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Parámetros del diodo de avalancha

Parámetros del diodo de avalancha, Total: 83 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Parámetros del diodo de avalancha son: Optoelectrónica. Equipo láser, Comunicaciones de fibra óptica., Circuitos impresos y placas., Dispositivos semiconductores, Accesorios electricos, Aislamiento, Vocabularios, tubos electronicos.

Professional Standard - Electron, Parámetros del diodo de avalancha

SJ 2354.1-1983 Procedimientos generales de medición de parámetros eléctricos y ópticos de fotodiodos PIN y de avalancha.
SJ/T 2354-2015 Métodos de medición para fotodiodos de PIN、APD
SJ/T 2354-2015/0352 Métodos de medición para fotodiodos de PIN、APD
SJ 2354.14-1983 Método de medición del factor de exceso de ruido de PIN y fotodiodos de avalancha.
SJ 2354.5-1983 Método de medición de capacitancia de fotodiodos PIN y de avalancha.
SJ 2354.3-1983 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos PIN y de avalancha.
SJ 2354.6-1983 Método de medición de la capacidad de respuesta de PIN y fotodiodos de avalancha.
SJ 2354.13-1983 Método de medición del factor de multiplicación de PIN y fotodiodos de avalancha.
SJ 2354.4-1983 Método de medición de la caída de tensión directa de PIN y fotodiodos de avalancha
SJ 2354.12-1983 Método de medición del factor de temperatura del voltaje de ruptura inverso de PIN y fotodiodos de avalancha
SJ 2354.2-1983 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos PIN y de avalancha
SJ 2354.10-1983 Método de medición del factor de luz cruzada de PIN y matriz de fotodiodos de avalancha.
SJ 2354.11-1983 Método de medición del ancho de la zona ciega del PIN y de la matriz de fotodiodos de avalancha
SJ 2354.9-1983 Método de medición de la potencia equivalente de ruido de fotodiodos PIN y de avalancha
SJ 2354.8-1983 Método de medición del tiempo de subida y bajada del pulso de fotodiodos PIN y de avalancha
SJ 2354.7-1983 Método de medición de la curva de respuesta espectral y el rango de respuesta espectral de fotodiodos PIN y de avalancha

Professional Standard - Post and Telecommunication, Parámetros del diodo de avalancha

YD/T 835-1996 Método de prueba de fotodiodos de avalancha.

邮电部, Parámetros del diodo de avalancha

YD/T 0835-1996 Método de detección de fotodiodos de avalancha.

Professional Standard - Military and Civilian Products, Parámetros del diodo de avalancha

WJ 2100-2004 Método de prueba para fotodiodos de silicio y fotodiodos de avalancha de silicio.
WJ 2265-1995 Especificaciones para fotodiodos de avalancha de silicio preamplificados

British Standards Institution (BSI), Parámetros del diodo de avalancha

BS 9300 C476:1973 Especificación detallada para el diodo rectificador de avalancha de silicio
BS 9300 C667-668:1971 Especificación detallada para diodos rectificadores de avalancha de silicio
BS EN 61643-321:2002 Dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje: especificaciones para diodos de ruptura de avalanchas (ABD)
BS QC 750109:1993 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Parámetros del diodo de avalancha

DB52/T 861-2013 Especificación detallada para el diodo rectificador de avalancha de silicio tipo 2CB003

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Parámetros del diodo de avalancha

JEDEC JESD210-2007 Supresores de voltaje transitorio de diodo de ruptura de avalancha (ABD)
JEDEC JESD320-A-1992 Condiciones para la medición de parámetros estáticos de diodos [Reemplazado: JEDEC EIA-302, JEDEC 302]

Professional Standard - Automobile, Parámetros del diodo de avalancha

QC/T 706-2004 Especificación técnica de rectificación de avalanchas de silicio para vehículos de motor

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Parámetros del diodo de avalancha

JIS C 5381-321:2004 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje - Especificaciones para diodos de ruptura de avalanchas (ABD)

Association Francaise de Normalisation, Parámetros del diodo de avalancha

NF EN 61643-321:2002 Componentes para descargadores de sobretensiones de baja tensión - Parte 321: especificaciones para diodos de avalancha (ABD)
NF C61-743-321*NF EN 61643-321:2002 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de baja tensión. Parte 321: especificaciones para el diodo de ruptura de avalanchas (ABD)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Parámetros del diodo de avalancha

GB/T 16894-1997 Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A
GB/T 18802.321-2007 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje. Parte 321: Especificaciones para diodos de ruptura de avalanchas (ABD)
GB/T 6588-2000 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
GB/T 6351-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 2: Diodos rectificadores. Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A.

