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figura polar de cristal

figura polar de cristal, Total: 386 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en figura polar de cristal son: Materiales semiconductores, pruebas de metales, Educación, Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Dispositivos semiconductores, Pruebas eléctricas y electrónicas., Símbolos gráficos, Vocabularios, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Adhesivos, Red Digital de Servicios Integrados (RDSI), ingeniería de energía solar, Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Redes de transmisión y distribución de energía., Ingeniería de energía y transferencia de calor en general., Optoelectrónica. Equipo láser, Dibujos tecnicos, Metales no ferrosos, Equipo medico, Dispositivos piezoeléctricos y dieléctricos., tubos electronicos, Compatibilidad electromagnética (CEM), Componentes electrónicos en general., construcción de aeropuertos, Tratamiento superficial y revestimiento., Corrosión de metales, Soldadura, soldadura fuerte y soldadura fuerte., Química analítica, Pinturas y barnices.

IT-UNI, figura polar de cristal

UNI 6966-1971 Determinación cuantitativa de las figuras polares y policristales mediante difusión de trapos X
UNI 6239-1968 Reproducción gráfica Pantallas de cristal para reproducción autotípica Marcas y formatos

RO-ASRO, figura polar de cristal

STAS 11381/10-1980 Símbolos gráficos para esquemas eléctricos ELECTRET DE CRISTALES PIEZOELÉCTRICOS
STAS 11200/88-1979 Símbolos gráficos SÍMBOLO GRÁFICO PARA RECOGEDOR PIEZOELÉCTRICO, DE CRISTAL O CERÁMICA
STAS 10326-1981 TRANSISTORES BIPOLARES Valores límite y nomenclatura de parámetros eléctricos básicos
STAS 12124/1-1982 Dispositivos semiconductores TRANZISTORES BIPOLARES Métodos para medir parámetros eléctricos estáticos.
STAS 11200/462-1981 Símbolos gráficos SÍMBOLO GRÁFICO PARA SOLDADURA TIG
STAS 11200/40-1978 Símbolos gráficos SÍMBOLO GRÁFICO PARA DIPOLO
STAS 11200/6-1978 Símbolos gráficos SÍMBOLO GRÁFICO PARA MENOS ; POLARIDAD NEGATIVA
STAS SR CEI 747-4-1995 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 4: Diodos y transistores de microondas
STAS 7128/2-1986 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMIONDUCTORES Y MICROCIRCUITOS INTERADOS Símbolos para transistores bipolares
STAS 11200/463-1981 Símbolos gráficos SÍMBOLO GRÁFICO PARA SOLDADURA MANUAL DE ELECTRODO DE ARCO METÁLICO

CZ-CSN, figura polar de cristal

CSN 35 8757 Cast.8-1985 Transistores. Métodos de medición de la tensión base-emisor.
CSN 35 8741-1964 transistor. Medición de la tensión residual del emisor coleotor.
CSN 35 8757 Cast.1-1985
CSN 35 8757 Cast.12-1989
CSN 35 8757 Cast.5-1985 Transistores. Método de medición de la capacitancia de la capa barrera del colector y del emisor.
CSN 35 8752-1976 Dispositivos semiconductores. Transistores. Métodos de medición de capacitancia de salida de base común.
CSN 35 8757 Cast.10-1986 Transistores. Métodos para medir la capacidad de salida en conexión de base común
CSN 35 8757 Cast.4-1985 Transistores. Métodos para medir la corriente de corte del colector, la corriente de corte del emisor y la corriente de corte del colector-emisor
CSN 35 8761-1973
CSN 35 8762-1973 Dispositivos semiconductores. Fotodiodos fototransistores. Medición de corriente oscura.
CSN 35 8757 Cast.2-1985 Transistores. Método de medición de la relación de transferencia de corriente directa de cortocircuito de señal pequeña de emisor común
CSN 35 8751-1970 Transistores. Método de medición de la admitancia de entrada de cortocircuito en configuración de base común a frecuencias más altas
CSN 35 8753-1970 Transistores. Método de medición de la admitancia de entrada de cortocircuito en la configuración de emisor común a frecuencias más altas
CSN 35 8750-1964 transistor. Medición de parámetros h.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, figura polar de cristal

GB/T 8756-2018 Colección de metalografías sobre defectos del cristal de germanio.
GB/T 8110-2020 Electrodos de alambre y depósitos de soldadura para soldadura por arco metálico con gas protegido de aceros no aleados y de grano fino

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, figura polar de cristal

GB/T 8756-1988 Colección de metalografías sobre defectos del germanio cristalino.
GB/T 17007-1997 Métodos de medición para transistores bipolares de puerta aislada.
GB/T 17008-1997 Terminología y símbolos de letras para transistor bipolar de puerta aislada
GB/T 6217-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
GB/T 6218-1996 Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
GB/T 4587-2023 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 7: Transistores bipolares
GB/T 7576-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de alta frecuencia
GB/T 7577-1996 Especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de baja frecuencia
GB/T 29332-2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
GB/T 4587-1994 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Parte 7: transistores bipolares
GB/T 21039.1-2007 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas-Transistores de efecto de campo de microondas Especificación detallada en blanco
GB/T 42676-2023 Método de difracción de rayos X para probar la calidad del monocristal semiconductor
GB/T 6590-1998 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 6: Tiristores Sección dos Especificación detallada en blanco para tiristores de triodo bidireccionales (triacs), ambientales o de caja, hasta 100 A
GB/T 17103-1997 Material metálico: método de preparación cuantitativa de la figura polar.
GB/T 3769-1983 Escalas y tamaños para trazar características de frecuencia y diagramas polares.
GB 3769-1983 Escalas y tamaños para trazar características de frecuencia y diagramas polares.

