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Pequeña lámpara ultravioleta

Pequeña lámpara ultravioleta, Total: 100 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Pequeña lámpara ultravioleta son: Lámparas y equipos relacionados., ingeniería de energía solar, Óptica y medidas ópticas., Productos de caucho y plástico., Pinturas y barnices, Dispositivos semiconductores, Pruebas eléctricas y electrónicas., Protección contra mercancías peligrosas, Construcción naval y estructuras marinas en general, Pequeña embarcación.

Professional Standard - Light Industry, Pequeña lámpara ultravioleta

QB/T 3581-1999 Lámpara ultravioleta de mercurio de alta presión
QB/T 3582-1999 Método de medición de la irradiancia ultravioleta y parámetros eléctricos del tubo de lámpara ultravioleta de mercurio de alta presión.

Group Standards of the People's Republic of China, Pequeña lámpara ultravioleta

T/SCS 000001-2018 Tubo de vidrio que transmite rayos UV sin plomo
T/ZZB 1215-2019 Estructura enrollada en espiral de polietileno y tubos de doble pared plana resistentes a los rayos UV y a las grietas.
T/FSAS 71-2023 Método de prueba de rendimiento antienvejecimiento del perfil de construcción de aleación de aluminio rociado en polvo método combinado de lámpara ultravioleta fluorescente
T/FSAS 74-2023 Método de prueba para la resistencia al envejecimiento de perfiles de construcción de aleación de aluminio con recubrimiento en polvo combinado con el método de lámpara ultravioleta fluorescente

Professional Standard - Electron, Pequeña lámpara ultravioleta

SJ 20616-1996
SJ 20643.2-2002 Especificación detallada para lámpara de xenón pulsado para ultravioleta - cortada
SJ 1843-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia PNP de silicio, tipo 3CK111
SJ 1845-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia PNP de silicio, tipo 3CK113
SJ 1846-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia PNP de silicio, tipo 3CK120
SJ 1847-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia PNP de silicio, tipo 3CK121
SJ 783-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG101
SJ 784-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG102
SJ 785-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG103
SJ 788-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG112
SJ 789-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG120
SJ 791-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG122
SJ 1825-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK21
SJ 1826-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK100
SJ 1828-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK53
SJ 1829-1981 Especificación detallada de transistores de conmutación de baja potencia planos epitaxiales NPN de silicio, tipo 3DK5
SJ 1831-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK28
SJ 1832-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK102
SJ 1833-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK103
SJ 1834-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK104
SJ 1838-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK29
SJ 1839-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK108
SJ 1840-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK14
SJ 1841-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia PNP de silicio, tipo 3CK100
SJ 1842-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia PNP de silicio, tipo 3CK110
SJ 1474-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG112
SJ 1475-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG113
SJ 1476-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG114
SJ 1477-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG120
SJ 1479-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG122
SJ 1480-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG130
SJ 1482-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG132
SJ 1827-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK6
SJ 1830-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK101
SJ 787-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG111
SJ 1470-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG102
SJ 1471-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG103
SJ 1472-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG110
SJ 790-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio NPN, tipo 3DG121
SJ 1844-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia PNP de silicio, tipo 3CK112
SJ 1848-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia PNP de silicio, tipo 3CK130
SJ 1468-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG100
SJ 1473-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG111
SJ 1478-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG121
SJ 1481-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG131
SJ 2273-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG81
SJ 2274-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG113
SJ 2276-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG114
SJ 2277-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG115
SJ 2278-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG72
SJ 2281-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG132
SJ 2271-1983 Triodos planos epitaxiales de silicio NPN de frecuencia súper alta y baja potencia tipo 3DG104
SJ 2272-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG44
SJ 2275-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG85
SJ 2279-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG123
SJ 794-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de alta frecuencia, baja potencia y bajo ruido, tipo 3DG141
SJ 795-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de alta frecuencia, baja potencia y bajo ruido, tipo 3DG142
SJ 799-1974 Especificación detallada para transistores de voltaje inverso de baja potencia, alta frecuencia, planos epitaxiales, NPN, de silicio, tipo 3DG170
SJ 800-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3DG180
SJ 801-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3DG181
SJ 1484-1979 Especificación detallada para transistores de silicio PNP epitaxial planar de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3CG160
SJ 1485-1979 Especificación detallada para transistores de silicio PNP epitaxial planar de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3CG170
SJ 1483-1979 Especificación detallada para transistores de ruido planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia PNP de silicio, tipo 3CG140
SJ 1486-1979 Especificación detallada para transistores de silicio PNP epitaxial planar de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3CG180
SJ 2282-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG143
SJ 2283-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG144
SJ 2284-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG145
SJ 2287-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, Tuype 3DG148
SJ 2288-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG149
SJ 2290-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG151
SJ 2293-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG155
SJ 2294-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG156
SJ 2286-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG147
SJ 2291-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG153
SJ 2292-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG154
SJ 2285-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG146
SJ 2289-1983 Especificación detallada para transistores de silicio NPN epitaxial planar de frecuencia superalta, bajo nivel de ruido y baja potencia, tipo 3DG151

