEINHEITEN, QUARZ, ALLGEMEINE SPEZIFIKATION FÜR
- DLA DSCC-DWG-04029-2005 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, NPN, SILIKON, HOCHLEISTUNGSTYP 2N5927
- DLA DSCC-DWG-04030-2005 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, NPN, SILIKON, HOCHLEISTUNGSTYP 2N5926
- DLA MIL-PRF-19500/25 B NOTICE 2-1999 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, PNP, GERMANIUM, NIEDRIGER LEISTUNGSTYP 2N240
- DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, PNP, GERMANIUM, HOCHFREQUENZ TYP 2N384
- DLA MIL-S-19500/68 A VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Schalttyp 2N1120
- DLA MIL-S-19500/80 E VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, NPN, Silizium, Low-Power-Typ 3N35
- DLA MIL-S-19500/13 B VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Hochleistungstyp 2N174A
- DLA MIL-S-19500/25 B VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Low-Power-Typ 2N240
- DLA MIL-S-19500/36 C VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Hochleistungstyp 2N297A
- DLA MIL-S-19500/44 D VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Low-Power-Typ 2N428
- DLA MIL-S-19500/51 E VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Low Power Typ 2N466
- DLA MIL-S-19500/58 D VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP, Germanium, Hochleistungstyp 2N665
- DLA MIL-S-19500/330 A VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor PNP, Germanium, Typen 2N1557A bis 2N1560A
- DLA MIL-S-19500/338 VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PNP-Germanium, Schalttyp 2N3449
- DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 3-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, PN, Silizium, Unijunction JAN2N5431 und JANTX2N5431
- DLA SMD-5962-86075 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, SHIFTER, MONOLITHISCHES SILIKON
- DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
- DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, SYNCHRONER 4-BIT-AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
未注明发布机构, S8-Kristall
- DIN EN ISO 11979-7 E:2017-03 Ophthalmic Implants Intraocular Lenses Part 7: Clinical Studies of Intraocular Lenses for the Correction of Aphakia (Draft)
- DIN EN ISO 11979-7 E:2012-07 Ophthalmic Implants Intraocular Lenses Part 7: Clinical Studies of Intraocular Lenses for the Correction of Aphakia (Draft)
- DIN EN ISO 11979-7 E:2023-04 Ophthalmic Implants Intraocular Lenses Part 7: Clinical Studies of Intraocular Lenses for the Correction of Aphakia (Draft)
- DIN EN ISO 11979-7 E:2013-07 Ophthalmic Implants Intraocular Lenses Part 7: Clinical Studies of Intraocular Lenses for the Correction of Aphakia (Draft)
- BS EN ISO 11979-9:2006+A1:2014 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 9: Multifokale Intraokularlinsen
- DIN EN ISO 11979-10 E:2017-02 Ophthalmic Implants Intraocular Lenses Part 10: Phakic Intraocular Lens Implantation (Draft)
- DIN IEC 679-2:1997 Quarzkristallgesteuerte Oszillatoren; Teil 2; Leitfaden zur Verwendung von quarzkristallgesteuerten Oszillatoren
International Electrotechnical Commission (IEC), S8-Kristall
- IEC 60679-2:1981 Quarzkristallgesteuerte Oszillatoren. Teil 2: Leitfaden zur Verwendung von quarzkristallgesteuerten Oszillatoren
- IEC 60444-9:2007 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten – Teil 9: Messung von Störresonanzen piezoelektrischer Kristalleinheiten
- IEC 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
- IEC 60122-4:2019 Quarzkristalleinheiten mit bewerteter Qualität - Teil 4: Kristalleinheiten mit Thermistoren
- IEC 60747-7:2000 Halbleiterbauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
- IEC 60747-8:2000 Halbleiterbauelemente – Teil 8: Feldeffekttransistoren
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- HG/T 4357-2012 Polarisator für die Dünnschichttransistor-Flüssigkristallanzeige (TFT-LCD)
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National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, S8-Kristall
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, S8-Kristall
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- Z80.7-2002 Für die Augenoptik – Intraokularlinsen (VC)
- Z80.30-2018 Ophthalmologie – Torische Intraokularlinsen
- Z80.7-2013 Augenoptik – Intraokularlinsen (VC)
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中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, S8-Kristall
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- EN IEC 60122-4:2019 Quarzkristalleinheiten mit bewerteter Qualität - Teil 4: Kristalleinheiten mit Thermistoren
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- SN/T 1175-2003 Methoden zur Inspektion von Farb-Flüssigkristallanzeigegeräten mit Dünnschichttransistoren für den Import und Export
European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), S8-Kristall
- EN 60444-9:2007 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten – Teil 9: Messung von Störresonanzen piezoelektrischer Kristalleinheiten
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- EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren
IN-BIS, S8-Kristall
- IS 4570 Pt.11-1989 Spezifikation für Quarzhalter Teil 11 Metallische, geschweißte, zweipolige Quarzhalter Typ DQ
- IS 4570 Pt.8-1985 Spezifikation für Quarzeinheitshalterungen Teil 8 Metallische, geschweißte, dreiadrige Quarzeinheitshalterung Typ DK
- IS 10184-1982 Spezifikation für synthetische Quarzkristalle für Holz
- IS 8899-1978 Benutzerhandbuch für synthetische Quarzkristalle
- IS 4570 Pt.13/Sec.5-1993 Kristall-Einheitshalter – Spezifikation Teil 13 – Übersicht über Quarzkristall-Einheitshalter mit automatischer Handhabung, Abschnitt 5: Metallische, versiegelte Zweinadel-Kristall-Einheitshalter Typ CU 05
- IS 4570 Pt.13/Sec.4-1993 Kristalleinheitshalter – Spezifikation Teil 13 Übersicht über Quarzkristalleinheitshalter mit automatischer Handhabung Abschnitt 4: Metallische, versiegelte Zweinadel-Kristalleinheitshalter Typ CU 04
- IS 4570 Pt.6-1984 Kristalleinheitshalter-Spezifikation Teil 6 Metall, mit Lötmittel versiegelt, Zweinadel-Kristalleinheitshalter Typ CX
Aerospace Industries Association/ANSI Aerospace Standards, S8-Kristall
BE-NBN, S8-Kristall
- NBN A 14-101-1974 Metallurgische Produkte. Mikroskopische Definition der Ferritkorngröße oder Austenitkorngröße in Stahl
TH-TISI, S8-Kristall
RU-GOST R, S8-Kristall