Professional Standard - Education, figura polar de cristal

JY/T 0006-2011 Trazador de características de transistores
JY 6-1985 Especificaciones del rastreador característico de transistores

YU-JUS, figura polar de cristal

JUS N.R1.450-1981 Transistores bipolares. Métodos de medición
JUS N.R1.471-1985 Transistores bipolares. Métodos de medición de referencia.
JUS N.R1.330-1979 transistores ipolares. Definiciones de parámetros de dispersión.
JUS N.R1.373-1980 Yodos semiconductores. Clasificaciones y características esenciales. Diodos de señal de baja potencia
JUS N.R1.390-1979 Tnmmton bipolar. Clasificaciones y características esenciales: transistores de señal de potencia bw
JUS N.R1.353-1979 Símbolo de letra para dispositivos semiconductores. Transistores bipolares y de efecto de campo.
JUS N.R1.323-1979 Términos y definiciones para dispositivos semiconductores. Transistores bipolares y de efecto de campo.
JUS N.R1.391-1979 Transistores polares. Clasificaciones y características esenciales: transistores de potencia.

Professional Standard - Machinery, figura polar de cristal

JB/T 8951.1-1999 Transistor Bipolar de Puerta Aislada
JB/T 8951.2-1999 Brazo y par de brazos de módulos de transistores bipolares de puerta aislada
JB/T 6307.4-1992 Método de prueba para módulo semiconductor de potencia Brazo y par de brazos de transistor bipolar
JB/T 6307.5-1994 Métodos de prueba del módulo semiconductor de potencia Transistores bipolares Puente monofásico y puente trifásico

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, figura polar de cristal

CNS 8105-1981 Método de prueba para colector de transistores: voltaje de saturación del emisor
CNS 6809-1989 Describe métodos de dibujo para transistores
CNS 7013-1981 Medición de ganancia de potencia de transistores HF VHF y UHF de señal pequeña
CNS 7012-1981 Método de prueba para la constante de tiempo de la base del colector y para la parte resistiva de la impedancia de entrada del emisor común

PL-PKN, figura polar de cristal

PN T01210-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de baja frecuencia
PN T01504-22-1987 Transistores Métodos de medición Capacitancias base colector y base emisor Ccbo y Cebo
PN T01208-03-1992
PN T01504-10-1987 Transistores Método de medición Tensión sostenida colector-emisor UcEO(sm) y Uceiusus)
PN T01207-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
PN T01208-01-1992
PN T01208-02-1992
PN T01504 ArkusZ26-1974 Transislors rbb' medidas

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, figura polar de cristal

GB/T 35316-2017 Colección de metalografías sobre defectos del cristal de zafiro.

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, figura polar de cristal

JEDEC JESD24-12-2004 Medición de impedancia térmica para transistores bipolares de puerta aislada (método Delta VCE(on)) (Este es un método alternativo al estándar JEDEC No. 24-6)
JEDEC JESD24-4-1990 Medidas de impedancia térmica para transistores bipolares (método de voltaje base-emisor delta) Anexo a JEDEC JESD 24
JEDEC JESD24-6-1991 Medidas de impedancia térmica para transistores bipolares de puerta aislada Anexo a JEDEC JESD 24
JEDEC JESD4-1983 Definición de distancias de fuga y espacio libre externo de paquetes de semiconductores discretos para tiristores y diodos rectificadores

GOSTR, figura polar de cristal

GOST 18604.19-1988 Transistores bipolares. Método de medición del voltaje umbral.