International Electrotechnical Commission (IEC), Parámetros del diodo de avalancha

IEC 60747-3-1:1986
IEC 61643-321:2001 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje - Parte 321: Especificaciones para el diodo de ruptura de avalancha (ABD)
IEC 60747-2-2:1993 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 2: diodos rectificadores; sección 2: especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A
IEC 60747-2-1:1989 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 2: diodos rectificadores; sección uno: especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Parámetros del diodo de avalancha

KS C IEC 60747-3-1:2006 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores－Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
KS C IEC 61643-321-2006(2019) Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje - Parte 321: Especificaciones para diodos de ruptura de avalanchas (ABD)
KS C IEC 61643-321-A:2014 ¿Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje? Parte 321: Especificación para diodo de ruptura de avalancha (ABD)
KS C IEC 60747-3-1-2006(2016) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores－Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
KS C IEC 60747-3-1-2006(2021) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores－Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
KS C IEC 61643-321:2006 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje - Parte 321: Especificaciones para diodos de ruptura de avalanchas (ABD)
KS C IEC 61643-321-A:2015 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje. Parte 321: Especificación para diodos de ruptura de avalanchas (ABD)
KS C IEC 60747-2-1-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A
KS C IEC 60747-2-1-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A
KS C IEC 60747-2-2-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corriente
KS C IEC 60747-2-2-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corriente
KS C IEC 60747-2-2:2006 Dispositivos semiconductores-Dispositivos discretos-Parte 2: Diodos rectificadores-Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A
KS C IEC 60747-2-1:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A

GB-REG, Parámetros del diodo de avalancha

REG NASA-LLIS-1840--2006 Lecciones aprendidas: falla eléctrica del conjunto del detector de fotodiodo de avalancha (APD) CALIPSO

AENOR, Parámetros del diodo de avalancha

UNE-EN 61643-321:2003 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje. Parte 321: Especificaciones para el diodo de ruptura de avalancha (ABD).

Danish Standards Foundation, Parámetros del diodo de avalancha

DS/EN 61643-321:2007
DS/IEC 747-3-1:1987 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores - Sección 1: Especificación detallada en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
DS/IEC 747-2-1:1990 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 2: Diodos rectificadores. Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A

ZA-SANS, Parámetros del diodo de avalancha

SANS 61643-321:2004 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje Parte 321: Especificación para diodos de ruptura de avalanchas (ABD)

KR-KS, Parámetros del diodo de avalancha

KS C IEC 61643-321-A-2014 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje. Parte 321: Especificación para diodos de ruptura de avalanchas (ABD)

German Institute for Standardization, Parámetros del diodo de avalancha

DIN EN 61643-321:2003 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de baja tensión. Parte 321: Especificaciones para diodos de ruptura de avalanchas (ABD) (IEC 61643-321:2001); Versión alemana EN 61643-321:2002

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Parámetros del diodo de avalancha

PQC 75-1991 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Diodos rectificadores Especificación detallada en blanco: Diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha) a temperatura ambiente y con clasificación de caja a más de 100 A
QC 750101-1986 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores@ Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos de señal@ Diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada (IEC 747-3-1 ED 1)

TH-TISI, Parámetros del diodo de avalancha

TIS 1970-2000 Dispositivos semiconductores, dispositivos discretos, parte 3: sección de diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores, especificación detallada en un espacio en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
TIS 1596-1999 Dispositivos semiconductores.Dispositivos discretos.Parte 2: Diodos rectificadores Sección 2: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A.

RU-GOST R, Parámetros del diodo de avalancha

GOST 17465-1980 Diodos semiconductores. Parametros basicos
GOST 18986.0-1974 Diodos semiconductores. Métodos de medida de parámetros eléctricos. Requerimientos generales
GOST R 51106-1997
GOST 17490-1977 Láseres de inyección y radiadores, diodos láser. Parámetros clave
GOST 19656.0-1974 Diodos semiconductores UHF. Métodos de medición de parámetros eléctricos. Condiciones generales
GOST 25529-1982
GOST 21011.0-1975 Kenotrones de alto voltaje. Métodos de medición de parámetros eléctricos. Requerimientos generales
GOST 21107.8-1976 Dispositivos de descarga de gas. Métodos de medición de características eléctricas de diodos impulsivos.

Lithuanian Standards Office , Parámetros del diodo de avalancha

LST EN 61643-321-2003 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje. Parte 321: Especificaciones para diodos de ruptura de avalanchas (ABD) (IEC 61643-321:2001)

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Parámetros del diodo de avalancha

EN 61643-321:2002 Componentes para dispositivos de protección contra sobretensiones de bajo voltaje Parte 321: Especificaciones para el diodo de ruptura de avalancha (ABD)

CZ-CSN, Parámetros del diodo de avalancha

CSN IEC 747-2-1:1993 Dispositivos semiconductores. Dispositivos diskretos. Parte 2: Diodos rectificadores. Sección 1: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A
CSN 35 8786-1983 Varicaps. Métodos de medición de parámetros eléctricos.
CSN 35 8767-1982 Diodos semiconductores Métodos de medición de parámetros eléctricos.
CSN 35 8769-1983 Diodos Zener semiconductores. Métodos de medición de parámetros eléctricos.
CSN 35 8768-1983 Diodos de conmutación semiconductores. Métodos de medición de parámetros eléctricos.

工业和信息化部, Parámetros del diodo de avalancha

SJ/T 11767-2020 Método de prueba de parámetros de ruido de baja frecuencia de diodo

European Standard for Electrical and Electronic Components, Parámetros del diodo de avalancha

CECC 50 009- 023 ISSUE 1-1980 BS CECC 50 009-023; Diodo rectificador de silicio con clasificación de caja de avalancha controlada; 48 amperios 600 a 1400 V; montado en perno; Sellado Herméticamente (Es)

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Parámetros del diodo de avalancha

CNS 11106-1984 Condiciones de equilibrio térmico para la medición de parámetros estáticos de diodos

RO-ASRO, Parámetros del diodo de avalancha

STAS 7128/7-1986 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos para diodos de capacitancia variable y diodos mezcladores