American Society for Testing and Materials (ASTM), Pequeña lámpara ultravioleta

ASTM E3006-20 Práctica estándar para el acondicionamiento ultravioleta de módulos o minimódulos fotovoltaicos utilizando un aparato de lámpara ultravioleta (UV) fluorescente
ASTM E3006-15 Práctica estándar para el acondicionamiento ultravioleta de módulos o minimódulos fotovoltaicos utilizando un aparato de lámpara ultravioleta (UV) fluorescente

German Institute for Standardization, Pequeña lámpara ultravioleta

DIN 49852:1993 Lámparas tubulares y lámparas pigmy con fines luminosos
DIN EN ISO 9093-1:1998 Embarcaciones pequeñas. Tomas de mar y accesorios pasacascos. Parte 1: Metálicas (ISO 9093-1:1994); Versión alemana EN ISO 9093-1:1997

Professional Standard - Medicine, Pequeña lámpara ultravioleta

YY/T 0160-1994 Lámpara de desinfección de mercurio de baja presión ultravioleta de cuarzo de tubo recto

U.S. Air Force, Pequeña lámpara ultravioleta

AIR FORCE MIL-L-9154-1953 CONJUNTO DE LÁMPARA, CABINA, TIPO C-8 (CORRIENTE CONTINUA ULTRAVIOLETA DE 28 VOLTIOS)
AIR FORCE MIL-L-9158-1953 JUEGO DE ILUMINACIÓN, CABINA, ULTRAVIOLETA, 24 VOLTIOS CC, TIPO B-1

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Pequeña lámpara ultravioleta

JIS C 1613:2007 Radiómetros ultravioleta de alta irradiancia del aparato de exposición tipo lámpara de haluro metálico.

YU-JUS, Pequeña lámpara ultravioleta

JUS N.L4.011-1983 Lámparas fluorescentes tubulares en miniatura. Dimensiones principales
JUS N.R1.042-1977 Tubos electrónicos. Contornos en miniatura de 10 pines.

Defense Logistics Agency, Pequeña lámpara ultravioleta

DLA A-A-50439 VALID NOTICE 1-2005 LÁMPARA, INCANDESCENTE, T-3-1/4, BASE DE TORNILLO EN MINIATURA
DLA A-A-50439-1991 LÁMPARA, INCANDESCENTE, T-3-1/4, BASE DE TORNILLO EN MINIATURA

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Pequeña lámpara ultravioleta

CNS 13088-1992 Método de medición para lámparas grandes de diodos emisores de luz (para exhibición en exteriores)
CNS 13087-1992 Confiabilidad asegurada Lámparas grandes de diodo emisor de luz `6rpara pantalla exterior`6s

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, Pequeña lámpara ultravioleta

DB44/T 1492-2014 Requisitos técnicos generales para dispositivos de control externos de lámparas LED tubulares.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Pequeña lámpara ultravioleta

GB/T 29883-2013 Envases para mercancías peligrosas. Contenedores intermedios para graneles de plástico rígido. Métodos de exposición a fuentes de luz de laboratorio (lámpara UV de fluorescencia)

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., Pequeña lámpara ultravioleta

ASHRAE 185.2-2014 Método de prueba de lámparas ultravioleta para uso en unidades HVAC&R o conductos de aire para inactivar microorganismos en superficies irradiadas