RU-GOST R, figura polar de cristal

GOST 20398.13-1980
GOST 18604.4-1974 Transistores. Método para medir la corriente inversa del colector.
GOST 18604.0-1983 Transistores bipolares. Requisitos generales para la medición de parámetros eléctricos.
GOST 18604.6-1974 Transistores. Método para medir la corriente inversa del emisor.
GOST 18604.3-1980 Transistores bipolares. Métodos para medir capacitancias de colectores y emisores.
GOST 18604.15-1977 Transistores osciladores de microondas bipolares. Técnicas para medir la corriente crítica.
GOST 18604.20-1978 Transistores bipolares. Métodos para medir la figura de ruido a bajas frecuencias.
GOST 20398.12-1980
GOST 15172-1970 Transistores. Lista de parámetros eléctricos básicos y de referencia.
GOST 17466-1980 Transistores bipolares y de efecto de campo. Parametros basicos
GOST 18604.10-1976 Transistores bipolares. Técnica de medición de resistencia de entrada.
GOST 18604.26-1985 Transistores bipolares. Métodos de medición de parámetros de tiempo.
GOST 18604.27-1986 Transistores bipolares de potencia de alto voltaje. Medición del voltaje de ruptura de la base del colector (base del emisor) en la corriente de corte del emisor (colector)
GOST 20003-1974
GOST 18604.2-1980 Transistores bipolares. Métodos para medir el coeficiente estático de transmisión de corriente.
GOST 18604.23-1980 Transistores bipolares. Método para medir frecuencias combinadas.
GOST 20398.8-1974 Transistores de efecto de campo. Corriente de drenaje para técnica de medición V(Gs)=0
GOST 18604.1-1980 Transistores bipolares. Método para medir la constante de tiempo colector-base a altas frecuencias
GOST 20398.10-1980
GOST 18604.22-1978 Transistores bipolares. Métodos para medir el voltaje de saturación colector-emisor y base-emisor.
GOST 18604.16-1978 Transistores bipolares. Método de medición de la relación de retroalimentación de voltaje en condiciones de señal baja.
GOST 18604.14-1977 Transistores osciladores de microondas bipolares. Técnicas para medir el módulo coeficiente de transmisión inversa de voltaje en el circuito con base general en alta frecuencia.
GOST 18604.11-1988 Transistores bipolares. Método de medición del factor de ruido en frecuencias altas y ultraaltas.
GOST 18604.9-1982 Transistores bipolares. Métodos para determinar la frecuencia de corte y la frecuencia de transición.
GOST 26169-1984 Compatibilidad electromagnética de equipos radioelectrónicos. Estándares de coeficientes de componentes de intermodulación de transistores lineales bipolares de alta frecuencia y alta potencia

British Standards Institution (BSI), figura polar de cristal

BS IEC 60747-7:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. transistores bipolares
BS IEC 60747-7:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. transistores bipolares
BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos - Transistores bipolares
BS IEC 60747-7:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Transistores bipolares
BS IEC 60747-4:2008 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Diodos y transistores de microondas
BS IEC 60747-9:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
BS IEC 60747-4:2007+A1:2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos: diodos y transistores de microondas.
BS IEC 60747-9:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos. Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
BS EN ISO 11979-7:2018 Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia.
BS 6493 Sec.1.4:1992 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Recomendaciones para diodos y transistores de microondas.
BS EN IEC 60122-4:2019 Unidades de cristal de cuarzo de calidad evaluada - Unidades de cristal con termistores
BS EN ISO 6284:1999 Planos de construcción: indicación de desviaciones límite.
23/30453001 DC BS EN ISO 11979-7. Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares - Parte 7. Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia
BS EN ISO 11979-10:2018 Cambios rastreados. Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la ametropía en ojos fáquicos.

International Electrotechnical Commission (IEC), figura polar de cristal

IEC 60747-7:2000 Dispositivos semiconductores - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-7-3:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 7: transistores bipolares; sección 3: especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aparatos de conmutación
IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-7:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-7:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
IEC 60747-7-2:1989 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 7: transistores bipolares; sección dos: especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de baja frecuencia
IEC 60747-7-4:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 7: transistores bipolares; sección 4: especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de alta frecuencia
IEC 60747-7-1:1989 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 7: transistores bipolares; sección uno: especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
IEC 60747-9:2001 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
IEC 60747-9:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 9: Dispositivos discretos - Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
IEC 60747-9:1998 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
IEC 60747-9:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
IEC 60747-4:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 4: diodos y transistores de microondas
IEC 60747-4:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
IEC 60747-4-1:2000 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas; Transistores de efecto de campo de microondas; Especificación de detalle en blanco
IEC 60747-7-5:2005 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7-5: Transistores bipolares para aplicaciones de conmutación de potencia
IEC 60747-9/AMD1:2001 Dispositivos semiconductores. Parte 9: Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT); Enmienda 1
IEC 60747-4/AMD2:1999 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Dispositivos de microondas; Enmienda 2
IEC 60747-7/AMD1:1991 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados; parte 7: transistores bipolares; enmienda 1
IEC 60747-4/AMD1:1993 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 4: diodos y transistores de microondas; enmienda 1
IEC 60747-5-7:2016 Dispositivos semiconductores - Parte 5-7: Dispositivos optoelectrónicos - Fotodiodos y fototransistores
IEC 60747-4:2007/AMD1:2017 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
IEC 63275-2:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo.
IEC 60747-6-2:1991

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), figura polar de cristal

KS C IEC 60747-7:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos －Parte 7: Transistores bipolares
KS C IEC 60747-7:2017 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos －Parte 7: Transistores bipolares
KS C IEC 60747-7-4:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia
KS C IEC 60747-7-3:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
KS C IEC 60747-7-3-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
KS C IEC 60747-7-3-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
KS C IEC 60747-7-2:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de baja frecuencia
KS C 7023-1978 Métodos de prueba para tiristores triodo de bloqueo inverso
KS C IEC 60747-7:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares.
KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia
KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia
KS C IEC 60747-7-2-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de baja frecuencia
KS C IEC 60747-7-2-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de baja frecuencia
KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
KS C IEC 60747-4:2006 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
KS C IEC 60747-4:2017 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
KS C IEC 60747-4:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 4: Diodos y transistores de microondas.
KS C IEC 60747-7-1:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
KS C IEC 60747-4-1-2002(2017) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4－1：Diodos y transistores de microondas－Transistores de efecto de campo de microondas－Especificación detallada en blanco
KS C IEC 60747-4-1:2002 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4－1：Diodos y transistores de microondas－Transistores de efecto de campo de microondas－Especificación detallada en blanco
KS C IEC 60747-6-2:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 6: Tiristores －Sección dos: Especificación detallada en blanco para tiristores de triodo bidireccionales (triacs), ambientales o de caja, hasta 100 A
KS D ISO 8993-2012(2017) Anodizado de aluminio y sus aleaciones－Sistema de clasificación para la evaluación de la corrosión por picaduras－Método gráfico
KS P ISO 11979-7:2021 Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Parte 7: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia.
KS C IEC 60747-6-3:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 6: Tiristores －Sección tres: Especificación detallada en blanco para tiristores de triodo de bloqueo inverso, ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A
KS P ISO 11979-10:2019 Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Parte 10: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la ametropía en ojos fáquicos.
KS D ISO 8993:2012 Anodizado de aluminio y sus aleaciones－Sistema de clasificación para la evaluación de la corrosión por picaduras－Método gráfico
KS C IEC 60122-4:2022 Unidades de cristal de cuarzo de calidad evaluada. Parte 4: Unidades de cristal con termistores.

TH-TISI, figura polar de cristal

TIS 1867-1999 Dispositivos semiconductores: dispositivos discretos parte 7: transistores bipolares sección 4: especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
TIS 1864-2009 Dispositivos semiconductores.parte 7: transistores bipolares
TIS 1866-1999 Dispositivos semiconductores: dispositivos discretos, parte 7: transistores bipolares, sección 2: especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de baja frecuencia
TIS 1868-1999 Dispositivos semiconductores: dispositivos discretos, parte 7: transistores bipolares, sección 4: especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de alta frecuencia
TIS 1865-1999 Dispositivos semiconductores-dispositivos discretos parte 7: transistores bipolares sección 1: especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
TIS 2122-2002 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única, hasta 5 W y 1 GHz.
TIS 2125-2002 Tecnología de montaje en superficie. Dispositivos discretos. Parte 9: transistores bipolares de puerta aislada (igbts)

Danish Standards Foundation, figura polar de cristal

DS/IEC 747-7-3:1993 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
DS/IEC 747-7-2:1990 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de baja frecuencia
DS/IEC 747-7-4:1993 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de alta frecuencia
DS/IEC 747-7-1:1990 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
DS/EN ISO 6284:2000
DS/EN ISO 10215:2011 Anodizado de aluminio y sus aleaciones. Determinación visual de la claridad de imagen de recubrimientos de oxidación anódica. Método de escala gráfica.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), figura polar de cristal

JIS C 7051:1974 Métodos de prueba para tiristores triodo de bloqueo inverso
JIS C 7233:1978 Tiristores triodos bidireccionales con confiabilidad asegurada (baja corriente)
JIS C 7234:1978 Tiristores triodo bidireccionales de confiabilidad asegurada (corriente alta y media)
JIS C 7231:1978 Fiabilidad garantizada con tiristores de triodo de bloqueo inverso (baja corriente)
JIS C 7232:1978 Fiabilidad asegurada con tiristores de triodo de bloqueo inverso (corriente alta y media)
JIS H 7151:1991 Método para determinar las temperaturas de cristalización de metales amorfos.
JIS C 7030:1993 Métodos de medición para transistores.

CU-NC, figura polar de cristal

NC 66-29-1984 Electrónica. Métodos de medición de transistores bipolares
NC 66-27-1984
NC 66-28-1984 Electrónica. Transistores bipolares de alta frecuencia. Tipo BF 199. Especificaciones de calidad
NC 66-25-1987 Industria Electrónica y Electrotécnica. Transistores bipolares de alta frecuencia. Especificaciones de calidad
NC 66-26-1984 Electrónica. Transistor de conmutación bipolar de alta potencia, tipo BU 208. Especificaciones de calidad
NC 66-23-1984 Electrónica. Transistores bipolares de alta potencia y baja frecuencia, tipo 2N 3055. Especificaciones de calidad
NC 66-17-1987 Industria Electrotécnica y Electrónica. Transistores Bipolares de Alta Tensión y Media Potencia. Especificaciones de calidad
NC 66-15-1987 Vocabulario electrónico y electrotécnico. Transistores Bioolares de Baja Frecuencia y Potencia. Especificaciones de calidad
NC 66-14-1987 Industria Electrónica y Electrotécnica. Transistores bipolares encapsulados en plástico. Especificaciones generales de calidad
NC 66-16-1987 Transistores bipolares de potencia y bajo ruido para la industria electrónica y electrotécnica. Especificaciones de calidad

Defense Logistics Agency, figura polar de cristal

DLA SMD-5962-87560 REV F-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, TRADUCTOR TTL A ECL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87508 REV E-2006
DLA SMD-5962-85508 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY DE BAJA POTENCIA, TTL, MULTIPLEXOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91530 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ECL, TRADUCTOR HEX TTL A ECL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91531 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ECL, TRADUCTOR ECL A TTL HEXAGONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, PUERTA BUFFER DE BUS CUÁDRUPLE, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, CONTADORES ARRIBA/ABAJO SINCRÓNICOS DE 4 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87595 REV B-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87711 REV A-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, MULTIVIBRADOR MONOESTABLE DOBLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90781 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, BUFFER, TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 MICROCIRCUITOS LINEALES, AMPLIFICADORES OPERACIONALES BI-FET, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92075 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ECL, CONTROLADOR DE RELOJ 68030/40 ECL/TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85126 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, BUFFERS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86836 REV C-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, AVANZADO SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA O PUERTAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, PUERTA NAND POSITIVA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-S-19500/438 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, tiristor triodo (bidireccional), silicio, tipos 2N5806 a 2N5809
DLA SMD-5962-91738 REV A-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, OCTAL TIPO D, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87683 REV C-2006 MICROCIRCUITO DIGITAL BIPOLAR ALS TTL DECODIFICADOR SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86833 REV C-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, PUERTAS NAND, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86865 REV D-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, NAND GATE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86866 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, AVANZADO SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, DECODIFICADOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92066 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ECL, OCTAL ECL/TTL, TRADUCTOR BIDIRECCIONAL CON REGISTRO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92046 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY DE BAJA POTENCIA, TTL, OSCILADOR CONTROLADO POR TENSIÓN, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86838 REV C-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, NOR GATES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86841 REV D-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, TTL SCHOTTKY AVANZADO DE BAJA POTENCIA Y PUERTAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86844 REV D-2006 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, BIPOLAR, AVANZADOS SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, NOR GATES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-99532 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL DE BAJA CONSUMO, CONTADOR DE 10 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97593 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, INVERSORES HEXAGONALES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85096 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, MULTIPLEXOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85097 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO DE BAJA POTENCIA, TTL, MULTIPLEXORES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91661-1993
DLA SMD-5962-86837 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR AVANZADO DE BAJA POTENCIA, SCHOTTKY TTL, NAND GATES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86840 REV E-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, CONTADOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86869 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, MULTIPLEXOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, BUFFERS/DRIVERS, SALIDA DE COLECTOR ABIERTO, ALTA TENSIÓN, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-S-19500/390 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Tipos de doble emisor 3N74, TX3N74, 3N75, TX3N75, 3N76, TX3N76, 3N127, TX3N127
DLA SMD-5962-91597-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, TRANSCEPTOR DE BUS CON BLOQUEO TRIPLE BIDIRECCIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97591 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, COMPARADORES DE IDENTIDAD DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-01504 REV D-2011 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, PERSONALIZADO, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, 500 VOLTIOS, CON PROTECCIÓN DE PUERTA
DLA MIL-PRF-19500/253 K-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, BAJA POTENCIA, TIPOS 2N930 Y 2N930UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, Transistor, Plástico, NPN, Silicio, Conmutación, Tipo 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ
DLA SMD-5962-85511 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, TRANSCEPTORES DE BUS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97581 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO TTL, TRIPLE 3 ENTRADAS POSITIVAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97588 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, CUÁDRUPLE PUERTAS O POSITIVAS DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, COMPATIBLE CON TTL, FLIP-FLOP OCTAL DISPARADO POR BORDE TIPO D, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91627 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, CONDUCTOR NAND CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97584 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, PUERTA DOBLE NAND POSITIVA DE 4 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88596 REV D-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, BUFFER/DRIVER, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97589 REV A-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, PESTILLOS TIPO D OCTAL TRANSPARENTES CON SALIDAS DE 3 ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92090 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, BUFFER/CONDUCTOR DE LÍNEA DE 10 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 MICROCIRCUITO LINEAL AMPLIFICADORES OPERACIONALES BI-FET, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, TTL CUÁDRUPLE 2 ENTRADAS POSITIVAS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, MULTIVIBRADOR MONOESTABLE, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, PUERTAS NAND POSITIVAS DE 8 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90800 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY DE BAJA POTENCIA, TTL, REGISTRO DE APROXIMACIÓN SUCESIVA DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90780 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, ADVANCE SCHOTTKY, TTL, FLIPFLOPS DE INTERFAZ DE BUS DE 10 BITS CON ENTRADAS INVERSORA Y NO INVERSORA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-01503 REV C-2013 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, PERSONALIZADO, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, 600 VOLTIOS O 500 VOLTIOS, CON PROTECCIÓN DE PUERTA
DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, INVERSORES HEX SCHMITT-TRIGGER, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87621 REV A-2005 MICROCIRCUITOS DIGITALES, BIPOLAR, TTL SCHOTTKY DE BAJA CONSUMO, CONTADOR BINARIO DE 8 BITS CON REGISTROS DE ENTRADA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86871 REV D-2006 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, BIPOLAR, TTL SCHOTTKY AVANZADO DE BAJA CONSUMO, BÚFERS NAND POSITIVOS CUÁDRUPLES DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91725-1994 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, DISPOSITIVO DE PRUEBA DE ESCANEO CON LATCH OCTAL TIPO D, SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS BIPOLAR TRANSCEPTOR BUS OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS ENTRADAS COMPATIBLES TTL SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91753 REV A-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, BÚFER OCTAL CON SALIDAS NO INVERTIDAS DE TRES ESTADOS DE HABILITACIÓN BAJA ACTIVA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, QUAD 2 ENTRADAS POSITIVAS O PUERTAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, TRIPLE 3 ENTRADAS POSITIVAS Y PUERTAS, SILICIO MONOLÍTICO

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, figura polar de cristal

QC 750104-1991 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 7: Transistores bipolares Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares para aplicaciones de conmutación (IEC 747-7-3 ED 1)
QC 750103-1989 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 7: Transistores bipolares Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de baja frecuencia (IEC 747-7-2 ED 1)
QC 750102-1989 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 7: Transistores bipolares Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia (IEC 747-7-1 ED 1)
QC 750107-1991 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 7: Transistores bipolares Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia (IEC 747-7-4 ED 1)
QC 750115-2000 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas - Transistores de efecto de campo de microondas - Especificación detallada en blanco (IEC 60747-4-1:2000)
QC 750112-1987 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 8: Transistores de efecto de campo Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única @ hasta 5 W y 1 GHz (IEC 747-8-1 ED 1)
QC 750103/ CN 0001-1992 Especificación detallada para componentes electrónicos Transistores bipolares con carcasa nominal para amplificación de baja frecuencia tipo 3DD870

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, figura polar de cristal

EN 150004:1991 Especificación detallada en blanco: transistores bipolares para aplicaciones de conmutación
EN 150003:1991 Especificación de detalle en blanco: Transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de baja frecuencia
EN 150007:1991 Especificación de detalle en blanco: Transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia

Professional Standard - Electron, figura polar de cristal

SJ/T 2214-2015 Métodos de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ/T 10439-1993 Métodos de prueba para probadores de parámetros de CC con transistor bipolar
SJ 20230-1993 Reglamento de verificación del probador de transistor Hfe modelo BJ2951A (JS-5A)
SJ 3254-1989 Métodos de cribado de muestras de transistores de media-baja potencia para medidas.
SJ/T 10438-1993 Especificación general para probadores de parámetros de CC con transistor bipolar
SJ 50033/146-2000 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de potencia bipolar de silicio tipo 3DA601 C
SJ/T 11081-1996 Elaboración de dibujos esquemáticos de tubos de rayos catódicos.
SJ 2672.7-1986 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz con clasificación de caja, tipo 3DA307
SJ/T 10049-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos. Transistor bipolar con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia NPN de silicio para tipo 3DA1162
SJ/T 10050-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos. Transistor bipolar con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia NPN de silicio para tipo 3DA1722
SJ/T 10051-1991 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos. Transistor bipolar con carcasa nominal para amplificación de alta frecuencia NPN de silicio para tipo 3DA 2688
SJ/T 10052-1991 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos. Transistor bipolar con carcasa nominal para amplificación de baja frecuencia de silicio PNP para tipo 3CD 507
SJ 2672.2-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 Mhz, tipo 3DA302
SJ 2672.3-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA303
SJ 2672.4-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA304
SJ 2672.5-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA305
SJ 2672.6-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA306
SJ 2672.8-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA308
SJ 2672.9-1986 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz con clasificación de caja, tipo 3DA309
SJ 2673.1-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA311
SJ 2673.2-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA312
SJ 2673.3-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA313
SJ 2673.4-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA314
SJ 2673.5-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA315
SJ 2673.6-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores bipolares de bajo voltaje de 470 MHz, tipo 3DA316
SJ 2672.1-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores de potencia bipolares de bajo voltaje de 175 MHz, tipo 3DA301
SJ 3123-1988 Especificación detallada para componentes electrónicos: transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de alta frecuencia, tipo 3DG1779

KR-KS, figura polar de cristal

KS C IEC 60747-7-2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares.
KS C IEC 60747-7-2017 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos －Parte 7: Transistores bipolares
KS C IEC 60747-4-2017 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4: Diodos y transistores de microondas
KS C IEC 60747-4-2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 4: Diodos y transistores de microondas.
KS P ISO 11979-7-2021 Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Parte 7: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia.
KS P ISO 11979-10-2019 Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Parte 10: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la ametropía en ojos fáquicos.
KS C IEC 60122-4-2022 Unidades de cristal de cuarzo de calidad evaluada. Parte 4: Unidades de cristal con termistores.

Group Standards of the People's Republic of China, figura polar de cristal

T/FSI 121-2023 Geles de silicona para transistores bipolares de puerta aislada
T/CSTM 00461-2022 Método de prueba para la resistencia al pelado de electrodos de células fotovoltaicas de silicio cristalino
T/CEC 155-2018 Requisitos generales para dispositivos de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de tipo engarzado para transmisión de energía flexible
T/CES 085-2021 Especificación de prueba de polarización inversa de alta temperatura para módulos de transistores bipolares de puerta aislada de paquete de prensa

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, figura polar de cristal

JJG(电子) 04014-1988 Reglamento de verificación de prueba para rastreadores característicos de transistores
JJG 838-1993 Reglamento de verificación del calibrador para osciloscopio de especificidad de transistor
JJG(电子) 04026-1989 Regulaciones de verificación del probador de voltaje de mantenimiento de triodo de cristal tipo BJ2985
JJG(电子) 310007-2006 Especificación para la verificación del sistema de prueba de parámetros de CC para transistores bipolares de puerta aislada.
JJG(电子) 04009-1987 Regulaciones de verificación de prueba del probador de averías secundarias con polarización directa de triodo de cristal tipo BJ2983
JJG(电子) 04016-1988 Reglamento de verificación de prueba BJ2984 (QR-3) para el probador de resistencia térmica transitoria de transistores de cristal
JJG(电子) 04022-1989 Especificación para la verificación de medidores de medición estándar Ft con transistor triodo de alta frecuencia y baja potencia modelo Q01
JJG 516-1987 Reglamento de verificación del probador de caracterización de CC digital modelo BJ2920 (HQ2) para transistor bipolar
JJG(电子) 04018-1988 Regulaciones de verificación de prueba de instrumento estándar de voltaje de ruptura inversa de transistor bipolar BJ2901

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, figura polar de cristal

GJB/Z 41.6-1993 Transistor bipolar de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB/Z 41.5-1993 Diodos rectificadores y tiristores de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, figura polar de cristal

JJF(电子) 21-1982 Método de verificación del instrumento gráfico de características del transistor JT-l

European Standard for Electrical and Electronic Components, figura polar de cristal

CECC 50 002- 250 ISSUE 2-1988 NL CECC 50 002-250 Edición 2; Transistores bipolares BFT92, BFT92R (Es)
CECC 50 004- 045 UTE C 86-614/045 Edición 2; Transistores bipolares para aplicaciones de conmutación (Fr)

Association Francaise de Normalisation, figura polar de cristal

UTE C86-614:1977 Componentes electrónicos - Transistores de conmutación bipolares - Colección de especificaciones especiales.
NF C96-007:1989 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 7: transistores bipolares.
NF EN ISO 11979-7:2018 Implantes oftálmicos - Lentes intraoculares - Parte 7: investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia
NF S94-750-7*NF EN ISO 11979-7:2018 Implantes oftálmicos - Lentes intraoculares - Parte 7: investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia
NF C86-712:1981 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Transistores de efecto de campo de puerta única.
NF EN ISO 11979-10:2018 Implantes oftálmicos - Lentes intraoculares - Parte 10: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la ametropía en ojos fáquicos
NF C86-614:1981 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco: transistores bipolares para aplicaciones de conmutación.
NF S94-750-10*NF EN ISO 11979-10:2018 Implantes oftálmicos - Lentes intraoculares - Parte 10: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la ametropía en ojos fáquicos
NF A91-494*NF EN ISO 10215:2018 Anodizado de aluminio y sus aleaciones. Determinación visual de la claridad de imagen de recubrimientos de oxidación anódica. Método de escala gráfica.

American Society for Testing and Materials (ASTM), figura polar de cristal

ASTM F528-99 Método de prueba estándar para medir la ganancia de corriente CC del emisor común de transistores de unión
ASTM F528-99(2005) Método de prueba estándar para medir la ganancia de corriente CC del emisor común de transistores de unión
ASTM F769-00 Método de prueba estándar para medir corrientes de fuga de transistores y diodos (retirado en 2006)

未注明发布机构, figura polar de cristal

BS IEC 60747-4:2007+A1:2017(2020) Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 4: Diodos y transistores de microondas.
BS IEC 60747-7-5:2005 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Partes 7 - 5: Transistores bipolares para aplicaciones de conmutación de potencia.
BS EN ISO 6284:1999(2000) Planos de construcción. Indicación de desviaciones límite.
ISO 10125:2010 Anodizado de aluminio y sus aleaciones. Determinación visual de la claridad de imagen de recubrimientos de oxidación anódica. Método de escala gráfica.

German Institute for Standardization, figura polar de cristal

DIN 52341:1993 Pruebas de vidrio; Análisis químico de cristal de plomo y cristal.
DIN EN ISO 11979-7:2018-08 Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Parte 7: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia (ISO 11979-7:2018); Versión alemana EN ISO 11979-7:2018
DIN 4000-19:1988-12 Diseños tabulares de características de artículos para transistores y tiristores.
DIN EN ISO 11979-7:2018 Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Parte 7: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia (ISO 11979-7:2018)
DIN EN ISO 11979-10:2018-08 Implantes oftálmicos - Lentes intraoculares - Parte 10: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la ametropía en ojos fáquicos (ISO 11979-10:2018); Versión alemana EN ISO 11979-10:2018
DIN EN ISO 10215:2018-06 Anodizado de aluminio y sus aleaciones - Determinación visual de la claridad de imagen de recubrimientos de oxidación anódica - Método de escala gráfica (ISO 10215:2018); Versión alemana EN ISO 10215:2018
DIN EN ISO 11979-7:2023-04 Implantes oftálmicos - Lentes intraoculares - Parte 7: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia (ISO/DIS 11979-7:2023); Versión en alemán e inglés prEN ISO 11979-7:2023 / Nota: Fecha de emisión 2023-03-03*Previsto como reemplazo...
DIN EN IEC 60122-4:2019-10 Unidades de cristal de cuarzo de calidad evaluada. Parte 4: Unidades de cristal con termistores (IEC 60122-4:2019); Versión alemana EN IEC 60122-4:2019
DIN 55659-2:2012 Pinturas y barnices. Determinación del valor de pH. Parte 2: electrodos de pH con tecnología ISFET.

GB-REG, figura polar de cristal

REG NASA-LLIS-0414-1996 Lecciones aprendidas: degradación de la salida de RF del excitador en Mariner Mars'71 causada por el zenering emisor a base en transistores de RF (~1971)

U.S. Military Regulations and Norms, figura polar de cristal

ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 0,01 Hz HASTA 15,0 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, CMOS
ARMY MIL-PRF-55310/28 C-2008 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 1,0 MHz HASTA 85 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, TTL
ARMY MIL-PRF-55310/8 J-2009 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 50 Hz HASTA 50 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, TTL
ARMY QPL-46320-30-1992 FUENTE DE ENERGÍA, 10516158 (TRANSISTORIZADA)

ES-UNE, figura polar de cristal

UNE-EN ISO 11979-7:2018 Implantes oftálmicos - Lentes intraoculares - Parte 7: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia (ISO 11979-7:2018) (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en junio de 2018.)
UNE-EN ISO 11979-10:2018 Implantes oftálmicos - Lentes intraoculares - Parte 10: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de ametropía en ojos fáquicos (ISO 11979-10:2018) (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en junio de 2018.)
UNE-EN ISO 10215:2018 Anodizado de aluminio y sus aleaciones. Determinación visual de la claridad de imagen de recubrimientos de oxidación anódica. Método de escala gráfica (ISO 10215:2018).
UNE-EN IEC 60122-4:2019 Unidades de cristal de cuarzo de calidad evaluada - Parte 4: Unidades de cristal con termistores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2019.)

International Organization for Standardization (ISO), figura polar de cristal

ISO/DIS 11979-7 Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Parte 7: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia.
ISO/FDIS 11979-7:2011 Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Parte 7: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la afaquia.
ISO 11979-1:2018 Implantes oftálmicos. Lentes intraoculares. Parte 10: Investigaciones clínicas de lentes intraoculares para la corrección de la ametropía en ojos fáquicos.
ISO 8993:2010 Anodizado del aluminio y sus aleaciones - Sistema de clasificación para la evaluación de la corrosión por picaduras - Método gráfico
ISO 8993:2018 Anodizado del aluminio y sus aleaciones - Sistema de clasificación para la evaluación de la corrosión por picaduras - Método gráfico

FI-SFS, figura polar de cristal

SFS 3888-1978 ALUMIININ JA SEN SEOSTEN ANODISOINTI. 45° HEIJASTUS.KOKONAISHEIJASTUS. SELKEYS DE KUVAN

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., figura polar de cristal

ASHRAE AB-10-015-2010 Límites de cristalización de soluciones salinas de LiCl-Agua y MgCl2-Agua como desecante líquido operativo en el sistema RAMEE

AGMA - American Gear Manufacturers Association, figura polar de cristal

01FTM2-2001 "El gráfico de movimiento definitivo para engranajes "silenciosos""

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, figura polar de cristal

YB/T 5360-2006 Determinación de figuras polares cuantitativas de materiales metálicos.

IN-BIS, figura polar de cristal

IS 4400 Pt.7-1971 MÉTODOS DE MEDICIONES EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE Ⅶ TIRISTORES TRIODO DE BLOQUEO INVERSO
IS 3700 Pt.7-1970 CLASIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS ESENCIALES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOROS PARTE Ⅶ TIRISTORES TRIODO DE BLOQUEO INVERSO

SE-SIS, figura polar de cristal

SIS SEN 01 27 08-1971 Símbolos para diagramas eléctricos. Cristales piezoeléctricos. Dispositivos magnetoestrictivos. Líneas de retardo

CEN - European Committee for Standardization, figura polar de cristal

EN ISO 8993:2018 Anodizado del aluminio y sus aleaciones - Sistema de clasificación para la evaluación de la corrosión por picaduras - Método gráfico
EN IEC 60122-4:2019 Unidades de cristal de cuarzo de calidad evaluada - Parte 4: Unidades de cristal con termistores

European Committee for Standardization (CEN), figura polar de cristal

EN ISO 8993:2010 Anodizado del aluminio y sus aleaciones. Sistema de clasificación para la evaluación de la corrosión por picaduras. Método del gráfico (ISO 8993:2010).

International Telecommunication Union (ITU), figura polar de cristal

ITU-R INFORME BT.2042-1 SPANISH-2006 Tecnologías en el área de imágenes de altísima resolución Tecnolog´s para las imágenes de muy alta resolución
ITU-R REPORT BT.2042-2-2007 Tecnologías en el ámbito de las imágenes de altísima resolución
ITU-R REPORT BT.2042-3-2009 Tecnologías en el ámbito de las imágenes de altísima resolución

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, figura polar de cristal

REPORT BT.2042-1-2006 Tecnologías en el ámbito de las imágenes de altísima resolución
REPORT BT.2042-3-2009 Tecnologías en el ámbito de las imágenes de altísima resolución
REPORT BT.2042-2004 Tecnologías en el ámbito de las imágenes de altísima resolución
REPORT BT.2042-2-2007 Tecnologías en el ámbito de las imágenes de altísima resolución
REPORT BT.2042-4-2010 Tecnologías en el ámbito de las imágenes de altísima resolución

ZA-SANS, figura polar de cristal

SANS 12004:1997 Materiales metálicos - Directrices para la determinación de diagramas de límite de formación.

HU-MSZT, figura polar de cristal

MNOSZ 24141-1955 KRIST?LYOS CLORURO DE CALCIO para fines analíticos